Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (139502) > Сторінка 1800 з 2326

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 232 464 696 928 1160 1392 1624 1795 1796 1797 1798 1799 1800 1801 1802 1803 1804 1805 1856 2088 2320 2326  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
FGA6065ADF FGA6065ADF ONSEMI FGA6065ADF-D.pdf Description: ONSEMI - FGA6065ADF - FAST & ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERS
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
NTSV20100CTG NTSV20100CTG ONSEMI ONSM-S-A0014594747-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTSV20100CTG - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-220AB, 3 Pin(s), 980 mV
Bauform - Diode: TO-220AB
Durchlassstoßstrom: 100
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 980
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: NTSV2
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
SECO-NCV7685RGB-GEVB SECO-NCV7685RGB-GEVB ONSEMI SECO-NCV7685RGB-GEVB_USER_MANUAL.PDF Description: ONSEMI - SECO-NCV7685RGB-GEVB - Demoboard, NCV7685, RGB-LED-Beleuchtungsanwendungen
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Beleuchtung
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Demoboard NCV7685
Prozessorhersteller: On Semiconductor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: LED-Treiber
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: NCV7685
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10468.21 грн
NTD4970N-35G. NTD4970N-35G. ONSEMI NTD4970N-D.PDF Description: ONSEMI - NTD4970N-35G. - SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 30V 36A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
FDS6680AS FDS6680AS ONSEMI 2299502.pdf description Description: ONSEMI - FDS6680AS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.5 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NCV317BD2TR4G NCV317BD2TR4G ONSEMI lm317-d.pdf Description: ONSEMI - NCV317BD2TR4G - Linearer Spannungsregler, einstellbar, 1.2V bis 37V/1.5Aout, TO-263-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: 1.2V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 37V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
Nennausgangsspannung: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Outputs
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+70.91 грн
14+ 59.26 грн
100+ 39.72 грн
Мінімальне замовлення: 12
BAT54ALT1G BAT54ALT1G ONSEMI 1708234.pdf Description: ONSEMI - BAT54ALT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Anode, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 800mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT54
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 62988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+10.32 грн
111+ 7.07 грн
241+ 3.24 грн
500+ 2.95 грн
Мінімальне замовлення: 76
FDPF12N50NZ FDPF12N50NZ ONSEMI 2907321.pdf Description: ONSEMI - FDPF12N50NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.5 A, 0.46 ohm, TO-220F
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 11.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 42
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 42
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.46
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+159.49 грн
10+ 128.21 грн
100+ 101.63 грн
500+ 82.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDPF12N50T FDPF12N50T ONSEMI FDPF12N50T-D.pdf Description: ONSEMI - FDPF12N50T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.5 A, 0.55 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 11.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 42
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 42
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.55
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
FDPF12N50UT FDPF12N50UT ONSEMI FDPF12N50UT-D.pdf Description: ONSEMI - FDPF12N50UT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 10 A, 0.65 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 10
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 42
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 42
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET Ultra FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.65
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
FDP3682 FDP3682 ONSEMI 2304459.pdf Description: ONSEMI - FDP3682 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.032 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 32
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 95
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 95
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
PCP1402-TD-H PCP1402-TD-H ONSEMI ENA2303-D.PDF Description: ONSEMI - PCP1402-TD-H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 1.2 A, 1.8 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 1.2
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 3.5
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.8
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NFAQ1560R43T NFAQ1560R43T ONSEMI 3213436.pdf Description: ONSEMI - NFAQ1560R43T - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 15 A, 2 kV, DIP, DIPIPM
tariffCode: 85423990
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: DIPIPM
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 2kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 15A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: DIP
Produktpalette: Compact IPM Series
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1382.99 грн
5+ 1326.7 грн
10+ 1270.41 грн
50+ 1088.2 грн
100+ 920.06 грн
250+ 901.97 грн
NFAQ0560R43T NFAQ0560R43T ONSEMI 3672847.pdf Description: ONSEMI - NFAQ0560R43T - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 10 A, 2 kV, Modul, DIPIPM
tariffCode: 85423990
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: DIPIPM
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 2kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 10A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: Modul
Produktpalette: PW Series
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+884.99 грн
10+ 755.21 грн
25+ 682.51 грн
100+ 566.97 грн
NFAQ0860L33T NFAQ0860L33T ONSEMI 3005733.pdf Description: ONSEMI - NFAQ0860L33T - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 8 A, 2 kV, DIP, DIPIPM
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
IPM-Baureihe: DIPIPM
Isolationsspannung: 2
Nennstrom (Ic/Id): 8
Nennspannung (Vces / Vdss): 600
Bauform - IPM: DIP
Produktpalette: Compact IPM Series
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1140.64 грн
5+ 1094.51 грн
10+ 1048.39 грн
50+ 899.45 грн
100+ 761.91 грн
NFAQ1560R43TL NFAQ1560R43TL ONSEMI 3213436.pdf Description: ONSEMI - NFAQ1560R43TL - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 15 A, 2 kV, DIP, DIPIPM
tariffCode: 85423990
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: DIPIPM
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 2kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 15A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: DIP
Produktpalette: Compact IPM Series
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+901.41 грн
5+ 831.83 грн
10+ 761.47 грн
50+ 683.85 грн
100+ 546.81 грн
250+ 476.45 грн
PN100A PN100A ONSEMI ONSM-S-A0003589371-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - PN100A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100
DC-Stromverstärkung hFE: 100
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 625
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
QSE114 QSE114 ONSEMI 2572443.pdf Description: ONSEMI - QSE114 - Fototransistor, 880 nm, 50 °, 100 mW, 2 Pin(s)
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Wellenlänge, typ.: 880nm
Stromverbrauch: 100mW
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Abstrahlwinkel: 50°
Bauform - Transistor: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+61.53 грн
20+ 39.56 грн
25+ 34.16 грн
50+ 26.72 грн
100+ 20.04 грн
500+ 19.03 грн
Мінімальне замовлення: 13
QSE113E3R0 ONSEMI 2572443.pdf Description: ONSEMI - QSE113E3R0 - Fototransistor, 880 nm, 50 °, 100 mW, 2 Pin(s)
Stromverbrauch: 100
Anzahl der Pins: 2
Abstrahlwinkel: 50
Bauform - Transistor: -
Wellenlänge, typ.: 880
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+75.68 грн
16+ 49.57 грн
100+ 32.44 грн
Мінімальне замовлення: 11
QSE113E3R0 ONSEMI 2572443.pdf Description: ONSEMI - QSE113E3R0 - Fototransistor, 880 nm, 50 °, 100 mW, 2 Pin(s)
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
QSE122 QSE122 ONSEMI QSE122-D.pdf Description: ONSEMI - QSE122 - Fototransistor, 880 nm, 25 °, 100 mW, 2 Pin(s), Side Looking
Stromverbrauch: 100
Anzahl der Pins: 2
Abstrahlwinkel: 25
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Transistor: Side Looking
Wellenlänge, typ.: 880
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
QSD2030 QSD2030 ONSEMI QSD2030-D.PDF Description: ONSEMI - QSD2030 - Fotodiode, 10nA, 880nm, 20°, -40°C bis 100°C, T-1 3/4 (5mm), 2 Pins
Winkel halber Empfindlichkeit ±: 20
Anzahl der Pins: 2
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Dunkelstrom: 0.01
Bauform - Diode: T-1 3/4 (5mm)
Betriebstemperatur, min.: -40
Wellenlänge bei Spitzensensitivität: 880
Betriebstemperatur, max.: 100
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
QSD123A4R0 QSD123A4R0 ONSEMI QSD123-D.PDF Description: ONSEMI - QSD123A4R0 - Fototransistor, 880 nm, 24 °, 100 mW, 2 Pin(s), T-1 3/4 (5mm)
Stromverbrauch: 100
Anzahl der Pins: 2
Abstrahlwinkel: 24
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Transistor: T-1 3/4 (5mm)
Wellenlänge, typ.: 880
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
QSE133 QSE133 ONSEMI QSE133-D.pdf Description: ONSEMI - QSE133 - Fototransistor, 880 nm, 25 °, 100 mW, 2 Pin(s), Side Looking
Stromverbrauch: 100
Anzahl der Pins: 2
Abstrahlwinkel: 25
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Transistor: Side Looking
Wellenlänge, typ.: 880
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
QSD124 QSD124 ONSEMI 1717172.pdf Description: ONSEMI - QSD124 - Fototransistor, 880 nm, 24 °, 100 mW, 2 Pin(s), T-1 3/4 (5mm)
tariffCode: 85414900
productTraceability: No
Stromverbrauch: 100mW
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Abstrahlwinkel: 24°
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wellenlänge, typ.: 880nm
usEccn: EAR99
на замовлення 5590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+62.86 грн
30+ 26.66 грн
250+ 26.42 грн
500+ 24.32 грн
1000+ 17.76 грн
2500+ 16.55 грн
5000+ 16.22 грн
Мінімальне замовлення: 13
QSD123 QSD123 ONSEMI 2287891.pdf Description: ONSEMI - QSD123 - Fototransistor, 880 nm, 24 °, 100 mW, 2 Pin(s), T-1 3/4 (5mm)
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Wellenlänge, typ.: 880nm
Stromverbrauch: 100mW
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Abstrahlwinkel: 24°
Bauform - Transistor: T-1 3/4 (5mm)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+61.53 грн
20+ 39.09 грн
25+ 33.85 грн
Мінімальне замовлення: 13
AR0522SRSC09SURA0-DP AR0522SRSC09SURA0-DP ONSEMI AR0522-D.PDF Description: ONSEMI - AR0522SRSC09SURA0-DP - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
AR0521SR2C09SURA0-DP1 AR0521SR2C09SURA0-DP1 ONSEMI AR0521-D.PDF Description: ONSEMI - AR0521SR2C09SURA0-DP1 - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
AR0522SRSC09SURA0-DR AR0522SRSC09SURA0-DR ONSEMI AR0522-D.PDF Description: ONSEMI - AR0522SRSC09SURA0-DR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
AR0521SR2C09SURA0-DR AR0521SR2C09SURA0-DR ONSEMI AR0521-D.PDF Description: ONSEMI - AR0521SR2C09SURA0-DR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
AR0521SR2C09SURA0-DR1 AR0521SR2C09SURA0-DR1 ONSEMI AR0521-D.PDF Description: ONSEMI - AR0521SR2C09SURA0-DR1 - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
AR0521SR2C09SURA0-DP AR0521SR2C09SURA0-DP ONSEMI AR0521-D.PDF Description: ONSEMI - AR0521SR2C09SURA0-DP - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NLV14082BDG NLV14082BDG ONSEMI MC14001B-D.PDF Description: ONSEMI - NLV14082BDG - Logik-IC, AND-Gatter, Zwei, 4 Inputs, 14 Pin(s), NSOIC, 4082
Logikfunktion: AND-Gatter
Logik-IC-Familie: 4000B
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: 4082
Versorgungsspannung, max.: 18
Anzahl der Eingänge: 4
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Zwei
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товар відсутній
NLV14082BDR2G NLV14082BDR2G ONSEMI MC14001B-D.PDF Description: ONSEMI - NLV14082BDR2G - Logik-IC, AND-Gatter, Zwei, 4 Inputs, 14 Pin(s), NSOIC, 4082
Logikfunktion: AND-Gatter
Logik-IC-Familie: 4000B
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: 4082
Versorgungsspannung, max.: 18
Anzahl der Eingänge: 4
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Zwei
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
FQPF17N40T FQPF17N40T ONSEMI FQPF17N40-D.pdf Description: ONSEMI - FQPF17N40T - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
S320 S320 ONSEMI s320-d.pdf Description: ONSEMI - S320 - Schottky-Gleichrichterdiode, 200 V, 3 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 900 mV
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 80A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 900mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: S320
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+71.22 грн
14+ 57.7 грн
100+ 37.6 грн
500+ 29.18 грн
1000+ 19.57 грн
Мінімальне замовлення: 11
BZX84C43LT1G BZX84C43LT1G ONSEMI 2236792.pdf Description: ONSEMI - BZX84C43LT1G - Zener-Diode, 43 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C
Zener-Spannung, nom.: 43
Verlustleistung: 225
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Diode: SOT-23
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 225
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NUD3124LT1G NUD3124LT1G ONSEMI 2337868.pdf Description: ONSEMI - NUD3124LT1G - Relaistreiber induktive Last 28V Drain/Source-Spannung, 12V Gate/Source-Spannung, 200mAout, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 200mA
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 28V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SZNUD3124LT1G SZNUD3124LT1G ONSEMI 2337868.pdf Description: ONSEMI - SZNUD3124LT1G - Relaistreiber induktive Last 28V Drain/Source-Spannung, 12V Gate/Source-Spannung, 200mAout, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 200mA
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: -V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+47.45 грн
21+ 38.46 грн
100+ 22.36 грн
Мінімальне замовлення: 17
FQP85N06 FQP85N06 ONSEMI 2304200.pdf Description: ONSEMI - FQP85N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 85 A, 0.01 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 85
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 160
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 160
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 1058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+226.72 грн
10+ 200.14 грн
100+ 166.52 грн
500+ 127.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
FOD2742B FOD2742B ONSEMI fod2742b-d.pdf description Description: ONSEMI - FOD2742B - Optokoppler, optisch isolierte Verstärker, 1 Kanal, SOIC, 8 Pin(s), 2.5 kV, 100 %, 50 kHz
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 100%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 2.5kV
euEccn: NLR
Bauform - Optokoppler: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 50kHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+124.31 грн
11+ 74.66 грн
25+ 66.92 грн
50+ 54.95 грн
100+ 44.09 грн
500+ 40.54 грн
Мінімальне замовлення: 7
QSD2030F QSD2030F ONSEMI 2287762.pdf Description: ONSEMI - QSD2030F - Photodiode, 20°, 10nA, 880nm, T-1 3/4 (5mm)
tariffCode: 85414900
Bauform - Diode: T-1 3/4 (5mm)
Winkel halber Empfindlichkeit ±: 20°
Dunkelstrom: 0.01µA
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Wellenlänge bei Spitzensensitivität: 880nm
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 100°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+57.38 грн
22+ 36.82 грн
25+ 32.13 грн
50+ 25.41 грн
100+ 19.43 грн
500+ 19.03 грн
Мінімальне замовлення: 14
FGA30T65SHD FGA30T65SHD ONSEMI ONSM-S-A0003590852-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FGA30T65SHD - IGBT, FS-Trench, 60 A, 1.6 V, 238 W, 650 V, TO-3PN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+336.17 грн
10+ 247.83 грн
100+ 194.67 грн
500+ 177.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQPF7N80C FQPF7N80C ONSEMI 2299854.pdf Description: ONSEMI - FQPF7N80C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6.6 A, 1.57 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 6.6
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 56
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 56
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.57
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.57
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товар відсутній
SSRD8620CTRG. SSRD8620CTRG. ONSEMI Description: ONSEMI - SSRD8620CTRG. - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 6 A, Zweifach, gemeinsame Anode, 1.3 V, 75 ns
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 45
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.3
Sperrverzögerungszeit: 75
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: SSRD8620CT
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товар відсутній
NC7WZ17L6X NC7WZ17L6X ONSEMI 2287996.pdf Description: ONSEMI - NC7WZ17L6X - Puffer, 1.65V bis 5.5V, MLP-6
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logik-IC-Familie: NC7W
Bauform - Logikbaustein: MLP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: -
Logikbaustein: Puffer, Schmitt-Trigger
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+49.88 грн
22+ 36.82 грн
100+ 24.86 грн
500+ 14.37 грн
Мінімальне замовлення: 16
NC7WZ17L6X NC7WZ17L6X ONSEMI 1725704.pdf Description: ONSEMI - NC7WZ17L6X - Puffer, 1.65V bis 5.5V, MLP-6
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.86 грн
500+ 14.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
NC7WZ17FHX NC7WZ17FHX ONSEMI NC7WZ17-D.PDF Description: ONSEMI - NC7WZ17FHX - BUFFERS & TRANSCEIVERS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
2SD1048-6-TB-E 2SD1048-6-TB-E ONSEMI ONSMS36980-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SD1048-6-TB-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 700 mA, 200 mW, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 700mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.3 грн
3000+ 4.09 грн
Мінімальне замовлення: 500
FCH041N65F-F155 FCH041N65F-F155 ONSEMI FCH041N65F-D.PDF Description: ONSEMI - FCH041N65F-F155 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товар відсутній
FCH47N60NF FCH47N60NF ONSEMI ONSM-S-A0012109438-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FCH47N60NF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 45.8 A, 0.0575 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 45.8
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 368
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 368
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0575
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0575
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+924.86 грн
5+ 870.14 грн
10+ 814.63 грн
FCH47N60N FCH47N60N ONSEMI ONSM-S-A0012400105-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FCH47N60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.0515 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 47
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 368
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 368
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0515
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0515
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
NCS20071SN2T1G NCS20071SN2T1G ONSEMI 2337856.pdf Description: ONSEMI - NCS20071SN2T1G - Operationsverstärker, Rail-to-Rail-Ausgang, 1 Kanäle, 3 MHz, 2.4 V/µs
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V, ± 1.35V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 2.4V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 1.3mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+58.24 грн
17+ 46.05 грн
100+ 27.36 грн
Мінімальне замовлення: 14
NCS333ASN2T1G NCS333ASN2T1G ONSEMI 2620005.pdf Description: ONSEMI - NCS333ASN2T1G - Operationsverstärker, RRIO, 1 Kanäle, 350 kHz, 0.15 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOT-23, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.15V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz
Eingangsoffsetspannung: 3.5µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 60pA
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 1116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+72.32 грн
13+ 60.67 грн
100+ 39.79 грн
500+ 22.72 грн
Мінімальне замовлення: 11
NCS20081SQ2T2G NCS20081SQ2T2G ONSEMI 2907099.pdf Description: ONSEMI - NCS20081SQ2T2G - Operationsverstärker, RRIO, 1 Verstärker, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SC-70, 5 Pin(s)
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SC-70
Betriebstemperatur, min.: -40
Spannungsanstieg: 0.4
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Bandbreite: 1.2
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der Verstärker: 1 Verstärker
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+48.47 грн
20+ 39.79 грн
100+ 30.18 грн
500+ 19.38 грн
Мінімальне замовлення: 17
NSVR0230P2T5G NSVR0230P2T5G ONSEMI NSR0230P2-D.PDF Description: ONSEMI - NSVR0230P2T5G - SCHOTTKY BARRIER DIODE, 200 MA, 30 V
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+12.51 грн
Мінімальне замовлення: 8000
FDH047AN08A0 FDH047AN08A0 ONSEMI FDH047AN08A0-D.PDF Description: ONSEMI - FDH047AN08A0 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
NVBG040N120SC1 NVBG040N120SC1 ONSEMI 3005762.pdf Description: ONSEMI - NVBG040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-263HV (D2PAK)
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 60
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 357
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 357
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Rds(on)-Prüfspannung: 20
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
NVBG040N120SC1 NVBG040N120SC1 ONSEMI 3005762.pdf Description: ONSEMI - NVBG040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-263HV (D2PAK)
Verlustleistung: 357
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
SURS8360BT3G. SURS8360BT3G. ONSEMI 1879303.pdf Description: ONSEMI - SURS8360BT3G. - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 3 A, 1.25 V, 75 ns, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: -
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 75ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FGA6065ADF FGA6065ADF-D.pdf
FGA6065ADF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGA6065ADF - FAST & ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERS
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
NTSV20100CTG ONSM-S-A0014594747-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTSV20100CTG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTSV20100CTG - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-220AB, 3 Pin(s), 980 mV
Bauform - Diode: TO-220AB
Durchlassstoßstrom: 100
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 980
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: NTSV2
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
SECO-NCV7685RGB-GEVB SECO-NCV7685RGB-GEVB_USER_MANUAL.PDF
SECO-NCV7685RGB-GEVB
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SECO-NCV7685RGB-GEVB - Demoboard, NCV7685, RGB-LED-Beleuchtungsanwendungen
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Beleuchtung
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Demoboard NCV7685
Prozessorhersteller: On Semiconductor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: LED-Treiber
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: NCV7685
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+10468.21 грн
NTD4970N-35G. NTD4970N-D.PDF
NTD4970N-35G.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD4970N-35G. - SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 30V 36A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
FDS6680AS description 2299502.pdf
FDS6680AS
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6680AS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.5 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NCV317BD2TR4G lm317-d.pdf
NCV317BD2TR4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV317BD2TR4G - Linearer Spannungsregler, einstellbar, 1.2V bis 37V/1.5Aout, TO-263-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: 1.2V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 37V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
Nennausgangsspannung: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Outputs
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+70.91 грн
14+ 59.26 грн
100+ 39.72 грн
Мінімальне замовлення: 12
BAT54ALT1G 1708234.pdf
BAT54ALT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAT54ALT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Anode, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 800mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT54
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 62988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
76+10.32 грн
111+ 7.07 грн
241+ 3.24 грн
500+ 2.95 грн
Мінімальне замовлення: 76
FDPF12N50NZ 2907321.pdf
FDPF12N50NZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF12N50NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.5 A, 0.46 ohm, TO-220F
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 11.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 42
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 42
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.46
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+159.49 грн
10+ 128.21 грн
100+ 101.63 грн
500+ 82.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDPF12N50T FDPF12N50T-D.pdf
FDPF12N50T
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF12N50T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.5 A, 0.55 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 11.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 42
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 42
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.55
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
FDPF12N50UT FDPF12N50UT-D.pdf
FDPF12N50UT
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF12N50UT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 10 A, 0.65 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 10
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 42
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 42
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET Ultra FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.65
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
FDP3682 2304459.pdf
FDP3682
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP3682 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.032 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 32
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 95
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 95
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
PCP1402-TD-H ENA2303-D.PDF
PCP1402-TD-H
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - PCP1402-TD-H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 1.2 A, 1.8 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 1.2
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 3.5
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.8
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NFAQ1560R43T 3213436.pdf
NFAQ1560R43T
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NFAQ1560R43T - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 15 A, 2 kV, DIP, DIPIPM
tariffCode: 85423990
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: DIPIPM
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 2kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 15A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: DIP
Produktpalette: Compact IPM Series
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1382.99 грн
5+ 1326.7 грн
10+ 1270.41 грн
50+ 1088.2 грн
100+ 920.06 грн
250+ 901.97 грн
NFAQ0560R43T 3672847.pdf
NFAQ0560R43T
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NFAQ0560R43T - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 10 A, 2 kV, Modul, DIPIPM
tariffCode: 85423990
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: DIPIPM
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 2kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 10A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: Modul
Produktpalette: PW Series
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+884.99 грн
10+ 755.21 грн
25+ 682.51 грн
100+ 566.97 грн
