![NJD35N04G NJD35N04G](https://download.siliconexpert.com/pdfs2/2019/7/28/17/38/58/573305/ons_/manual/fcd260n65s3.jpg)
NJD35N04G ON Semiconductor
на замовлення 606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 30.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NJD35N04G ON Semiconductor
Description: TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Darlington, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 20mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 50µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V, Frequency - Transition: 90MHz, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V, Power - Max: 45 W.
Інші пропозиції NJD35N04G за ціною від 27.25 грн до 81.31 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NJD35N04G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 20mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 90MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 45 W |
на замовлення 1029 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
NJD35N04G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 569 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
NJD35N04G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
NJD35N04G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |