Продукція > NDS

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NDS
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS-01JFutureDescription: DIGITAL CODE ROTARY SWITCH, BINA
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NDS-01J-CSFutureDescription: DIGITAL CODE ROTARY SWITCH, BINA
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NDS-01VDIPTRONICSdip-switch slide, 1 contact, red color, operating life 2000 cycles, height 7.05mm NDS-01V DIPTRONICS PRZ NDS-01V
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 120 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
40+16.19 грн
Мінімальне замовлення: 40
NDS-01VDiptronicsDIP Switches / SIP Switches Dip switch Slide Type
на замовлення 1759 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NDS-02JFutureDescription: DIGITAL CODE ROTARY SWITCH, COMP
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NDS-02J-CBFutureDescription: DIGITAL CODE ROTARY SWITCH, COMP
Features: IP65 - Dust Tight, Water Resistant
Packaging: Box
Contact Finish: Gold
Current Rating (Amps): 50mA (AC), 250mA (DC)
Mounting Type: Panel Mount
Number of Positions: 24
Termination Style: Connector
Actuator Length: 18.50mm
Actuator Type: Knob
Angle of Throw: 15°
Number of Decks: 1
Number of Poles per Deck: 1
Circuit per Deck: BCD Complement
Contact Timing: Not Specified
Index Stops: Continuous
Depth Behind Panel: 19.00mm
Part Status: Active
Voltage Rating - AC: 50 V
Voltage Rating - DC: 5 V
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9405 грн
NDS-02J-CSFutureDescription: DIGITAL CODE ROTARY SWITCH, COMP
Packaging: Box
Features: IP65 - Dust Tight, Water Resistant
Contact Finish: Gold
Current Rating (Amps): 50mA (AC), 250mA (DC)
Mounting Type: Panel Mount
Number of Positions: 24
Termination Style: Connector
Actuator Length: 18.50mm
Actuator Type: Knob
Angle of Throw: 15°
Number of Decks: 1
Number of Poles per Deck: 1
Circuit per Deck: BCD Complement
Contact Timing: Not Specified
Index Stops: Continuous
Depth Behind Panel: 19.00mm
Part Status: Active
Voltage Rating - AC: 50 V
Voltage Rating - DC: 5 V
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9405 грн
NDS-02VDiptronicsDIP Switches/SIP Switches SLIDE ACT 2 POS
на замовлення 1583 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+118.34 грн
50+ 99.99 грн
72+ 73.18 грн
504+ 69.41 грн
1008+ 63.9 грн
2016+ 56.51 грн
5040+ 50.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
NDS-03VDIPTRONICSdip-switch slide, 3 contact, red color, operating life 2000 cycles, height 7.05mm NDS-03V DIPTRONICS PRZ NDS-03V
кількість в упаковці: 51 шт
на замовлення 92 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
51+21.99 грн
Мінімальне замовлення: 51
NDS-03VDiptronicsDIP Switches/SIP Switches Dip switch Slide Type
на замовлення 606 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+135.25 грн
51+ 110.82 грн
102+ 87.67 грн
510+ 79.7 грн
1020+ 72.45 грн
2040+ 64.92 грн
5049+ 58.4 грн
Мінімальне замовлення: 3
NDS-04-VApemDIP Switches/SIP Switches Raised actuator standard dip 4 pos.
на замовлення 2841 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NDS-04VDIPTRONICSdip-switch slide, 1 contact, red color, operating life 2000 cycles, height 7.05mm NDS-04V DIPTRONICS PRZ NDS-04V
кількість в упаковці: 40 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
40+27.16 грн
Мінімальне замовлення: 40
NDS-04VApem ComponentsSwitch DIP OFF ON SPST 4 Raised Slide 0.025A 24VDC PC Pins 2.54mm Thru-Hole
на замовлення 8225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NDS-04VDiptronicsDIP Switches/SIP Switches SLIDE ACT 4 POS
на замовлення 1511 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+124.26 грн
40+ 102.49 грн
120+ 80.42 грн
520+ 73.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
NDS-05VApem ComponentsSwitch DIP OFF ON SPST 5 Raised Slide 0.025A 24VDC PC Pins 2.54mm Thru-Hole Tube
товар відсутній
NDS-05VDiptronicsDIP Switches/SIP Switches Dip switch Slide Type
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+161.45 грн
50+ 131.65 грн
96+ 104.33 грн
512+ 94.91 грн
1024+ 86.94 грн
2016+ 77.53 грн
5024+ 69.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
NDS-06VDiptronicsDIP Switches/SIP Switches SLIDE ACT 6 POS
на замовлення 316 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.93 грн
54+ 121.65 грн
108+ 95.64 грн
513+ 86.94 грн
1026+ 80.42 грн
2025+ 70.79 грн
5022+ 64.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
NDS-06VDIPTRONICSdip-switch slide, 1 contact, red color, operating life 2000 cycles, height 7.05mm NDS-06V DIPTRONICS PRZ NDS-06V
кількість в упаковці: 27 шт
на замовлення 156 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
27+24.58 грн
Мінімальне замовлення: 27
NDS-06VAPEM ComponentsThrough Board Standard Profile Dual In Line Switch, 6 Way, Gold Plated
на замовлення 1225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+213.01 грн
116+ 106.51 грн
Мінімальне замовлення: 58
NDS-06VApem ComponentsThrough Board Standard Profile Dual In Line Switch, 6 Way, Gold Plated
товар відсутній
NDS-07VDiptronicsDIP Switches/SIP Switches Dip switch Slide Type
на замовлення 1406 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+183.43 грн
48+ 149.98 грн
120+ 118.82 грн
504+ 107.96 грн
1008+ 99.26 грн
2016+ 87.67 грн
5016+ 78.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
NDS-08VDiptronicsDIP Switches/SIP Switches SLIDE ACT 8 POS
на замовлення 924 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+164.83 грн
42+ 135.81 грн
105+ 107.23 грн
504+ 97.81 грн
1008+ 89.84 грн
2016+ 79.7 грн
5019+ 71.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
NDS-09VDiptronicsDIP Switches / SIP Switches Dip switch Slide Type
товар відсутній
NDS-10VDiptronicsDIP Switches/SIP Switches Dip switch Slide Type
на замовлення 852 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+229.92 грн
51+ 189.14 грн
102+ 149.25 грн
510+ 135.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
NDS-10VDIPTRONICSdip-switch slide, 1 contact, red color, operating life 2000 cycles, height 7.05mm NDS-10V DIPTRONICS PRZ NDS-10V
кількість в упаковці: 17 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
17+46.94 грн
Мінімальне замовлення: 17
NDS-11LittelfuseRelay Sockets & Fixings DIN11-PINSOCKET
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1333.87 грн
NDS-11Littelfuse Inc.Description: RELAY SOCKET 11 POS DIN RAIL
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NDS-12VDiptronicsDIP Switches/SIP Switches Dip switch Slide Type
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+274.72 грн
56+ 225.8 грн
112+ 178.24 грн
504+ 161.57 грн
1008+ 149.25 грн
2002+ 131.14 грн
5012+ 118.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
NDS-8LittelfuseRelay Sockets Screw Clamp 10A 600VAC DIN Rail/Surface Mount
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+791.04 грн
10+ 742.35 грн
25+ 628.54 грн
NDS-8LittelfuseRelay Sockets & Fixings PIN8-PINSOCKET
на замовлення 15 шт:
термін постачання 49-58 дні (днів)
1+922.21 грн
10+ 845.71 грн
25+ 653.53 грн
100+ 644.83 грн
NDS-8Littelfuse Inc.Description: RELAY SOCKET 8 POSITION DIN RAIL
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Multiple Series
Mounting Type: DIN Rail
Number of Positions: 8
Type: Socket
Termination Style: Screw Terminal
на замовлення 549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+765.72 грн
10+ 691.4 грн
25+ 614.59 грн
50+ 547.92 грн
100+ 519.1 грн
250+ 461.41 грн
500+ 425.48 грн
NDS-8LittelfuseRelay Sockets Screw Clamp 10A 600VAC DIN Rail/Surface Mount
товар відсутній
NDS-8LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - NDS-8 - RELAY SOCKET, 10A, 300V, DIN RAIL/PANEL
tariffCode: 85366990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Nennstrom: 10A
Nennspannung: 300VAC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Anschlussklemmen: Screw
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
Sockelmontage: DIN Rail, Panel
usEccn: EAR99
Produktpalette: NDS Series
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+988.34 грн
NDS-8LittelfuseRelay Sockets Screw Clamp 10A 600VAC DIN Rail/Surface Mount
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+851.89 грн
Мінімальне замовлення: 15
NDS-SETGreenlee CommunicationsDescription: NUT DRIVER SET HEX SOCKET 3PC
товар відсутній
NDS0001B-LFBGA
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS0001B-LF
на замовлення 317 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS0001B-LF06+
на замовлення 317 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS0001E-LFPb
на замовлення 131 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS0002B-LF
на замовлення 108 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS01VApemDIP Switches / SIP Switches Standard DIP Switch
товар відсутній
NDS02VAPEMDescription: APEM - NDS02V - DIP SWITCH, 2POS, SPST-NO, SLIDE, TH
tariffCode: 85365019
Schaltermontage: Through Hole
productTraceability: No
Schaltertyp: DIP
rohsCompliant: YES
Kontaktkonfiguration: SPST-NO
euEccn: NLR
Anzahl der Schaltkreise: 2Schaltkreis(e)
hazardous: false
DC-Kontaktspannung, max.: 50V
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
DC-Kontaktstrom, max.: 100mA
usEccn: EAR99
Schalterbetätiger: Slide
Produktpalette: NDS Series
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+121.1 грн
10+ 115.41 грн
25+ 109.72 грн
50+ 96.6 грн
100+ 84.99 грн
Мінімальне замовлення: 7
NDS02VApemDIP Switches/SIP Switches Raised actuator standard dip 2 pos.
