Результат пошуку "2sd1801s-e." : 3
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 2500
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2SD1801S-E | ONSEMI |
 Description: ONSEMI - 2SD1801S-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 15 W, TO-251, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-251 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 95133 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
|
2SD1801S-E | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 2A 800mW 3-Pin(3+Tab) TP Bag |
товар відсутній |
|||
|
|
2SD1801S-TL-E | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
| 2SD1801S-E |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1801S-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 15 W, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SD1801S-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 15 W, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 95133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 24.55 грн |
| 2SD1801S-E |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 2A 800mW 3-Pin(3+Tab) TP Bag
Trans GP BJT NPN 50V 2A 800mW 3-Pin(3+Tab) TP Bag
товар відсутній
| 2SD1801S-TL-E |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT NPN 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній