Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NJV4030PT1G
NJV4030PT1G

NJV4030PT1G ON Semiconductor

njt4030p-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+12.11 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NJV4030PT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NJV4030PT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 160MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції NJV4030PT1G за ціною від 9.55 грн до 33.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NJV4030PT1G NJV4030PT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013302113-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NJV4030PT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+18.68 грн
500+ 11.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
NJV4030PT1G NJV4030PT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013302113-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NJV4030PT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+32.68 грн
29+ 27.36 грн
100+ 18.68 грн
500+ 11.69 грн
Мінімальне замовлення: 24
NJV4030PT1G NJV4030PT1G Виробник : onsemi NJT4030P_D-2318087.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP SOT223 BIP PWR TRAN
на замовлення 33526 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+33.25 грн
12+ 27.49 грн
100+ 18.26 грн
500+ 14.77 грн
1000+ 10.8 грн
2000+ 9.9 грн
10000+ 9.55 грн
Мінімальне замовлення: 10
NJV4030PT1G NJV4030PT1G Виробник : ON Semiconductor NJT4030P-D.PDF Description: TRANS PNP 40V 3A SOT223
товар відсутній
NJV4030PT1G NJV4030PT1G Виробник : ON Semiconductor NJT4030P-D.PDF Description: TRANS PNP 40V 3A SOT223
товар відсутній
NJV4030PT1G NJV4030PT1G Виробник : onsemi njt4030p-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 3A SOT223
товар відсутній