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+110.73 грн
10+ 104.98 грн
72+ 76.8 грн
288+ 70.79 грн
504+ 65.86 грн
1008+ 58.11 грн
2520+ 54.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
NDS02ZG-M6Bel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters CONV DC-DC 48V IN 5V OUT 10W
товар відсутній
NDS02ZG-M6Bel Power SolutionsDescription: USE NDS02ZG-M6G
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NDS02ZG-M6GBel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters 10W 5Vout 2A 36-75Vin 0.35A
товар відсутній
NDS03TVApemDIP Switches/SIP Switches DIP SWITCH ND STANDARD
на замовлення 618 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+117.5 грн
10+ 111.65 грн
100+ 76.8 грн
250+ 69.41 грн
500+ 64.99 грн
1000+ 60.14 грн
2500+ 54.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
NDS03VAPEMDescription: APEM - NDS03V - DIP SWITCH, 3POS, SPST-NO, SLIDE, TH
tariffCode: 85365019
Schaltermontage: Through Hole
productTraceability: No
Schaltertyp: DIP
rohsCompliant: YES
Kontaktkonfiguration: SPST-NO
euEccn: NLR
Anzahl der Schaltkreise: 3Schaltkreis(e)
hazardous: false
DC-Kontaktspannung, max.: 50V
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
DC-Kontaktstrom, max.: 100mA
usEccn: EAR99
Schalterbetätiger: Slide
Produktpalette: NDS Series
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
на замовлення 767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+125.98 грн
10+ 99.16 грн
25+ 97.53 грн
50+ 88.3 грн
100+ 80.12 грн
250+ 78.03 грн
Мінімальне замовлення: 7
NDS03VApemDIP Switches/SIP Switches DIP SWITCH ND STANDARD
на замовлення 1433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+114.96 грн
10+ 97.49 грн
102+ 76.08 грн
255+ 68.76 грн
510+ 66.08 грн
1020+ 58.18 грн
5049+ 56.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
NDS03ZD-M6Bel Power SolutionsDescription: CONV DC-DC 48V IN 2.5V OUT 10W
товар відсутній
NDS03ZE-M6POWERONEMODULE 00+
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS03ZE-M6Bel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters CONV DC-DC 48V IN 3.3V OUT 10W
товар відсутній
NDS03ZE-M6Bel Power SolutionsDescription: CONV DC-DC 48V IN 3.3V OUT 10W
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NDS04VAPEMDescription: APEM - NDS04V - DIP SWITCH, 4POS, SPST-NO, SLIDE, TH
tariffCode: 85365019
Schaltermontage: Through Hole
productTraceability: No
Schaltertyp: DIP
rohsCompliant: YES
Kontaktkonfiguration: SPST-NO
euEccn: NLR
Anzahl der Schaltkreise: 4Schaltkreis(e)
hazardous: false
DC-Kontaktspannung, max.: 50V
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
DC-Kontaktstrom, max.: 100mA
usEccn: EAR99
Schalterbetätiger: Slide
Produktpalette: NDS Series
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NDS0510
на замовлення 5171 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS05TVApemDIP Switches/SIP Switches DIP SWITCH ND STANDARD
товар відсутній
NDS05VApemDIP Switches/SIP Switches DIP SWITCH ND STANDARD
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.71 грн
10+ 116.65 грн
25+ 95.64 грн
50+ 91.29 грн
96+ 86.94 грн
256+ 82.6 грн
512+ 78.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
NDS0601-NL
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS0605onsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 180MA SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 79 pF @ 25 V
на замовлення 25839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.59 грн
26+ 11.62 грн
100+ 7.26 грн
500+ 5.02 грн
1000+ 4.44 грн
Мінімальне замовлення: 16
NDS0605ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+2.59 грн
30000+ 2.45 грн
Мінімальне замовлення: 15000
NDS0605ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NDS0605ONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.18A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.18A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4494 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+24.38 грн
17+ 17.21 грн
25+ 12.9 грн
100+ 8.38 грн
266+ 3.98 грн
731+ 3.76 грн
6000+ 3.64 грн
Мінімальне замовлення: 12
NDS0605ONSEMIDescription: ONSEMI - NDS0605 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 180 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 43668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+20.16 грн
57+ 14.3 грн
100+ 8.45 грн
500+ 5.06 грн
1500+ 4.58 грн
Мінімальне замовлення: 41
NDS0605ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NDS0605onsemi / FairchildMOSFETs P-Channel FET Enhancement Mode
на замовлення 16737 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+21.98 грн
25+ 13.33 грн
100+ 5.29 грн
1000+ 4.64 грн
3000+ 3.48 грн
9000+ 2.9 грн
24000+ 2.75 грн
Мінімальне замовлення: 16
NDS0605ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3481+3.53 грн
Мінімальне замовлення: 3481
NDS0605onsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 180MA SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 79 pF @ 25 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.09 грн
6000+ 3.54 грн
9000+ 3.33 грн
15000+ 2.91 грн
21000+ 2.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NDS0605ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.12 грн
24000+ 3.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NDS0605ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NDS0605ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NDS0605ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3659+3.36 грн
24000+ 3.24 грн
Мінімальне замовлення: 3659
NDS0605ONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.18A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.18A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 4494 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+20.32 грн
28+ 13.81 грн
36+ 10.75 грн
100+ 6.98 грн
266+ 3.31 грн
731+ 3.13 грн
Мінімальне замовлення: 20
NDS0605ONSEMIDescription: ONSEMI - NDS0605 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 180 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 44639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+7.47 грн
Мінімальне замовлення: 500
NDS0605ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.74 грн
12000+ 4.33 грн
24000+ 4.02 грн
36000+ 3.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NDS0605(605)
на замовлення 812 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS0605-F169onsemiDescription: MOSFET P-CH 60V SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 79 pF @ 25 V
товар відсутній
NDS0605-F169ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NDS0605-NLFAI09+
на замовлення 500018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS0605/65D
на замовлення 1593 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS0605_Qonsemi / FairchildMOSFET
товар відсутній
NDS0610ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NDS0610ON-SemicoductorTransistor P-MOSFET; 60V; 20V; 20Ohm; 120mA; 360mW; -55°C~150°C; Substitute: NDS0610-G; NDS0610 TNDS0610
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 405 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.51 грн
Мінімальне замовлення: 200
NDS0610onsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 120MA SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 79 pF @ 25 V
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.02 грн
6000+ 7.02 грн
9000+ 6.66 грн
15000+ 5.88 грн
21000+ 5.65 грн
30000+ 5.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NDS0610ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+32.43 грн
26+ 23.61 грн
100+ 16.38 грн
500+ 12.75 грн
1000+ 8.91 грн
Мінімальне замовлення: 19
NDS0610ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NDS0610ONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.12A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -120mA
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3147 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+26.82 грн
21+ 18.64 грн
26+ 15.02 грн
28+ 13.58 грн
100+ 10.79 грн
111+ 8 грн
304+ 7.55 грн
3000+ 7.25 грн
Мінімальне замовлення: 16
NDS0610ON-SemicoductorTransistor P-MOSFET; 60V; 20V; 20Ohm; 120mA; 360mW; -55°C~150°C; Substitute: NDS0610-G; NDS0610 TNDS0610
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+5.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
NDS0610ONSEMIDescription: ONSEMI - NDS0610 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 120 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 120
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 300
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.7
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 17209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+33.08 грн
31+ 26.5 грн
100+ 12.84 грн
500+ 5.24 грн
3000+ 4.74 грн
9000+ 4.64 грн
Мінімальне замовлення: 25
NDS0610ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NDS0610ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3119+3.94 грн
9000+ 3.79 грн
12000+ 3.74 грн
Мінімальне замовлення: 3119
NDS0610onsemi / FairchildMOSFETs P-Channel FET Enhancement Mode
на замовлення 42252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.08 грн
16+ 21.91 грн
100+ 10.65 грн
1000+ 7.25 грн
3000+ 6.3 грн
9000+ 5.72 грн
24000+ 5.58 грн
Мінімальне замовлення: 12
NDS0610ONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.12A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -120mA
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3147 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+32.19 грн
13+ 23.23 грн
16+ 18.02 грн
25+ 16.3 грн
100+ 12.95 грн
111+ 9.6 грн
304+ 9.06 грн
Мінімальне замовлення: 10
NDS0610ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 522000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3119+3.94 грн
9000+ 3.79 грн
12000+ 3.74 грн
30000+ 3.49 грн
45000+ 3.13 грн
Мінімальне замовлення: 3119
NDS0610ON-SemicoductorTransistor P-MOSFET; 60V; 20V; 20Ohm; 120mA; 360mW; -55°C~150°C; Substitute: NDS0610-G; NDS0610 TNDS0610
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.51 грн
Мінімальне замовлення: 200
NDS0610onsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 120MA SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 79 pF @ 25 V
на замовлення 45044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.05 грн
15+ 21.43 грн
100+ 13.6 грн
500+ 9.59 грн
1000+ 8.56 грн
Мінімальне замовлення: 9
NDS0610ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.71 грн
6000+ 3.68 грн
12000+ 3.46 грн
15000+ 3.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NDS0610ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+28.15 грн
32+ 19.41 грн
72+ 8.53 грн
73+ 8.14 грн
100+ 7.46 грн
250+ 7.09 грн
Мінімальне замовлення: 22
NDS0610ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 123
NDS0610
Код товару: 91972		Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній
NDS0610 SOT23-610FAIRCHILD
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS0610(610)
на замовлення 7425 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS0610(M5-49)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS0610-GonsemiMOSFET FET -60V 10 OHM
на замовлення 66173 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.58 грн
100+ 15.94 грн
1000+ 4.78 грн
3000+ 4.06 грн
9000+ 3.7 грн
24000+ 3.48 грн
Мінімальне замовлення: 11
NDS0610-GonsemiDescription: FET -60V 10.0 MOHM SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 79 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NDS0610-GON SemiconductorP-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
товар відсутній
NDS0610-GonsemiDescription: FET -60V 10.0 MOHM SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 79 pF @ 25 V
на замовлення 4660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.3 грн
22+ 13.96 грн
100+ 8.75 грн
500+ 6.08 грн
1000+ 5.39 грн
Мінімальне замовлення: 13
NDS0610-GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NDS0610-NLFAIRCHILDSOT-23
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS0610-PGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V SOT-23
товар відсутній
NDS0610/G10FAIRCHILD
на замовлення 2991 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS0610SOT23-610FAIRCHLD
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS0610_NLonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 120MA SOT23-3
товар відсутній
NDS0610_NL
на замовлення 1428 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS06TVApemDIP Switches/SIP Switches Standard DIP Switch
товар відсутній
NDS06VApemDIP Switches/SIP Switches DIP SWITCH ND STANDARD
на замовлення 793 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.54 грн
10+ 117.48 грн
108+ 96.36 грн
270+ 92.02 грн
513+ 70.06 грн
1026+ 68.03 грн
2511+ 66.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
NDS07TVApemDIP Switches / SIP Switches DIP SWITCH ND STANDARD
товар відсутній
NDS07VApemDIP Switches/SIP Switches DIP SWITCH ND STANDARD
товар відсутній
NDS08RSP-006N/ASOP-8
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS08TVApemDIP Switches/SIP Switches 8Pos 24mA 24VDC Raised Act Sealed
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+174.13 грн
10+ 148.31 грн
105+ 105.78 грн
252+ 97.09 грн
504+ 91.29 грн
1008+ 86.22 грн
2520+ 78.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
NDS08VApemDIP Switches/SIP Switches 25mA 24VDC 8Pos 10N SPST, UL94-V0
на замовлення 1742 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+175.82 грн
10+ 130.81 грн
105+ 107.23 грн
2520+ 85.49 грн
5019+ 81.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
NDS08VAPEM Inc.Description: DIP SWITCH ND STANDARD
Packaging: Bulk
Contact Finish: Gold
Voltage Rating: 24VDC
Current Rating (Amps): 25mA
Mounting Type: Through Hole
Pitch: 0.100" (2.54mm), Full
Circuit: SPST
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: PC Pin
Actuator Type: Slide (Standard)
Height Above Board: 0.277" (7.05mm)
Actuator Level: Raised
Washable: No
Number of Positions: 8
товар відсутній
NDS08VAPEMDescription: APEM - NDS08V - DIP SW, SPST, 0.025, 24VDC, TH
tariffCode: 85365019
Schaltermontage: Through Hole
productTraceability: No
Schaltertyp: DIP
rohsCompliant: YES
Kontaktkonfiguration: SPST
euEccn: NLR
Anzahl der Schaltkreise: 8Circuits
hazardous: false
DC-Kontaktspannung, max.: 24VDC
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
DC-Kontaktstrom, max.: 25mA
usEccn: EAR99
Schalterbetätiger: Raised Slide
Produktpalette: NDS Series
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
на замовлення 548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+186.94 грн
10+ 143.05 грн
25+ 136.55 грн
50+ 122.26 грн
100+ 108.68 грн
250+ 104.5 грн
Мінімальне замовлення: 5
NDS09TVApemDIP Switches / SIP Switches Standard DIP Switch
товар відсутній
NDS09VIDECNDS09V-IDE Dip-Switches
товар відсутній
NDS09VApemDIP Switches / SIP Switches Standard DIP Switch
товар відсутній
NDS100-004-BFYamaichi ElectronicsBoard to Board & Mezzanine Connectors 100P/ Bellows Rec/ Conn
товар відсутній
NDS10TVApemDIP Switches/SIP Switches 10POS SPST DIP SWTCH 0.05A 24V
товар відсутній
NDS1105DALLAS04+ SOP
на замовлення 159 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS12TVApemDIP Switches/SIP Switches Standard DIP Switch
товар відсутній
NDS12VApemDIP Switches/SIP Switches 5mA 24V 12POS SPST Raised Act
на замовлення 351 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+211.32 грн
10+ 164.98 грн
28+ 142.01 грн
56+ 141.28 грн
112+ 116.65 грн
252+ 111.58 грн
504+ 108.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
NDS13
на замовлення 10997 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS256AP
на замовлення 2957 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS3201AAmphenolAmphenol
товар відсутній
NDS327AN-NL
на замовлення 240000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS331NAS331/23 BD
на замовлення 595 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS331NONSEMIDescription: ONSEMI - NDS331N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.11 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.46 грн
9000+ 10.24 грн
24000+ 10.16 грн
45000+ 9.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NDS331NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NDS331NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NDS331NONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.3A; 0.5/0.46W; SOT23
Gate charge: 3.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.3A
On-state resistance: 210/160mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5/0.46W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NDS331Nonsemi / FairchildMOSFETs N-Ch LL FET Enhancement Mode
на замовлення 281278 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.57 грн
13+ 26.83 грн
100+ 16.88 грн
500+ 13.69 грн
1000+ 11.09 грн
3000+ 9.35 грн
9000+ 8.69 грн
Мінімальне замовлення: 10
NDS331NonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 162 pF @ 10 V
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.28 грн
6000+ 9.94 грн
9000+ 9.47 грн
15000+ 8.39 грн
21000+ 8.09 грн
30000+ 7.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NDS331NFairchildN-MOSFET 20V 1.3A 160mΩ 460mW NDS331N Fairchild TNDS331n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+11.24 грн
Мінімальне замовлення: 50
NDS331NONSEMIDescription: ONSEMI - NDS331N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.11 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 116450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+40.56 грн
25+ 32.51 грн
100+ 21.86 грн
500+ 16 грн
Мінімальне замовлення: 21
NDS331NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NDS331NONSEMIDescription: ONSEMI - NDS331N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.11 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 116450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.86 грн
500+ 16 грн
Мінімальне замовлення: 100
NDS331NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NDS331NOn Semiconductor/FairchildMOSFET N-CH 20V 1.3A SSOT3
на замовлення 2 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
NDS331NONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.3A; 0.5/0.46W; SOT23
Gate charge: 3.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.3A
On-state resistance: 210/160mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5/0.46W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
товар відсутній
NDS331NonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 162 pF @ 10 V
на замовлення 120299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.59 грн
11+ 28.98 грн
100+ 18.6 грн
500+ 13.27 грн
1000+ 11.92 грн
Мінімальне замовлення: 7
NDS331N(331*)
на замовлення 742 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS331N-D87ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.3A T/R
товар відсутній
NDS331N-EVEVVODescription: MOSFET N-CH 20V 1.3A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 10 V
товар відсутній
NDS331N-EVEVVODescription: MOSFET N-CH 20V 1.3A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NDS331N-NLFAIRCHILD11+ROHS SOT-23
на замовлення 69312 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS331N-NL-MLMOSLEADERDescription: N-Channel 20V 1.3A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.46 грн
1000+ 2.32 грн
3000+ 2.16 грн
6000+ 1.99 грн
15000+ 1.93 грн
30000+ 1.85 грн
75000+ 1.7 грн
150000+ 1.53 грн
Мінімальне замовлення: 200
NDS331N-Q
на замовлення 7472 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS331N/FSCFSC08+;
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS331N_D87ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 162 pF @ 10 V
товар відсутній
NDS331N_NL
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS331N_Qonsemi / FairchildMOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode
товар відсутній
NDS332
на замовлення 306000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS332PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NDS332PFairchildTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 740mOhm; 1A; 500mW; -55°C ~ 150°C; NDS332P TNDS332p
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.54 грн
Мінімальне замовлення: 200
NDS332PONSEMIDescription: ONSEMI - NDS332P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.3 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 1
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: -
Verlustleistung Pd: 500
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 600
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 12974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+43.81 грн
23+ 36.17 грн
100+ 24.22 грн
500+ 13.74 грн
3000+ 12.4 грн
9000+ 12.19 грн
Мінімальне замовлення: 19
NDS332PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NDS332PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 619 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+26.01 грн
19+ 19.92 грн
25+ 16.75 грн
69+ 12.91 грн
188+ 12.15 грн
Мінімальне замовлення: 16
NDS332PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 10 V
на замовлення 91000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.96 грн
6000+ 10.02 грн
9000+ 9.3 грн
30000+ 8.53 грн
75000+ 8.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NDS332Ponsemi / FairchildMOSFETs SOT-23 P-CH LOGIC
на замовлення 24401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+36.18 грн
11+ 30.58 грн
100+ 18.55 грн
500+ 14.49 грн
1000+ 11.81 грн
3000+ 9.93 грн
9000+ 9.2 грн
Мінімальне замовлення: 10
NDS332PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NDS332PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 619 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+31.21 грн
12+ 24.83 грн
25+ 20.11 грн
69+ 15.49 грн
188+ 14.58 грн
1000+ 14.04 грн
Мінімальне замовлення: 10
NDS332PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NDS332PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NDS332PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 10 V
на замовлення 92427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.13 грн
12+ 26.79 грн
100+ 18.6 грн
500+ 13.63 грн
1000+ 11.08 грн
Мінімальне замовлення: 10
NDS332PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NDS332P SOT23-332FAIRCHILD
на замовлення 1665 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS332P SOT23-332FAIRCHILD
на замовлення 4805 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS332P(332*)
на замовлення 575 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS332P-D87ZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SuperSOT T/R
товар відсутній
NDS332P-NLFAIRCHILD11+ROHS SOT-23
на замовлення 69426 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS332P-NL-MLMOSLEADERDescription: P-Channel -20V -1A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.46 грн
1000+ 2.32 грн
3000+ 2.16 грн
6000+ 1.99 грн
15000+ 1.93 грн
30000+ 1.85 грн
75000+ 1.7 грн
150000+ 1.53 грн
Мінімальне замовлення: 200
NDS332P/332FAIR
на замовлення 3151 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS332P/FSCFSC08+;
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS332PNL
на замовлення 1395 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS332PSOT23-332FAIRCHLD
на замовлення 7844 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS332P\332FAIRCHILSOT-23
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS332P_NLFairchild
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS332P_Qonsemi / FairchildMOSFET SOT-23 P-CH LOGIC
товар відсутній
NDS335
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS335ANFAIRCHIL
на замовлення 18600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS335NFAIRCHILDSOT23
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS335NFAIRCHILD
на замовлення 141000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS335N
Код товару: 135240		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
NDS335NONSOT-23
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS335NFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 10 V
на замовлення 78056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1665+12.67 грн
Мінімальне замовлення: 1665
NDS335Nonsemi / FairchildMOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode
товар відсутній
NDS335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SuperSOT T/R
товар відсутній
NDS335NFAIRCSOT-23
на замовлення 86200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS335N(335)
на замовлення 30145 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS335N-NLFAIRCHILD11+ SOT-23
на замовлення 116331 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS335N/335FAIR
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS335N/335NFAIR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS335N\335FAIRCHILSOT-23
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS335N_Qonsemi / FairchildMOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode
товар відсутній
NDS336
на замовлення 3208 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS336PFAIRCHILD09+
на замовлення 1868 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS336PFAIRCHILDSOT23-336
на замовлення 2939 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS336PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.2A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 10 V
товар відсутній
NDS336PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.2A 3-Pin SuperSOT T/R
товар відсутній
NDS336PFAIRCHILD
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS336PFAIRCHILDSOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS336PN/ASOT-6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS336PFAI
на замовлення 9100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS336PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.2A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 10 V
товар відсутній
NDS336P SOT23-336FAIRCHILD
на замовлення 2739 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS336P SOT23-336FAIRCHILD
на замовлення 2939 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS336P(336)
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS336P(336*)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS336P-NLFAIRCHILD11+ SOT-23
на замовлення 69331 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS336P/336FAIRCHIL09+
на замовлення 1248 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS336PSOT23-336FAIRCHLD
на замовлення 2939 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS337-NL
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS337N
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS337N-NLFAIRCHILD11+ SOT-23
на замовлення 69321 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS338DS
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS338N
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS338P
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS338P-NLFAIRCHILD11+ SOT-23
на замовлення 69331 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS339AN-NLFAIRCHILD11+ SOT-23
на замовлення 93331 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS340PFAIRCHILD
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS351
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS351ANonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 1.4A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 145 pF @ 15 V
товар відсутній
NDS351ANONSEMIDescription: ONSEMI - NDS351AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.092 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.43 грн
9000+ 8.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NDS351ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NDS351ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NDS351ANonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 1.4A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 145 pF @ 15 V
товар відсутній
NDS351ANFairchildN-MOSFET 30V 1.4A 160mΩ 460mW NDS351AN 3-SSOT Fairchild TNDS351an
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6 грн
Мінімальне замовлення: 100
NDS351ANONSEMIDescription: ONSEMI - NDS351AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 380127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.03 грн
500+ 22.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
NDS351ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NDS351ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+32.1 грн
100+ 25.3 грн
Мінімальне замовлення: 19
NDS351ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NDS351ANonsemi / FairchildMOSFET SOT-23 N-CH LOGIC
на замовлення 46255 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.81 грн
13+ 27.66 грн
100+ 16.45 грн
1000+ 10 грн
3000+ 8.4 грн
9000+ 7.39 грн
24000+ 6.88 грн
Мінімальне замовлення: 10
NDS351ANONSEMIDescription: ONSEMI - NDS351AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 380127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+36.82 грн
27+ 30.97 грн
100+ 25.03 грн
500+ 22.79 грн
Мінімальне замовлення: 23
NDS351ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NDS351AN SOT23-351AFAIRCHILD
на замовлення 2962 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS351AN SOT23-351AFAIRCHILD
на замовлення 5962 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS351AN(351A)
на замовлення 255 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS351AN-NL
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS351AN-NL-MLMOSLEADERDescription: N-Channel 30V 1.4A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 299800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.46 грн
1000+ 2.32 грн
3000+ 2.16 грн
6000+ 1.99 грн
15000+ 1.93 грн
30000+ 1.85 грн
75000+ 1.7 грн
150000+ 1.53 грн
Мінімальне замовлення: 200
NDS351AN-SBNL001onsemionsemi
товар відсутній
NDS351AN-SBNL001Ponsemionsemi
товар відсутній
NDS351AN/351AFAIRCHIL09+
на замовлення 3668 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS351ANSOT23-3
на замовлення 2962 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS351AN_Gonsemi / Fairchildonsemi
товар відсутній
NDS351AN_NLonsemi / FairchildMOSFET 30V, SSOT-3, NCH
товар відсутній
NDS351AN_NLFSC
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS351AN_Qonsemi / FairchildMOSFET SOT-23 N-CH LOGIC
товар відсутній
NDS351AN_Tonsemi / Fairchildonsemi
товар відсутній
NDS351Nonsemi / FairchildMOSFET NChannel Logic Level Enhancement Mode FE
товар відсутній
NDS351NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NDS351N
Код товару: 171159		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
NDS351NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 1.1A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 10 V
товар відсутній
NDS351NONSEMIDescription: ONSEMI - NDS351N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.1 A, 0.135 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 500
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товар відсутній
NDS351NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NDS351NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NDS351NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 19242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+33.58 грн
24+ 25.52 грн
100+ 18.4 грн
500+ 14.68 грн
1000+ 10.89 грн
3000+ 10.14 грн
9000+ 9.86 грн
Мінімальне замовлення: 19
NDS351NONSEMIDescription: ONSEMI - NDS351N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.1 A, 0.135 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 1.1
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 500
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.135
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.6
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товар відсутній
NDS351NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 1.1A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 10 V
товар відсутній
NDS351NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+33.81 грн
23+ 27.27 грн
25+ 26.99 грн
100+ 18.46 грн
250+ 16.92 грн
500+ 13.33 грн
1000+ 11.14 грн
Мінімальне замовлення: 19
NDS351N-NL
на замовлення 86400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS351N-NL-MLMOSLEADERDescription: N-Channel 30V 1.1A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.46 грн
1000+ 2.32 грн
3000+ 2.16 грн
6000+ 1.99 грн
15000+ 1.93 грн
30000+ 1.85 грн
75000+ 1.7 грн
150000+ 1.53 грн
Мінімальне замовлення: 200
NDS351N/351FAIRCHILD
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS352A/352FAIRCHILD
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS352AN
на замовлення 180 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS352APonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 900MA SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 15 V
на замовлення 9951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.35 грн
12+ 26.04 грн
100+ 18.09 грн
500+ 13.26 грн
1000+ 10.78 грн
Мінімальне замовлення: 10
NDS352APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
451+27.27 грн
608+ 20.24 грн
614+ 20.02 грн
792+ 14.97 грн
Мінімальне замовлення: 451
NDS352APONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.9A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -900mA
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+30.07 грн
25+ 20.38 грн
50+ 15.85 грн
68+ 12.98 грн
100+ 11.77 грн
Мінімальне замовлення: 14
NDS352APONSEMIDescription: ONSEMI - NDS352AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 900 mA, 0.25 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: true
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NDS352APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.23 грн
6000+ 15.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NDS352APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.95 грн
9000+ 9.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NDS352APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.71 грн
6000+ 11.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NDS352APONSEMIDescription: ONSEMI - NDS352AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 900 mA, 0.25 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
на замовлення 18004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.91 грн
500+ 15.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
NDS352APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NDS352APONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.9A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -900mA
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1401 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+36.09 грн
25+ 25.39 грн
50+ 19.02 грн
68+ 15.58 грн
100+ 14.13 грн
Мінімальне замовлення: 9
NDS352APonsemi / FairchildMOSFET P-Ch LL FET Enhancement Mode
на замовлення 46898 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.81 грн
12+ 28.66 грн
100+ 17.39 грн
500+ 13.55 грн
1000+ 11.09 грн
3000+ 9.27 грн
9000+ 8.98 грн
Мінімальне замовлення: 10
NDS352APonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 900MA SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.66 грн
6000+ 9.74 грн
9000+ 9.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NDS352APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.43 грн
9000+ 8.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NDS352APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NDS352APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.72 грн
9000+ 10.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NDS352APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+31.75 грн
23+ 27.47 грн
25+ 25.32 грн
100+ 18.12 грн
250+ 16.6 грн
500+ 12.36 грн
1000+ 8.18 грн
Мінімальне замовлення: 20
NDS352APONSEMIDescription: ONSEMI - NDS352AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 900 mA, 0.25 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
на замовлення 18004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+37.96 грн
26+ 31.94 грн
100+ 19.91 грн
500+ 15.85 грн
Мінімальне замовлення: 22
NDS352APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NDS352AP SOT23-352AFAIRCHILD
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS352AP-NLNSSOT23
на замовлення 2727 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS352AP-NLFAISOT-23
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS352AP-NL-MLMOSLEADERDescription: P-Channel -30V -0.9A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+3.62 грн
3000+ 3.17 грн
6000+ 3.07 грн
15000+ 2.78 грн
30000+ 2.68 грн
75000+ 2.44 грн
150000+ 2.25 грн
Мінімальне замовлення: 1000
NDS352AP/352FAIRCHIL09+
на замовлення 5988 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS352AP352
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS352APSOT23-352FAIRCHLD
на замовлення 2055 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS352APSOT23-352A
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS352PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 850MA SUPERSOT3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 10 V
на замовлення 29285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
987+22.3 грн
Мінімальне замовлення: 987
NDS352Ponsemi / FairchildMOSFET SSOT-3 P-CH 20V
товар відсутній
NDS352PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 850MA SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 10 V
товар відсутній
NDS352PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 850MA SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 10 V
товар відсутній
NDS352P-NLFAIRCHILD11+ROHS SOT-23
на замовлення 66921 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS355FAITCHILD04+ SOT-23
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS355A
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS355ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.46 грн
9000+ 11.56 грн
24000+ 11.4 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NDS355ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+39.86 грн
19+ 33.81 грн
25+ 32.02 грн
100+ 22.4 грн
250+ 20.53 грн
Мінімальне замовлення: 16
NDS355ANONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.7A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2958 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+56.57 грн
10+ 28.22 грн
53+ 20.05 грн
146+ 18.96 грн
3000+ 18.29 грн
Мінімальне замовлення: 6
NDS355ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NDS355ANonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V
на замовлення 37274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.19 грн
10+ 32 грн
100+ 22.22 грн
500+ 16.28 грн
1000+ 13.23 грн
Мінімальне замовлення: 8
NDS355ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.44 грн
9000+ 11.54 грн
24000+ 11.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NDS355ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.71 грн
15000+ 19.83 грн
30000+ 18.46 грн
45000+ 16.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NDS355ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+29.67 грн
24+ 26.06 грн
100+ 20.22 грн
500+ 16.01 грн
1000+ 12.53 грн
Мінімальне замовлення: 21
NDS355ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NDS355ANonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.09 грн
6000+ 11.96 грн
9000+ 11.11 грн
30000+ 10.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NDS355ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.01 грн
9000+ 13.02 грн
24000+ 12.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NDS355ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NDS355ANONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.7A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 2958 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+47.14 грн
17+ 22.64 грн
53+ 16.71 грн
146+ 15.8 грн
Мінімальне замовлення: 9
NDS355ANONSEMIDescription: ONSEMI - NDS355AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.7 A, 0.065 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NDS355ANON-SemicoductorN-MOSFET 1.7A 30V 0.5W 0.085Ω NDS355AN smd TNDS355an
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1874 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+20.33 грн
Мінімальне замовлення: 50
NDS355ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.88 грн
1133+ 13.58 грн
Мінімальне замовлення: 23
NDS355ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.3 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NDS355ANonsemi / FairchildMOSFET SOT-23 N-CH LOGIC
на замовлення 208667 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.43 грн
10+ 35.58 грн
100+ 21.52 грн
500+ 16.81 грн
1000+ 13.69 грн
3000+ 11.52 грн
9000+ 10.72 грн
Мінімальне замовлення: 8
NDS355ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.9 грн
9000+ 12.09 грн
24000+ 11.72 грн
45000+ 11.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NDS355AN-F169Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMEN
товар відсутній
NDS355AN-F169ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23-3
товар відсутній
NDS355AN-NB9L007AFairchild SemiconductorDescription: NDS355AN - N-CHANNEL LOGIC LEVEL
товар відсутній
NDS355AN-NB9L007AON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23-3
товар відсутній
NDS355AN-NL
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS355AN-NL-MLMOSLEADERDescription: N-Channel 30V 1.7A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+3.62 грн
3000+ 3.17 грн
6000+ 3.07 грн
15000+ 2.78 грн
30000+ 2.68 грн
75000+ 2.44 грн
150000+ 2.25 грн
Мінімальне замовлення: 1000
NDS355AN/355
на замовлення 6730 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS355AN/355A
на замовлення 9370 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS355AN_GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V
товар відсутній
NDS355AN_Qonsemi / FairchildMOSFET N-Channel Logic
товар відсутній
NDS355NON Semiconductor / FairchildMOSFET DISC BY MFG 2/02
на замовлення 9560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NDS355NFairchild
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS355NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NDS355NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 1.6A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 245 pF @ 10 V
товар відсутній
NDS355N
Код товару: 58027		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
NDS355NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 1.6A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 245 pF @ 10 V
товар відсутній
NDS355N-NLFAIRCHILD11+ROHS SOT-23
на замовлення 36231 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS355N\355FAIRCHILSOT-23
на замовлення 850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS355N_NL
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS356
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS356A
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS356APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NDS356APonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 1.1A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 10 V
товар відсутній
NDS356APONSEMIDescription: ONSEMI - NDS356AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.1 A, 0.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: true
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperSOT 3 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NDS356APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NDS356APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NDS356APonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 1.1A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 10 V
товар відсутній
NDS356APonsemi / FairchildMOSFET P-Channel Logic
на замовлення 782 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.99 грн
11+ 32.5 грн
100+ 25.07 грн
500+ 19.71 грн
1000+ 15.22 грн
3000+ 10.87 грн
24000+ 10.65 грн
Мінімальне замовлення: 10
NDS356APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NDS356APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NDS356AP-NB8L005Aonsemionsemi -30V P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
товар відсутній
NDS356AP-NB8L005AFairchild SemiconductorDescription: -30V P-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHAN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 10 V
на замовлення 73580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1576+13.75 грн
Мінімальне замовлення: 1576
NDS356AP-NB8L005AONSEMIDescription: ONSEMI - NDS356AP-NB8L005A - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 85256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1896+21.13 грн
Мінімальне замовлення: 1896
NDS356AP-NLFAI06+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS356AP/356AFAIR
на замовлення 30843 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS356AP\356FAIRCHILSOT-23
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS356AP_L99Zonsemi / FairchildMOSFET P-Ch LL FET Enhancement Mode
товар відсутній
NDS356AP_NB8L005Aonsemi / Fairchildonsemi
товар відсутній
NDS356AP_NLFAIRCHILD05+06+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS356AP_NLonsemi / FairchildMOSFET 30V, SSOT-3, PCH
товар відсутній
NDS356AP_Tonsemi / Fairchildonsemi
товар відсутній
NDS356PNS1999 SOT23
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS356PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.1A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
товар відсутній
NDS356PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.1A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
товар відсутній
NDS356P-NLFAIRCHILD11+ROHS SOT-23
на замовлення 66132 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS357
на замовлення 890 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS357N-NL
на замовлення 86400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS358P-NLFAIRCHILD
на замовлення 330000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS359AN-NL
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS359N
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS36PBA-16ATInsignis Technology CorporationDescription: SDR 256MB X16 BGA 8X8(X1.2) PC16
Packaging: Tray
Package / Case: 54-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-FBGA (8x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 5 ns
Memory Organization: 16M x 16
товар відсутній
NDS36PBA-16AT TRInsignis Technology CorporationDescription: SDR 256MB X16 BGA 8X8(X1.2) PC16
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 54-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-FBGA (8x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 5 ns
Memory Organization: 16M x 16
товар відсутній
NDS36PBA-16ETInsignis Technology CorporationDescription: SDR 256MB X16 BGA 8X8(X1.2) PC16
Packaging: Tray
Package / Case: 54-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-FBGA (8x8)
Memory Interface: LVTTL
Memory Organization: 16M x 16
товар відсутній
NDS36PBA-16ET TRInsignis Technology CorporationDescription: SDR 256MB X16 BGA 8X8(X1.2) PC16
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 54-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-FBGA (8x8)
Memory Interface: LVTTL
Memory Organization: 16M x 16
товар відсутній
NDS36PBA-16ITInsignis Technology CorporationDescription: SDR 256MB X16 BGA 8X8(X1.2) PC16
Packaging: Tray
Package / Case: 54-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-FBGA (8x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 5 ns
Memory Organization: 16M x 16
товар відсутній
NDS36PBA-16IT TRInsignis Technology CorporationDescription: SDR 256MB X16 BGA 8X8(X1.2) PC16
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 54-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-FBGA (8x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 5 ns
Memory Organization: 16M x 16
на замовлення 1498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+351.9 грн
10+ 307.32 грн
25+ 300.62 грн
50+ 280.59 грн
100+ 251.59 грн
250+ 250.68 грн
500+ 237.56 грн
1000+ 225.85 грн
NDS36PBA-16IT TRInsignis Technology CorporationDescription: SDR 256MB X16 BGA 8X8(X1.2) PC16
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 54-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-FBGA (8x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 5 ns
Memory Organization: 16M x 16
товар відсутній
NDS36PBA-20ETInsignis Technology CorporationDescription: SDR 256MB X16 BGA 8X8(X1.2) PC20
Packaging: Tray
Package / Case: 54-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-FBGA (8x8)
Memory Interface: LVTTL
Memory Organization: 16M x 16
товар відсутній
NDS36PBA-20ET TRInsignis Technology CorporationDescription: SDR 256MB X16 BGA 8X8(X1.2) PC20
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 54-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-FBGA (8x8)
Memory Interface: LVTTL
Memory Organization: 16M x 16
товар відсутній
NDS36PBA-20ITInsignis Technology CorporationDescription: SDR 256MB X16 BGA 8X8(X1.2) PC20
Packaging: Tray
Package / Case: 54-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-FBGA (8x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 4.5 ns
Memory Organization: 16M x 16
товар відсутній
NDS36PBA-20IT TRInsignis Technology CorporationDescription: SDR 256MB X16 BGA 8X8(X1.2) PC20
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 54-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-FBGA (8x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 4.5 ns
Memory Organization: 16M x 16
товар відсутній
NDS36PT5-16ATInsignis Technology CorporationDescription: SDR 256MB X16 TSOPII 54L 10X22(X
Packaging: Tray
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 5 ns
Memory Organization: 16M x 16
товар відсутній
NDS36PT5-16AT TRInsignis Technology CorporationDescription: SDR 256MB X16 TSOPII 54L 10X22(X
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 5 ns
Memory Organization: 16M x 16
товар відсутній
NDS36PT5-16ETInsignis Technology CorporationDescription: SDR 256MB X16 TSOPII 54L 10X22(X
Packaging: Tray
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Memory Interface: LVTTL
Memory Organization: 16M x 16
товар відсутній
NDS36PT5-16ET TRInsignis Technology CorporationDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 16M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+250.8 грн
10+ 219.1 грн
25+ 214.37 грн
50+ 200.09 грн
100+ 179.41 грн
250+ 178.75 грн
500+ 169.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
NDS36PT5-16ET TRInsignis Technology CorporationDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 16M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+181.17 грн
Мінімальне замовлення: 1000
NDS36PT5-16ITInsignis Technology CorporationDescription: SDR 256MB X16 TSOPII 54L 10X22(X
Packaging: Tray
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 5 ns
Memory Organization: 16M x 16
товар відсутній
NDS36PT5-16IT TRInsignis Technology CorporationDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 16M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+274.31 грн
10+ 239.7 грн
25+ 234.48 грн
50+ 218.84 грн
100+ 196.22 грн
250+ 195.51 грн
500+ 185.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
NDS36PT5-16IT TRInsignis Technology CorporationDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 16M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+198.16 грн
Мінімальне замовлення: 1000
NDS36PT5-20ETInsignis Technology CorporationDescription: SDR 256MB X16 TSOPII 54L 10X22(X
Packaging: Tray
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Memory Interface: LVTTL
Memory Organization: 16M x 16
товар відсутній
NDS36PT5-20ET TRInsignis Technology CorporationDescription: IC DRAM 256MBIT LVTTL 54TSOPII
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 4.5 ns
Memory Organization: 16M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
NDS36PT5-20ET TRInsignis Technology CorporationDescription: IC DRAM 256MBIT LVTTL 54TSOPII
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 4.5 ns
Memory Organization: 16M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+244.53 грн
10+ 213.13 грн
25+ 208.51 грн
50+ 194.63 грн
100+ 174.51 грн
250+ 173.87 грн
500+ 164.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
NDS36PT5-20ITInsignis Technology CorporationDescription: SDR 256MB X16 TSOPII 54L 10X22(X
Packaging: Tray
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 4.5 ns
Memory Organization: 16M x 16
товар відсутній
NDS36PT5-20IT TRInsignis Technology CorporationDescription: SDR 256MB X16 TSOPII 54L 10X22(X
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 4.5 ns
Memory Organization: 16M x 16
товар відсутній
NDS38PT5-16ETInsignis Technology CorporationDescription: SDR 256MB X8 TSOPII 54L 10X22(X1
Packaging: Tray
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Memory Interface: LVTTL
Memory Organization: 32M x 8
товар відсутній
NDS38PT5-16ET TRInsignis Technology CorporationDescription: SDR 256MB X8 TSOPII 54L 10X22(X1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Memory Interface: LVTTL
Memory Organization: 32M x 8
товар відсутній
NDS38PT5-16ITInsignis Technology CorporationDescription: SDR 256MB X8 TSOPII 54L 10X22(X1
Packaging: Tray
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 5 ns
Memory Organization: 32M x 8
товар відсутній
NDS38PT5-16IT TRInsignis Technology CorporationDescription: SDR 256MB X8 TSOPII 54L 10X22(X1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 5 ns
Memory Organization: 32M x 8
товар відсутній
NDS38PT5-20ETInsignis Technology CorporationDescription: SDR 256MB X8 TSOPII 54L 10X22(X1
Packaging: Tray
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Memory Interface: LVTTL
Memory Organization: 32M x 8
товар відсутній
NDS38PT5-20ET TRInsignis Technology CorporationDescription: SDR 256MB X8 TSOPII 54L 10X22(X1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Memory Interface: LVTTL
Memory Organization: 32M x 8
товар відсутній
NDS38PT5-20ITInsignis Technology CorporationDescription: SDR 256MB X8 TSOPII 54L 10X22(X1
Packaging: Tray
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 4.5 ns
Memory Organization: 32M x 8
товар відсутній
NDS38PT5-20IT TRInsignis Technology CorporationDescription: SDR 256MB X8 TSOPII 54L 10X22(X1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 4.5 ns
Memory Organization: 32M x 8
товар відсутній
NDS40-10F
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS40-20
на замовлення 376 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS4113
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS4558
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS612
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS632PFAIRCHIL2003
на замовлення 1037 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS6375
на замовлення 35500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS63PT9-16ITInsignis Technology CorporationDescription: IC SDRAM 64MBIT 167MHZ 86TSOP
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NDS63PT9-16ITInsignis Technology CorporationDescription: IC SDRAM 64MBIT 167MHZ 86TSOP
товар відсутній
NDS63PT9-16IT TRInsignis Technology CorporationDescription: IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 86-TSOP II
Part Status: Active
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 2M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 4011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+335.44 грн
10+ 293.06 грн
25+ 286.64 грн
50+ 267.56 грн
100+ 239.9 грн
250+ 239.03 грн
500+ 226.52 грн
NDS63PT9-16IT TRInsignis Technology CorporationDescription: IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 86-TSOP II
Part Status: Active
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 2M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+242.27 грн
2000+ 230.82 грн
Мінімальне замовлення: 1000
NDS642
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS6612NSSOP-8
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS6692NSSOP-8
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS66PBA-16IT TRInsignis Technology CorporationDescription: SDR 64MB X16 BGA 8X8(X1.2) PC166
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 54-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-FBGA (8x8)
Part Status: Active
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 5.4 ns
Memory Organization: 4M x 16
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+297.04 грн
10+ 259.47 грн
25+ 253.83 грн
50+ 236.93 грн
100+ 212.44 грн
250+ 211.66 грн
500+ 200.59 грн
1000+ 190.7 грн
Мінімальне замовлення: 2
NDS66PBA-16IT TRInsignis Technology CorporationDescription: SDR 64MB X16 BGA 8X8(X1.2) PC166
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 54-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-FBGA (8x8)
Part Status: Active
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 5.4 ns
Memory Organization: 4M x 16
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+216.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NDS66PT5-16ET TRInsignis Technology CorporationDescription: IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 4M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
NDS66PT5-16ET TRInsignis Technology CorporationDescription: IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 4M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
NDS66PT5-16IT TRInsignis Technology CorporationDescription: IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Part Status: Active
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 4M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+91.73 грн
Мінімальне замовлення: 1000
NDS66PT5-16IT TRInsignis Technology CorporationDescription: IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Part Status: Active
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 4M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 5318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.37 грн
10+ 142.72 грн
25+ 140.56 грн
50+ 131.56 грн
100+ 117.56 грн
250+ 113.69 грн
500+ 111.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
NDS6986NSSOP-8
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS6D2405CMurata Power SolutionsIsolated DC/DC Converters - Through Hole 6W 24V-5V DIP DC/DC
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1595.91 грн
5+ 1562.28 грн
10+ 1254.17 грн
30+ 1202 грн
NDS6D2405CMurata Power SolutionsCategory: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; Uin: 18÷36V; Uout: 5VDC; Uout2: 5VDC; Iout: 0.6A
Type of converter: DC/DC
Input voltage: 18...36V
Output voltage: 5V DC
Output voltage 2: 5V DC
Output current: 0.6A
Output current 2: 0.6A
Case: DIP
Body dimensions: 32x20x10.5mm
Efficiency: 82%
Operating temperature: -40...85°C
Mounting: THT
Manufacturer series: NDS
Number of outputs: 2
товар відсутній
NDS6D2405CMurata Power Solutions Inc.Description: DC DC CONVERTER 5-12V -5V 6W
Packaging: Tube
Package / Case: 24-DIP Module, 8 Leads
Size / Dimension: 1.26" L x 0.79" W x 0.39" H (32.0mm x 20.0mm x 10.0mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 83%
Current - Output (Max): 600mA, 600mA
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 5 ~ 12V
Voltage - Output 2: -5V
Power (Watts): 6 W
Number of Outputs: 2
Voltage - Isolation: 1.5 kV
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1464.04 грн
5+ 1402.58 грн
10+ 1392.84 грн
NDS6D2405CMurata Power SolutionsCategory: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; Uin: 18÷36V; Uout: 5VDC; Uout2: 5VDC; Iout: 0.6A
Type of converter: DC/DC
Input voltage: 18...36V
Output voltage: 5V DC
Output voltage 2: 5V DC
Output current: 0.6A
Output current 2: 0.6A
Case: DIP
Body dimensions: 32x20x10.5mm
Efficiency: 82%
Operating temperature: -40...85°C
Mounting: THT
Manufacturer series: NDS
Number of outputs: 2
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NDS6D2405ECMurata Power Solutions Inc.Description: DC DC CONVERTER 5-12V -5V 6W
Packaging: Tube
Package / Case: 24-DIP Module, 9 Leads
Size / Dimension: 1.26" L x 0.79" W x 0.39" H (32.0mm x 20.0mm x 10.0mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 83%
Current - Output (Max): 600mA, 600mA
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 5 ~ 12V
Voltage - Output 2: -5V
Part Status: Obsolete
Power (Watts): 6 W
Number of Outputs: 2
Voltage - Isolation: 1.5 kV
товар відсутній
NDS6D2405ECMurata Power SolutionsIsolated DC/DC Converters SUGGESTED ALTERNATE 580-NDS6D2405C
товар відсутній
NDS6D2412CMurata Power SolutionsModule DC-DC 24VIN 2-OUT 12V/-12V 0.25A/-0.25A 6W 8-Pin
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NDS6D2412C
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS6D2412CMurata Power SolutionsIsolated DC/DC Converters - Through Hole 6W 24V-12V DIP DC/DC
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1581.54 грн
30+ 1447.29 грн
60+ 1237.5 грн
105+ 1202 грн
NDS6D2412CMurata Power Solutions Inc.Description: DC DC CONVERTER +/-12V 6W
Packaging: Tube
Package / Case: 24-DIP Module, 8 Leads
Size / Dimension: 1.26" L x 0.79" W x 0.39" H (32.0mm x 20.0mm x 10.0mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 87%
Current - Output (Max): 250mA, 250mA
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 12V
Voltage - Output 2: -12V
Part Status: Active
Power (Watts): 6 W
Number of Outputs: 2
Voltage - Isolation: 1.5 kV
на замовлення 6086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1428.78 грн
5+ 1369.37 грн
10+ 1359.86 грн
25+ 1262.18 грн
50+ 1230.36 грн
100+ 1169.29 грн
250+ 1076.29 грн
500+ 1003.7 грн
NDS6D2412CMurata Power SolutionsCategory: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; Uin: 18÷36V; Uout: 12VDC; Uout2: 12VDC; Iout: 0.25A
Type of converter: DC/DC
Input voltage: 18...36V
Output voltage: 12V DC
Output voltage 2: 12V DC
Output current: 0.25A
Output current 2: 0.25A
Case: DIP
Mounting: THT
Manufacturer series: NDS
Body dimensions: 32x20x10.5mm
Efficiency: 87%
Operating temperature: -40...85°C
Number of outputs: 2
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1302.07 грн
4+ 1144.91 грн
NDS6D2412CMurata Power SolutionsCategory: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; Uin: 18÷36V; Uout: 12VDC; Uout2: 12VDC; Iout: 0.25A
Type of converter: DC/DC
Input voltage: 18...36V
Output voltage: 12V DC
Output voltage 2: 12V DC
Output current: 0.25A
Output current 2: 0.25A
Case: DIP
Mounting: THT
Manufacturer series: NDS
Body dimensions: 32x20x10.5mm
Efficiency: 87%
Operating temperature: -40...85°C
Number of outputs: 2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1562.48 грн
4+ 1426.74 грн
105+ 1331.33 грн
NDS6D2412ECMurata Power Solutions Inc.Description: DC DC CONVERTER +/-12V 6W
Packaging: Tube
Package / Case: 24-DIP Module, 9 Leads
Size / Dimension: 1.26" L x 0.79" W x 0.39" H (32.0mm x 20.0mm x 10.0mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 87%
Current - Output (Max): 250mA, 250mA
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 12V
Voltage - Output 2: -12V
Part Status: Obsolete
Power (Watts): 6 W
Number of Outputs: 2
Voltage - Isolation: 1.5 kV
товар відсутній
NDS6D2412ECMurata Power SolutionsIsolated DC/DC Converters SUGGESTED ALTERNATE 580-NDS6D2412C
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NDS6D2415CMurata Power SolutionsNDS6D2415C DC/DC Converters
товар відсутній
NDS6D2415CMurata Power SolutionsIsolated DC/DC Converters - Through Hole 6W 24V-15V DIP DC/DC
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1595.91 грн
5+ 1565.61 грн
10+ 1351.98 грн
30+ 1336.76 грн
60+ 1303.44 грн
105+ 1238.23 грн
255+ 1202 грн
NDS6D2415CMurata Power SolutionsModule DC-DC 24VIN 2-OUT 15V/-15V 0.2A/-0.2A 6W 8-Pin
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1549.67 грн
5+ 1527.6 грн
10+ 1501.73 грн
NDS6D2415CMurata Power Solutions Inc.Description: DC DC CONVERTER +/-15V 6W
Packaging: Tube
Package / Case: 24-DIP Module, 8 Leads
Size / Dimension: 1.26" L x 0.79" W x 0.39" H (32.0mm x 20.0mm x 10.0mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 87.5%
Current - Output (Max): 200mA, 200mA
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 15V
Voltage - Output 2: -15V
Power (Watts): 6 W
Number of Outputs: 2
Voltage - Isolation: 1.5 kV
на замовлення 744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1428.78 грн
5+ 1369.37 грн
10+ 1359.86 грн
25+ 1262.18 грн
50+ 1230.36 грн
100+ 1169.29 грн
250+ 1076.29 грн
500+ 1003.7 грн
NDS6D2415CMurata Power SolutionsModule DC-DC 24VIN 2-OUT 15V/-15V 0.2A/-0.2A 6W 8-Pin
товар відсутній
NDS6D2415ECMurata Power SolutionsIsolated DC/DC Converters 24Vin +/-15Vout W/Control Pin
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NDS6D2415ECMurata Power Solutions Inc.Description: DC DC CONVERTER +/-15V 6W
Packaging: Tube
Package / Case: 24-DIP Module, 9 Leads
Size / Dimension: 1.26" L x 0.79" W x 0.39" H (32.0mm x 20.0mm x 10.0mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 87.5%
Current - Output (Max): 200mA, 200mA
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 15V
Voltage - Output 2: -15V
Power (Watts): 6 W
Number of Outputs: 2
Voltage - Isolation: 1.5 kV
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1591.01 грн
NDS6S2405CMurata Power Solutions Inc.Description: DC DC CONVERTER 5V 6W
Packaging: Tube
Package / Case: 24-DIP Module, 8 Leads
Size / Dimension: 1.26" L x 0.79" W x 0.39" H (32.0mm x 20.0mm x 10.0mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 82%
Current - Output (Max): 1.2A
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 5V
Part Status: Active
Power (Watts): 6 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1483.64 грн
5+ 1421.59 грн
10+ 1411.78 грн
25+ 1310.37 грн
50+ 1277.35 грн
100+ 1213.95 грн
250+ 1117.39 грн
NDS6S2405CMurata Power SolutionsCategory: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; Uin: 18÷36V; Uout: 5VDC; Iout: 1.2A; DIP; THT; NDS
Mounting: THT
Case: DIP
Manufacturer series: NDS
Body dimensions: 32x20x10.5mm
Output voltage: 5V DC
Output current: 1.2A
Input voltage: 18...36V
Type of converter: DC/DC
Efficiency: 82%
Operating temperature: -40...85°C
Number of outputs: 1
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NDS6S2405CMurata Power SolutionsModule DC-DC 24VIN 1-OUT 5V 1.2A 6W 7-Pin
товар відсутній
NDS6S2405C
Код товару: 33835		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товар відсутній
NDS6S2405CMurata Power SolutionsCategory: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; Uin: 18÷36V; Uout: 5VDC; Iout: 1.2A; DIP; THT; NDS
Mounting: THT
Case: DIP
Manufacturer series: NDS
Body dimensions: 32x20x10.5mm
Output voltage: 5V DC
Output current: 1.2A
Input voltage: 18...36V
Type of converter: DC/DC
Efficiency: 82%
Operating temperature: -40...85°C
Number of outputs: 1
товар відсутній
NDS6S2405CMurata Power SolutionsIsolated DC/DC Converters - Through Hole 6W 24V-5V DIP DC/DC
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1542.65 грн
10+ 1498.95 грн
60+ 1238.23 грн
105+ 1202 грн
NDS6S2405CMurata Power SolutionsModule DC-DC 24VIN 1-OUT 5V 1.2A 6W 7-Pin
товар відсутній
NDS6S2405CMurata Power SolutionsModule DC-DC 24VIN 1-OUT 5V 1.2A 6W 7-Pin
товар відсутній
NDS6S2405ECMurata Power SolutionsIsolated DC/DC Converters SUGGESTED ALTERNATE 580-NDS6S2405C
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NDS6S2405ECMurata Power SolutionsModule DC-DC 24VIN 1-OUT 5V 1.2A 6W 8-Pin
товар відсутній
NDS6S2405ECMurata Power Solutions Inc.Description: DC DC CONVERTER 5V 6W
Packaging: Tube
Package / Case: 24-DIP Module, 9 Leads
Size / Dimension: 1.26" L x 0.79" W x 0.39" H (32.0mm x 20.0mm x 10.0mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 82%
Current - Output (Max): 1.2A
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 5V
Part Status: Obsolete
Power (Watts): 6 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
товар відсутній
NDS6S2405EC
Код товару: 176076		Блоки та елементи живлення > DC / DC перетворювачі
товар відсутній
NDS6S2412CMurata Power SolutionsCategory: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; Uin: 18÷36V; Uout: 12VDC; Iout: 0.5A; DIP; THT; NDS
Type of converter: DC/DC
Input voltage: 18...36V
Output voltage: 12V DC
Output current: 0.5A
Case: DIP
Body dimensions: 32x20x10.5mm
Efficiency: 86%
Operating temperature: -40...85°C
Mounting: THT
Manufacturer series: NDS
Number of outputs: 1
товар відсутній
NDS6S2412CMurata Power Solutions Inc.Description: DC DC CONVERTER 12V 6W
Packaging: Tube
Package / Case: 24-DIP Module, 8 Leads
Size / Dimension: 1.26" L x 0.79" W x 0.39" H (32.0mm x 20.0mm x 10.0mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 87%
Current - Output (Max): 500mA
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 12V
Part Status: Active
Power (Watts): 6 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
товар відсутній
NDS6S2412CMurata Power SolutionsCategory: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; Uin: 18÷36V; Uout: 12VDC; Iout: 0.5A; DIP; THT; NDS
Type of converter: DC/DC
Input voltage: 18...36V
Output voltage: 12V DC
Output current: 0.5A
Case: DIP
Body dimensions: 32x20x10.5mm
Efficiency: 86%
Operating temperature: -40...85°C
Mounting: THT
Manufacturer series: NDS
Number of outputs: 1
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NDS6S2412CMurata Power SolutionsIsolated DC/DC Converters - Through Hole 6W 24V-12V DIP DC/DC
на замовлення 20 шт:
термін постачання 194-203 дні (днів)
1+1595.91 грн
5+ 1565.61 грн
10+ 1336.76 грн
30+ 1303.44 грн
60+ 1238.23 грн
105+ 1202 грн
NDS6S2412ECMurata Power SolutionsIsolated DC/DC Converters 24Vin 12Vout 0.5A 6W W/Control Pin
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NDS6S2412ECMurata Power Solutions Inc.Description: CONVERT DC/DC 6W 24-12V SNGL T/H
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NDS6S2415CMurata Power SolutionsModule DC-DC 24VIN 1-OUT 15V 0.4A 6W 7-Pin
товар відсутній
NDS6S2415CMurata Power SolutionsIsolated DC/DC Converters - Through Hole 6W 24V-15V DIP DC/DC
на замовлення 30 шт:
термін постачання 203-212 дні (днів)
1+1595.91 грн
5+ 1565.61 грн
10+ 1331.69 грн
30+ 1267.21 грн
60+ 1223.01 грн
105+ 1202 грн
NDS6S2415CMurata Power SolutionsCategory: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; Uin: 18÷36V; Uout: 15VDC; Iout: 0.4A; DIP; THT; NDS
Mounting: THT
Operating temperature: -40...85°C
Case: DIP
Number of outputs: 1
Body dimensions: 32x20x10.5mm
Output voltage: 15V DC
Output current: 0.4A
Input voltage: 18...36V
Type of converter: DC/DC
Efficiency: 87%
Manufacturer series: NDS
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NDS6S2415CMurata Power Solutions Inc.Description: DC DC CONVERTER 15V 6W
Packaging: Tube
Package / Case: 24-DIP Module, 8 Leads
Size / Dimension: 1.26" L x 0.79" W x 0.39" H (32.0mm x 20.0mm x 10.0mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 87%
Current - Output (Max): 400mA
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 15V
Part Status: Active
Power (Watts): 6 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
товар відсутній
NDS6S2415C
Код товару: 33843		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товар відсутній
NDS6S2415CMurata Power SolutionsCategory: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; Uin: 18÷36V; Uout: 15VDC; Iout: 0.4A; DIP; THT; NDS
Mounting: THT
Operating temperature: -40...85°C
Case: DIP
Number of outputs: 1
Body dimensions: 32x20x10.5mm
Output voltage: 15V DC
Output current: 0.4A
Input voltage: 18...36V
Type of converter: DC/DC
Efficiency: 87%
Manufacturer series: NDS
товар відсутній
NDS6S2415ECMurata Power SolutionsIsolated DC/DC Converters 24Vin 15Vout 0.4A 6W W/Control Pin
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NDS6S2415ECMurata Power Solutions Inc.Description: DC DC CONVERTER 15V 6W
Packaging: Tube
Package / Case: 24-DIP Module, 9 Leads
Size / Dimension: 1.26" L x 0.79" W x 0.39" H (32.0mm x 20.0mm x 10.0mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 87%
Current - Output (Max): 400mA
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 15V
Part Status: Obsolete
Power (Watts): 6 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
товар відсутній
NDS7002FAIRCHILD09+
на замовлення 5018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS7002-NL
на замовлення 86400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS7002/I702/1702FAIR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS7002A
Код товару: 40378		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товар відсутній
NDS7002AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.9 грн
9000+ 3.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NDS7002AonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 208770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.16 грн
25+ 12.53 грн
100+ 7.84 грн
500+ 5.44 грн
1000+ 4.81 грн
Мінімальне замовлення: 15
NDS7002AONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; Idm: 1.5A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
75+6.18 грн
100+ 5.15 грн
225+ 3.94 грн
625+ 3.73 грн
Мінімальне замовлення: 75
NDS7002AONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; Idm: 1.5A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
50+7.41 грн
100+ 6.41 грн
225+ 4.73 грн
625+ 4.47 грн
Мінімальне замовлення: 50
NDS7002Aonsemi / FairchildMOSFETs SOT-23 N-CH ENHANCE
на замовлення 130970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+18.85 грн
28+ 12.25 грн
100+ 5.65 грн
1000+ 4.85 грн
3000+ 3.77 грн
9000+ 3.19 грн
24000+ 3.04 грн
Мінімальне замовлення: 18
NDS7002AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 17757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
134+4.56 грн
9000+ 3.8 грн
Мінімальне замовлення: 134
NDS7002AONSEMIDescription: ONSEMI - NDS7002A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 280 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 280mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 135000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.66 грн
9000+ 3.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NDS7002AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.33 грн
9000+ 4.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NDS7002AonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 207000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.45 грн
6000+ 3.86 грн
9000+ 3.64 грн
15000+ 3.18 грн
21000+ 3.05 грн
30000+ 2.91 грн
75000+ 2.58 грн
150000+ 2.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NDS7002AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NDS7002AFairchild/ON SemiconductorN-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 1 500 мА; Ptot, Вт = 300 mW; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25; Rds = 2 Ом @ 500 мA, 10 В; Tексп, °C = -65...+150; Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА; SOT-23-3
на замовлення 21 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
21+29.72 грн
100+ 6.88 грн
Мінімальне замовлення: 21
NDS7002AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18000+2.8 грн
Мінімальне замовлення: 18000
NDS7002AFairchildN-MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 280mA; 300mW; -65°C ~ 150°C; NDS7002A TNDS7002a
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+10.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
NDS7002AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NDS7002A-F169onsemiDescription: MOSFET N-CH SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товар відсутній
NDS7002A-F40
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS7002A-NF40
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS7002A-NLFAIRCHILD11+ROHS SOT-23
на замовлення 51321 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS7002A-Q
на замовлення 245260 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS7002A-SMD
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS7002A/712
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS7002A_D87ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товар відсутній
NDS7002A_NB9GGTXAonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товар відсутній
NDS7002A_Qonsemi / FairchildMOSFET SOT-23 N-CH ENHANCE
товар відсутній
NDS7002NFAIRCHILD
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS73PBE-16IT TRInsignis Technology CorporationDescription: SDR 128MB X32 BGA 8X13(X1.2) PC1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 90-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 90-FBGA (8x13)
Part Status: Active
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 5.4 ns
Memory Organization: 4M x 32
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+408.33 грн
10+ 359.1 грн
25+ 352.24 грн
50+ 328.16 грн
100+ 294.46 грн
250+ 293.35 грн
500+ 270.43 грн
1000+ 259.02 грн
NDS73PBE-16IT TRInsignis Technology CorporationDescription: SDR 128MB X32 BGA 8X13(X1.2) PC1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 90-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 90-FBGA (8x13)
Part Status: Active
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 5.4 ns
Memory Organization: 4M x 32
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+293.91 грн
Мінімальне замовлення: 2000
NDS73PT9-16ETInsignis Technology CorporationDescription: IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 86TSOP
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NDS73PT9-16ETInsignis Technology CorporationDescription: IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 86TSOP
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NDS73PT9-16ET TRInsignis Technology CorporationDescription: IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 86-TSOP II
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 4M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
NDS73PT9-16ET TRInsignis Technology CorporationDescription: IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 86-TSOP II
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 4M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
NDS73PT9-16ITInsignis Technology CorporationDescription: IC DRAM 128MBIT LVTTL 86TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 86-TSOP II
Part Status: Active
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 5.4 ns
Memory Organization: 4M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+403.63 грн
10+ 352.83 грн
25+ 345.18 грн
40+ 322.2 грн
108+ 288.89 грн
324+ 287.84 грн
540+ 272.78 грн
972+ 259.33 грн
NDS73PT9-16IT TRInsignis Technology CorporationDescription: IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 86-TSOP II
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 4M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
NDS73PT9-16IT TRInsignis Technology CorporationDescription: IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 86-TSOP II
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 4M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
NDS76PT5-16ITInsignis Technology CorporationDescription: IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 54TSOP
на замовлення 1898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NDS76PT5-16ITInsignis Technology CorporationDescription: IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 54TSOP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NDS76PT5-16IT TRInsignis Technology CorporationDescription: IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 8M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+160.38 грн
Мінімальне замовлення: 1000
NDS76PT5-16IT TRInsignis Technology CorporationDescription: IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 8M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+226.5 грн
10+ 196.15 грн
25+ 193.12 грн
50+ 180.77 грн
100+ 161.53 грн
250+ 156.22 грн
500+ 153.1 грн
Мінімальне замовлення: 2
NDS76PT5-20ITInsignis Technology CorporationDescription: IC SDRAM 128MBIT 200MHZ 54TSOP
товар відсутній
NDS76PT5-20ITInsignis Technology CorporationDescription: IC SDRAM 128MBIT 200MHZ 54TSOP
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NDS76PT5-20IT TRInsignis Technology CorporationDescription: IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 4.5 ns
Memory Organization: 8M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+221.8 грн
10+ 191.7 грн
25+ 188.77 грн
50+ 176.69 грн
100+ 157.88 грн
250+ 152.69 грн
500+ 149.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
NDS76PT5-20IT TRInsignis Technology CorporationDescription: IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 4.5 ns
Memory Organization: 8M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+156.76 грн
Мінімальне замовлення: 1000
NDS8140
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8291
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8330FAISO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8330FAI07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8330FAIRCHILDSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8345
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8410NS9642
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8410FAIRCHILD09+
на замовлення 5718 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8410onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
товар відсутній
NDS8410NSSOT-8
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8410NS
на замовлення 71 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8410NS09+ SOP8
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8410onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
товар відсутній
NDS8410NSSOP-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8410FSC
на замовлення 951 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8410NS05+ SOP
на замовлення 398 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8410ANS09+ SOP8
на замовлення 1027 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8410AONSEMIDescription: ONSEMI - NDS8410A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 213245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
553+48.77 грн
Мінімальне замовлення: 553
NDS8410AFairchild
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8410ANSSOT-8
на замовлення 41500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8410AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10.8A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
NDS8410AFAIRCHILDSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8410AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 15 V
товар відсутній
NDS8410ANS09+
на замовлення 232 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8410AFAIRSOP8
на замовлення 380 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8410ANS97
на замовлення 535 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8410AFairchild0045
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8410AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 10.8A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 15 V
на замовлення 213245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
460+47.03 грн
Мінімальне замовлення: 460
NDS8410AFDS09+
на замовлення 52518 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8410AFAISO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8410SFAIRCHILDSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8410SFAISO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8425FAIRCHILDSOT-8
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8425Fairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1098 pF @ 15 V
на замовлення 60029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
367+59.33 грн
Мінімальне замовлення: 367
NDS8425FAI2002 SMD
на замовлення 125 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8425onsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 7.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1098 pF @ 15 V
товар відсутній
NDS8425FAIRCHILD09+
на замовлення 1518 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8425ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 7.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+55.54 грн
12+ 55.03 грн
25+ 54.86 грн
100+ 47.75 грн
250+ 44.07 грн
500+ 42.17 грн
1000+ 42.03 грн
Мінімальне замовлення: 11
NDS8425FAIRCHILDSO-8
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8425ON Semiconductor / FairchildMOSFET N-Channel MOSFET 2.5V Specified
товар відсутній
NDS8425NSSOP-8
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8425onsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 7.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1098 pF @ 15 V
товар відсутній
NDS8425Fairchild
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8425ONSEMIDescription: ONSEMI - NDS8425 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 74964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+70.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NDS8425FAIRCHILD0905+ SOP8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8425ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 7.4A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
NDS8425ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 7.4A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
NDS8425-NLFDS
на замовлення 89000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8425AFAISO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8425AFAI07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8425AFAIRCHILDSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8425NLFAIRCHILD
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8425_NLFAIRCHILD09+
на замовлення 17453 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8425_NLFAIRCHILDSOP8 05+
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8426FAIRCHIL00+ SOP
на замовлення 368 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8426NSSOP-8
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8426AFAIRCHILD
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8426AONSEMIDescription: ONSEMI - NDS8426A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 296640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
822+33 грн
Мінімальне замовлення: 822
NDS8426AFSC
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8426AonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 10.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 10 V
товар відсутній
NDS8426AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 10.5A 8-Pin SOIC N
товар відсутній
NDS8426AFAISO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8426AFAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8426AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 10.5A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 10 V
на замовлення 296640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
683+31.84 грн
Мінімальне замовлення: 683
NDS8426AFSC09+ SO-8
на замовлення 1118 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8426ANLFAIRCHILD
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8433FAI07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8433FAIRCHILDSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8433FSC09+ SO-8
на замовлення 1132 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8433FAISO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8433FSC
на замовлення 142 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8433A
на замовлення 22201 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8434ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 6.5A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
NDS8434onsemi / FairchildMOSFET Single P-Ch FET Enhancement Mode
товар відсутній
NDS8434ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 6.5A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
NDS8434ONSEMIDescription: ONSEMI - NDS8434 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 6.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 700
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товар відсутній
NDS8434ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 6.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+83.96 грн
10+ 81.81 грн
25+ 76.69 грн
Мінімальне замовлення: 8
NDS8434onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 6.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 10 V
товар відсутній
NDS8434ONSEMIDescription: ONSEMI - NDS8434 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 6.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 700
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товар відсутній
NDS8434onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 6.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 10 V
товар відсутній
NDS8434-NL
на замовлення 4080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8434ATI2000
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8434AFAIRCHILD09+
на замовлення 218 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8434AonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 7.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 10 V
товар відсутній
NDS8434AFSC
на замовлення 11206 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8434AFAI2000 SMD
на замовлення 1177 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8434ANSC
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8434AFAIRCHILD
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8434AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 7.8A 8-Pin SOIC N
товар відсутній
NDS8434AFAIRCHILDSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8434Aonsemi / FairchildMOSFET Single P-Ch FET Enhancement Mode
товар відсутній
NDS8434AFSC09+ SO-8
на замовлення 12186 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8434AFAISO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8434A-NLFDS
на замовлення 98000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8434ANLFAIRCHILD
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8434A_L86Zonsemi / Fairchildonsemi
товар відсутній
NDS8434A_NLFAIRCHILD
на замовлення 175200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8434A_NLonsemi / FairchildMOSFET 20V P-CH. FET
товар відсутній
NDS8434NLFAIRCHILD
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8434_D84Zonsemi / FairchildMOSFET
товар відсутній
NDS8434_L86Zonsemi / Fairchildonsemi
товар відсутній
NDS8434_NLFAIRCHILD
на замовлення 51800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8434_Qonsemi / FairchildMOSFET Single P-Ch FET Enhancement Mode
товар відсутній
NDS8435NS
на замовлення 188 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8435onsemi / FairchildMOSFET DISC BY MFG 2/02
товар відсутній
NDS8435NS09+ SOP8
на замовлення 1066 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8435onsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
товар відсутній
NDS8435FAIRCHILD
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8435NS05+ SOP
на замовлення 2588 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8435onsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
товар відсутній
NDS8435NSSOP-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8435-NL
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8435AFAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8435AF99
на замовлення 718 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8435AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 7.9A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
NDS8435ANS09+ SOP8
на замовлення 1074 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8435AFAISO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8435AFAIRCHILD09+
на замовлення 218 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8435AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 7.9A 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V
на замовлення 127265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
333+65.12 грн
Мінімальне замовлення: 333
NDS8435AFSC
на замовлення 228 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8435AFAI07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8435AFairchild
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8435AonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 7.9A 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V
товар відсутній
NDS8435A-NL
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8435A_NLFAIRCHILD09+
на замовлення 2728 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8435A_NLFAIRCHILD
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8435A_NLFSC09+
на замовлення 51018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8436AFAI07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8436AFAIRCHILDSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8436AFAISO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8458AFAI07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8458AFAIRCHILDSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8458AFAISO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8510AFAIRCHILDSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8510AFAISO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8510AFAI07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8521C
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8597
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8839FDSSOP-8
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8839NS09+ SOP8
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8839FAIRCHIL00+ SOP
на замовлення 368 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8839NS
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8839HFAISO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8839HFAIRCHILDSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8839HFAIRCHALSOP8
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8839HNS09+ SOP8
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8839H-NLFAIRCHILDSOP8 99+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8852HonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V 4.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A, 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товар відсутній
NDS8852HFAI07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8852HFAIRCHILDSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8852HFAISO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8856FAIRCHILDSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8856FAISO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8856FAI07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8858NSSOP-8
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8858SIEMENS04+ SOP
на замовлення 918 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8858HFAI07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8858HONSEMIDescription: ONSEMI - NDS8858H - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 11833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
629+42.75 грн
Мінімальне замовлення: 629
NDS8858HFAIRCHILD09+
на замовлення 218 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8858HonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V 6.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A, 4.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товар відсутній
NDS8858HFSC
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8858HFAI
на замовлення 215 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8858HNS09+ SOP8
на замовлення 1022 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8858HFAISO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8858HFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 6.3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A, 4.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 11833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
523+41.24 грн
Мінімальне замовлення: 523
NDS8858HFAIRCHILDSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8858Honsemi / FairchildMOSFET CMOSFET Half Bridge
товар відсутній
NDS8858HonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V 6.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A, 4.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товар відсутній
NDS8858HNS
на замовлення 187 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8858H_L86Zonsemi / Fairchildonsemi
товар відсутній
NDS8858H_NLonsemi / FairchildMOSFET 30V 1/2 BR N/P, 0.035/0.065 O,
товар відсутній
NDS8859NS09+ SOP8
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8859HFAISO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8859HFAI07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8859HFAIRCHILDSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8863AmphenolArray
товар відсутній
NDS8926onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 5.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товар відсутній
NDS8926FAISO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8926NS09+ SOP8
на замовлення 1001 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8926onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 5.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товар відсутній
NDS8926FAI07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8926FAIRCHILDSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8928FAIRCHILDSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8928FAISO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8928FAI07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8928AFSCSOP
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8929FAI07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8929FAIRCHILDSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8929FAISO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8934NS09+ SOP8
на замовлення 1195 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8934FAI07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8934FAIRCHILD09+
на замовлення 218 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8934onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товар відсутній
NDS8934NS
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8934NSSOP-8
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8934ONSEMIDescription: ONSEMI - NDS8934 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
583+53.56 грн
Мінімальне замовлення: 583
NDS8934FAISO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8934Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
485+44.86 грн
Мінімальне замовлення: 485
NDS8934ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.8A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
NDS8934FAIRCHILDSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8936FSC
на замовлення 13246 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8936onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товар відсутній
NDS8936onsemi / FairchildMOSFET Dual N-Ch FET Enhancement Mode
товар відсутній
NDS8936NS
на замовлення 304 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8936FAISO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8936NS09+ SOP8
на замовлення 1029 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8936FARICHILD
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8936onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товар відсутній
NDS8936NSSOP8
на замовлення 2493 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8936NATIONALSOP8
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8936NS00+ SMD
на замовлення 180 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8936FAIRCHILDSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8936Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 6818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
386+56.44 грн
Мінімальне замовлення: 386
NDS8936NSSOP-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8936 SOP8NATIONAL
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8936-NL
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8936MXFSC
на замовлення 1259 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8936SOP8FAIRCHILD
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8936_NLonsemi / FairchildMOSFET RECOMMEND: FDS6912A
товар відсутній
NDS8947FAISO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8947onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 30V 4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товар відсутній
NDS8947FAIRCHILDSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8947onsemi / FairchildMOSFET Dual P-Ch FET Enhancement Mode
товар відсутній
NDS8947ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
NDS8947NSSOP-8
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8947FAI07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8947Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 30V 4A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 6899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
286+75.97 грн
Мінімальне замовлення: 286
NDS8947FAIRCHILD09+
на замовлення 1318 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8947onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 30V 4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товар відсутній
NDS8947NS09+ SOP8
на замовлення 1009 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8947-NLFairchild
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8947_NLonsemi / FairchildMOSFET -30V DMOS P-CHNL DUAL SO8
товар відсутній
NDS8947_Qonsemi / FairchildMOSFET
товар відсутній
NDS8956FAISO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8956FAI07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8956FAIRCHILDSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8958ON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 5.3A/4A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
NDS8958onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V 5.3A/4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A, 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товар відсутній
NDS8958FAISO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8958FAIRCHILD09+
на замовлення 318 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8958NS09+ SOP8
на замовлення 1022 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8958onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V 5.3A/4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A, 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товар відсутній
NDS8958FAI07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8958Fairchild
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8958FAIRCHILDSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8958-NL
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8958AFSC00+ SOP
на замовлення 918 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8958_NLFairchild
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8961FDSSOP-8
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8961NS09+ SOP8
на замовлення 1182 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8961FAIRCHILD9830 SOP8
на замовлення 19873 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8961FSC
на замовлення 430 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8961Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8-SOIC
товар відсутній
NDS8961FAI
на замовлення 6300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8961AFAISO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8961AFAI07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8961AFAIRCHILDSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8961_NLFAIRCHILD
на замовлення 51800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8963FAI07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8963FAIRCHILDSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8963FAISO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9400NS05+ SOP
на замовлення 598 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9400Fairchild SemiconductorDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Power Dissipation (Max): 2W
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
577+40.76 грн
Мінімальне замовлення: 577
NDS9400NSC
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9400NATIONALSOP8
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9400NS09+ SOP8
на замовлення 1087 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9400FSC9652 SOP-8
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9400 SOP8NATIONAL
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9400ANSC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9400AFAISO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9400AFSC
на замовлення 1310 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9400AON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 3.4A 8-SOIC
товар відсутній
NDS9400ANS09+ SOP8
на замовлення 1073 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9400AF99
на замовлення 1116 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9400AFAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9400AON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 3.4A 8-SOIC
товар відсутній
NDS9400ANS
на замовлення 765 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9400SOP8