NFAQ0860L33T 3005733.pdf
NFAQ0860L33T
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NFAQ0860L33T - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 8 A, 2 kV, DIP, DIPIPM
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
IPM-Baureihe: DIPIPM
Isolationsspannung: 2
Nennstrom (Ic/Id): 8
Nennspannung (Vces / Vdss): 600
Bauform - IPM: DIP
Produktpalette: Compact IPM Series
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1140.64 грн
5+ 1094.51 грн
10+ 1048.39 грн
50+ 899.45 грн
100+ 761.91 грн
NFAQ1560R43TL 3213436.pdf
NFAQ1560R43TL
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NFAQ1560R43TL - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 15 A, 2 kV, DIP, DIPIPM
tariffCode: 85423990
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: DIPIPM
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 2kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 15A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: DIP
Produktpalette: Compact IPM Series
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+901.41 грн
5+ 831.83 грн
10+ 761.47 грн
50+ 683.85 грн
100+ 546.81 грн
250+ 476.45 грн
PN100A ONSM-S-A0003589371-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PN100A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - PN100A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100
DC-Stromverstärkung hFE: 100
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 625
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
QSE114 2572443.pdf
QSE114
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSE114 - Fototransistor, 880 nm, 50 °, 100 mW, 2 Pin(s)
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Wellenlänge, typ.: 880nm
Stromverbrauch: 100mW
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Abstrahlwinkel: 50°
Bauform - Transistor: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+61.53 грн
20+ 39.56 грн
25+ 34.16 грн
50+ 26.72 грн
100+ 20.04 грн
500+ 19.03 грн
Мінімальне замовлення: 13
QSE113E3R0 2572443.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSE113E3R0 - Fototransistor, 880 nm, 50 °, 100 mW, 2 Pin(s)
Stromverbrauch: 100
Anzahl der Pins: 2
Abstrahlwinkel: 50
Bauform - Transistor: -
Wellenlänge, typ.: 880
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+75.68 грн
16+ 49.57 грн
100+ 32.44 грн
Мінімальне замовлення: 11
QSE113E3R0 2572443.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSE113E3R0 - Fototransistor, 880 nm, 50 °, 100 mW, 2 Pin(s)
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+32.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
QSE122 QSE122-D.pdf
QSE122
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSE122 - Fototransistor, 880 nm, 25 °, 100 mW, 2 Pin(s), Side Looking
Stromverbrauch: 100
Anzahl der Pins: 2
Abstrahlwinkel: 25
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Transistor: Side Looking
Wellenlänge, typ.: 880
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
QSD2030 QSD2030-D.PDF
QSD2030
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSD2030 - Fotodiode, 10nA, 880nm, 20°, -40°C bis 100°C, T-1 3/4 (5mm), 2 Pins
Winkel halber Empfindlichkeit ±: 20
Anzahl der Pins: 2
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Dunkelstrom: 0.01
Bauform - Diode: T-1 3/4 (5mm)
Betriebstemperatur, min.: -40
Wellenlänge bei Spitzensensitivität: 880
Betriebstemperatur, max.: 100
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
QSD123A4R0 QSD123-D.PDF
QSD123A4R0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSD123A4R0 - Fototransistor, 880 nm, 24 °, 100 mW, 2 Pin(s), T-1 3/4 (5mm)
Stromverbrauch: 100
Anzahl der Pins: 2
Abstrahlwinkel: 24
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Transistor: T-1 3/4 (5mm)
Wellenlänge, typ.: 880
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
QSE133 QSE133-D.pdf
QSE133
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSE133 - Fototransistor, 880 nm, 25 °, 100 mW, 2 Pin(s), Side Looking
Stromverbrauch: 100
Anzahl der Pins: 2
Abstrahlwinkel: 25
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Transistor: Side Looking
Wellenlänge, typ.: 880
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
QSD124 1717172.pdf
QSD124
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSD124 - Fototransistor, 880 nm, 24 °, 100 mW, 2 Pin(s), T-1 3/4 (5mm)
tariffCode: 85414900
productTraceability: No
Stromverbrauch: 100mW
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Abstrahlwinkel: 24°
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wellenlänge, typ.: 880nm
usEccn: EAR99
на замовлення 5590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+62.86 грн
30+ 26.66 грн
250+ 26.42 грн
500+ 24.32 грн
1000+ 17.76 грн
2500+ 16.55 грн
5000+ 16.22 грн
Мінімальне замовлення: 13
QSD123 2287891.pdf
QSD123
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSD123 - Fototransistor, 880 nm, 24 °, 100 mW, 2 Pin(s), T-1 3/4 (5mm)
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Wellenlänge, typ.: 880nm
Stromverbrauch: 100mW
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Abstrahlwinkel: 24°
Bauform - Transistor: T-1 3/4 (5mm)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+61.53 грн
20+ 39.09 грн
25+ 33.85 грн
Мінімальне замовлення: 13
AR0522SRSC09SURA0-DP AR0522-D.PDF
AR0522SRSC09SURA0-DP
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0522SRSC09SURA0-DP - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
AR0521SR2C09SURA0-DP1 AR0521-D.PDF
AR0521SR2C09SURA0-DP1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0521SR2C09SURA0-DP1 - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
AR0522SRSC09SURA0-DR AR0522-D.PDF
AR0522SRSC09SURA0-DR
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0522SRSC09SURA0-DR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
AR0521SR2C09SURA0-DR AR0521-D.PDF
AR0521SR2C09SURA0-DR
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0521SR2C09SURA0-DR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
AR0521SR2C09SURA0-DR1 AR0521-D.PDF
AR0521SR2C09SURA0-DR1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0521SR2C09SURA0-DR1 - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
AR0521SR2C09SURA0-DP AR0521-D.PDF
AR0521SR2C09SURA0-DP
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0521SR2C09SURA0-DP - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NLV14082BDG MC14001B-D.PDF
NLV14082BDG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV14082BDG - Logik-IC, AND-Gatter, Zwei, 4 Inputs, 14 Pin(s), NSOIC, 4082
Logikfunktion: AND-Gatter
Logik-IC-Familie: 4000B
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: 4082
Versorgungsspannung, max.: 18
Anzahl der Eingänge: 4
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Zwei
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товар відсутній
NLV14082BDR2G MC14001B-D.PDF
NLV14082BDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV14082BDR2G - Logik-IC, AND-Gatter, Zwei, 4 Inputs, 14 Pin(s), NSOIC, 4082
Logikfunktion: AND-Gatter
Logik-IC-Familie: 4000B
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: 4082
Versorgungsspannung, max.: 18
Anzahl der Eingänge: 4
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Zwei
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
FQPF17N40T FQPF17N40-D.pdf
FQPF17N40T
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF17N40T - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
S320 s320-d.pdf
S320
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - S320 - Schottky-Gleichrichterdiode, 200 V, 3 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 900 mV
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 80A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 900mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: S320
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+71.22 грн
14+ 57.7 грн
100+ 37.6 грн
500+ 29.18 грн
1000+ 19.57 грн
Мінімальне замовлення: 11
BZX84C43LT1G 2236792.pdf
BZX84C43LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84C43LT1G - Zener-Diode, 43 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C
Zener-Spannung, nom.: 43
Verlustleistung: 225
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Diode: SOT-23
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 225
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NUD3124LT1G 2337868.pdf
NUD3124LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NUD3124LT1G - Relaistreiber induktive Last 28V Drain/Source-Spannung, 12V Gate/Source-Spannung, 200mAout, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 200mA
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 28V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SZNUD3124LT1G 2337868.pdf
SZNUD3124LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZNUD3124LT1G - Relaistreiber induktive Last 28V Drain/Source-Spannung, 12V Gate/Source-Spannung, 200mAout, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 200mA
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: -V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+47.45 грн
21+ 38.46 грн
100+ 22.36 грн
Мінімальне замовлення: 17
FQP85N06 2304200.pdf
FQP85N06
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP85N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 85 A, 0.01 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 85
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 160
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 160
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 1058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+226.72 грн
10+ 200.14 грн
100+ 166.52 грн
500+ 127.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
FOD2742B description fod2742b-d.pdf
FOD2742B
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD2742B - Optokoppler, optisch isolierte Verstärker, 1 Kanal, SOIC, 8 Pin(s), 2.5 kV, 100 %, 50 kHz
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 100%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 2.5kV
euEccn: NLR
Bauform - Optokoppler: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 50kHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+124.31 грн
11+ 74.66 грн
25+ 66.92 грн
50+ 54.95 грн
100+ 44.09 грн
500+ 40.54 грн
Мінімальне замовлення: 7
QSD2030F 2287762.pdf
QSD2030F
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSD2030F - Photodiode, 20°, 10nA, 880nm, T-1 3/4 (5mm)
tariffCode: 85414900
Bauform - Diode: T-1 3/4 (5mm)
Winkel halber Empfindlichkeit ±: 20°
Dunkelstrom: 0.01µA
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Wellenlänge bei Spitzensensitivität: 880nm
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 100°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+57.38 грн
22+ 36.82 грн
25+ 32.13 грн
50+ 25.41 грн
100+ 19.43 грн
500+ 19.03 грн
Мінімальне замовлення: 14
FGA30T65SHD ONSM-S-A0003590852-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FGA30T65SHD
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGA30T65SHD - IGBT, FS-Trench, 60 A, 1.6 V, 238 W, 650 V, TO-3PN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+336.17 грн
10+ 247.83 грн
100+ 194.67 грн
500+ 177.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQPF7N80C 2299854.pdf
FQPF7N80C
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF7N80C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6.6 A, 1.57 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 6.6
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 56
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 56
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.57
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.57
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товар відсутній
SSRD8620CTRG.
SSRD8620CTRG.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SSRD8620CTRG. - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 6 A, Zweifach, gemeinsame Anode, 1.3 V, 75 ns
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 45
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.3
Sperrverzögerungszeit: 75
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: SSRD8620CT
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товар відсутній
NC7WZ17L6X 2287996.pdf
NC7WZ17L6X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7WZ17L6X - Puffer, 1.65V bis 5.5V, MLP-6
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logik-IC-Familie: NC7W
Bauform - Logikbaustein: MLP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: -
Logikbaustein: Puffer, Schmitt-Trigger
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+49.88 грн
22+ 36.82 грн
100+ 24.86 грн
500+ 14.37 грн
Мінімальне замовлення: 16
NC7WZ17L6X 1725704.pdf
NC7WZ17L6X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7WZ17L6X - Puffer, 1.65V bis 5.5V, MLP-6
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+24.86 грн
500+ 14.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
NC7WZ17FHX NC7WZ17-D.PDF
NC7WZ17FHX
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7WZ17FHX - BUFFERS & TRANSCEIVERS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
2SD1048-6-TB-E ONSMS36980-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SD1048-6-TB-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1048-6-TB-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 700 mA, 200 mW, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 700mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+5.3 грн
3000+ 4.09 грн
Мінімальне замовлення: 500
FCH041N65F-F155 FCH041N65F-D.PDF
FCH041N65F-F155
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCH041N65F-F155 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товар відсутній
FCH47N60NF ONSM-S-A0012109438-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FCH47N60NF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCH47N60NF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 45.8 A, 0.0575 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 45.8
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 368
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 368
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0575
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0575
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+924.86 грн
5+ 870.14 грн
10+ 814.63 грн
FCH47N60N ONSM-S-A0012400105-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FCH47N60N
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCH47N60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.0515 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 47
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 368
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 368
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0515
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0515
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
NCS20071SN2T1G 2337856.pdf
NCS20071SN2T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS20071SN2T1G - Operationsverstärker, Rail-to-Rail-Ausgang, 1 Kanäle, 3 MHz, 2.4 V/µs
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V, ± 1.35V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 2.4V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 1.3mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+58.24 грн
17+ 46.05 грн
100+ 27.36 грн
Мінімальне замовлення: 14
NCS333ASN2T1G 2620005.pdf
NCS333ASN2T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS333ASN2T1G - Operationsverstärker, RRIO, 1 Kanäle, 350 kHz, 0.15 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOT-23, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.15V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz
Eingangsoffsetspannung: 3.5µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 60pA
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 1116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+72.32 грн
13+ 60.67 грн
100+ 39.79 грн
500+ 22.72 грн
Мінімальне замовлення: 11
NCS20081SQ2T2G 2907099.pdf
NCS20081SQ2T2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS20081SQ2T2G - Operationsverstärker, RRIO, 1 Verstärker, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SC-70, 5 Pin(s)
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SC-70
Betriebstemperatur, min.: -40
Spannungsanstieg: 0.4
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Bandbreite: 1.2
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der Verstärker: 1 Verstärker
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+48.47 грн
20+ 39.79 грн
100+ 30.18 грн
500+ 19.38 грн
Мінімальне замовлення: 17
NSVR0230P2T5G NSR0230P2-D.PDF
NSVR0230P2T5G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVR0230P2T5G - SCHOTTKY BARRIER DIODE, 200 MA, 30 V
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8000+12.51 грн
Мінімальне замовлення: 8000
FDH047AN08A0 FDH047AN08A0-D.PDF
FDH047AN08A0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDH047AN08A0 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
NVBG040N120SC1 3005762.pdf
NVBG040N120SC1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVBG040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-263HV (D2PAK)
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 60
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 357
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 357
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Rds(on)-Prüfspannung: 20
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
NVBG040N120SC1 3005762.pdf
NVBG040N120SC1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVBG040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-263HV (D2PAK)
Verlustleistung: 357
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
SURS8360BT3G. 1879303.pdf
SURS8360BT3G.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SURS8360BT3G. - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 3 A, 1.25 V, 75 ns, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: -
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 75ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 232 464 696 928 1160 1392 1624 1795 1796 1797 1798 1799 1800 1801 1802 1803 1804 1805 1856 2088 2320 2326  [ Наступна Сторінка >> ]