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9401AFAI07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9401AFAIRCHILDSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9401AFAISO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9405Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 4.3A 8-SOIC
товар відсутній
NDS9405FAI07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9405FAIRCHILDSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9405NS09+ SOP8
на замовлення 1021 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9405Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 4.3A 8-SOIC
товар відсутній
NDS9405FAISO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9405NS
на замовлення 220 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9405_D84ZON Semiconductor / FairchildMOSFET DISC BY MFG 2/02
товар відсутній
NDS9407onsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 732 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.55 грн
5000+ 17.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NDS9407ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
NDS9407ONSEMIDescription: ONSEMI - NDS9407 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.15 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+62.26 грн
16+ 53.32 грн
100+ 33.08 грн
500+ 25.66 грн
Мінімальне замовлення: 14
NDS9407ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
NDS9407ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
NDS9407ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
NDS9407onsemi / FairchildMOSFET Single P-Ch MOSFET Power Trench
товар відсутній
NDS9407onsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 732 pF @ 30 V
на замовлення 7450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.73 грн
10+ 42.94 грн
100+ 29.74 грн
500+ 23.31 грн
1000+ 19.84 грн
Мінімальне замовлення: 7
NDS9407ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
NDS9407ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.91 грн
5000+ 30.08 грн
10000+ 27.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NDS9407-NL
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9407_GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 732 pF @ 30 V
товар відсутній
NDS9407_NLFAIRCHILD09+
на замовлення 12518 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9407_NLFAIRCHILD
на замовлення 51800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9407_Qonsemi / FairchildMOSFET Single P-Ch MOSFET Power Trench
товар відсутній
NDS9410NS1996
на замовлення 709 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9410NS05+ SOP
на замовлення 1188 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9410ANSSOP-8
на замовлення 4300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9410AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
410+54.27 грн
Мінімальне замовлення: 410
NDS9410AFAIRCHIL
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9410AFSC
на замовлення 363 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9410AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
NDS9410ANS09+ SOP8
на замовлення 1640 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9410AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 15 V
товар відсутній
NDS9410AFAISO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9410AFAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9410AONSEMIDescription: ONSEMI - NDS9410A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
493+80.46 грн
Мінімальне замовлення: 493
NDS9410Aonsemi / FairchildMOSFET Single N-Ch FET Enhancement Mode
товар відсутній
NDS9410ANS
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9410AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 15 V
товар відсутній
NDS9410AFAI99 SMD
на замовлення 4440 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9410A-NL
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9410A2500X1.A8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9410A_NLFSC09+
на замовлення 3528 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9410A_Qonsemi / FairchildMOSFET Single N-Ch FET Enhancement Mode
товар відсутній
NDS9410BFAISO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9410BFAI07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9410BFAIRCHILDSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9410SFSC
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9410SFAI07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9410SFAIRCHILDSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9410SFSC09+ SO-8
на замовлення 1024 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9410SFAISO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9412NSSOP-8
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS941OA
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9430NSCSOP
на замовлення 377 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9430FAIRCHILDSO-8
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9430NS
на замовлення 363 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9430Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOIC
товар відсутній
NDS9430NSSOP-8
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9430FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9430TI09+
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9430FSC
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9430Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOIC
товар відсутній
NDS9430NS09+ SOP8
на замовлення 1210 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9430Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOIC
товар відсутній
NDS9430-NLFairchild
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9430AFAISO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9430AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
товар відсутній
NDS9430AFAIRCHILDSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9430AFAI07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9430AFairchild
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9430NLFAIRCHILD
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9430_NLFAIRCHILD
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9431
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9431NLFAIRCHILD
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9431_NLFAIRCHILD
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9435FAI95+
на замовлення 757 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9435Fairchild SemiconductorDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Power Dissipation (Max): 2W
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
317+68.57 грн
Мінімальне замовлення: 317
NDS9435NS09+ SOP8
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9435FAIRCHILDSOP-8
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9435NS95+ SOP-8
на замовлення 874 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9435-NLFAIRCHILDSOP8 09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9435ANS
на замовлення 1048 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9435AFAISO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9435AON Semiconductor / FairchildMOSFET -30V -5.3A P-CH
товар відсутній
NDS9435ANS09+ SOP8
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9435AFAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9435AonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 528 pF @ 15 V
товар відсутній
NDS9435ANSC0436
на замовлення 472 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9435AFSC
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9435ANS07+ОЮ?
на замовлення 10358 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9435AFAIRCHAL
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9435A
Код товару: 58304		FairchildТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 25 V
Id,A: 5,3 A
Rds(on),Om: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 528/10
Монтаж: SMD
товар відсутній
NDS9435AonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 528 pF @ 15 V
товар відсутній
NDS9435ANSSOP-8
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9435AFAIRCHILDSOP-8
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9435AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
NDS9435A-NLFAIRCHILDSOP8 09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9435A_NLFSC09+
на замовлення 100018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9435FDS
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9435NLFAIRCHILD
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9435RFAIRCHILD0624
на замовлення 653 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS96PT4-16ETInsignis Technology CorporationDescription: 16MB, SDR, 50LD TSOPII, PC166, E
Packaging: Tray
Package / Case: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 50-TSOP II
Memory Interface: LVTTL
Memory Organization: 1M x 16
товар відсутній
NDS96PT4-16ET TRInsignis Technology CorporationDescription: 16MB, SDR, 50LD TSOPII, PC166, E
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 50-TSOP II
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 1M x 16
товар відсутній
NDS96PT4-16ITInsignis Technology CorporationDescription: 16MB, SDR, 50LD TSOPII, PC166, I
Packaging: Tray
Package / Case: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 50-TSOP II
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 5.4 ns
Memory Organization: 1M x 16
товар відсутній
NDS96PT4-16IT TRInsignis Technology CorporationDescription: IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 50-TSOP II
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 1M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
NDS96PT4-16IT TRInsignis Technology CorporationDescription: IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 50-TSOP II
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 1M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
NDS9852AFAI07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9852AFAIRCHILDSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9852AFAISO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9905
на замовлення 220 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9917FAI07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9917FAIRCHILDSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9917FAISO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9924AFAI07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9924AFAIRCHILDSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9924AFAISO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9925AFAIRCHILD09+
на замовлення 218 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9925ANS09+ SOP8
на замовлення 1009 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9925AFAISO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9925AFAIRCHILDSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9925AonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A 8-SOIC
товар відсутній
NDS9925AFAI2002 SMD
на замовлення 107 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9933onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.2A 8-SOIC
товар відсутній
NDS9933NS09+ SOP8
на замовлення 1011 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9933onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.2A 8-SOIC
товар відсутній
NDS9933NS05+ SOP
на замовлення 1288 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9933NSSOP-8
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9933NS
на замовлення 168 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9933AFAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9933AFairchild SemiconductorDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
товар відсутній
NDS9933AFAI0102+
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9933AFAISO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9933AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.8A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
NDS9933AonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.8A 8-SOIC
товар відсутній
NDS9933ANS09+ SOP8
на замовлення 1102 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9933AFAI07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9933A_NLFAIRCHILD
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9933A_NLFAIRCHILD09+
на замовлення 2528 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9933NLFAIRCHILD
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9933_NLFAIRCHILD
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9936NS
на замовлення 1814 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9936Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 40970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
555+38.69 грн
Мінімальне замовлення: 555
NDS9936ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
NDS9936NS97+
на замовлення 5489 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9936FAIRCHILDSO-8
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9936FSC
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9936onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5A 8-SOIC
товар відсутній
NDS9936NS09+ SOP8
на замовлення 1388 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9936FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9936onsemi / FairchildMOSFET Dl N-Ch Enhancement
товар відсутній
NDS9936NSSOP-8
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9936FAIRCHILDSOP-8
на замовлення 44990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9936onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5A 8-SOIC
товар відсутній
NDS9936-NL
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9936AFAIRCHILDSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9936AFAISO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9936AFAI07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9936A_NLFAIRCHILD
на замовлення 54500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9936NLFAIRCHILD
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9936_NLFAIRCHILD
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9939NSSOP-8
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9939NS05+ SOP
на замовлення 1188 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS99407NS07+/08+ SOP8
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9942NS
на замовлення 106 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9942onsemiDescription: MOSFET N+P 20V 2.5A 8-SOIC
товар відсутній
NDS9942NSSOP-8
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9942FAI07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9942FAIRCHILDSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9942onsemiDescription: MOSFET N+P 20V 2.5A 8-SOIC
товар відсутній
NDS9942NS09+ SOP8
на замовлення 1001 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9942FAISO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9942-NLFAIRCHILDSOP8 0919+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9943FAISO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9943onsemi / FairchildMOSFET DISC BY MFG 2/02
товар відсутній
NDS9943onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.8A 8SOIC
товар відсутній
NDS9943FAI07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9943FAIRCHILDSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9943onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.8A 8SOIC
товар відсутній
NDS9945onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товар відсутній
NDS9945ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
NDS9945ONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 3.5A; 2W; SO8
Power dissipation: 2W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.5A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Gate charge: 30nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
NDS9945ONSEMIDescription: ONSEMI - NDS9945 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.076 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 3.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.6
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.076
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.7
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NDS9945ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+86.54 грн
10+ 77.96 грн
25+ 77.18 грн
100+ 66.48 грн
250+ 59.77 грн
500+ 48.51 грн
Мінімальне замовлення: 8
NDS9945onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 3027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.97 грн
10+ 101.51 грн
100+ 80.75 грн
500+ 64.12 грн
1000+ 54.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
NDS9945ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
132+93.2 грн
147+ 83.96 грн
148+ 83.12 грн
166+ 71.59 грн
250+ 64.36 грн
500+ 52.25 грн
Мінімальне замовлення: 132
NDS9945ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+57.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NDS9945ONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 3.5A; 2W; SO8
Power dissipation: 2W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.5A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Gate charge: 30nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
товар відсутній
NDS9945onsemi / FairchildMOSFETs Dl N-Ch Enhancement
на замовлення 12350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+131.87 грн
10+ 104.15 грн
100+ 76.8 грн
250+ 74.63 грн
500+ 64.56 грн
1000+ 55.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
NDS9945-NL
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9945.ONSEMIDescription: ONSEMI - NDS9945. - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+148.74 грн
10+ 110.54 грн
100+ 80.14 грн
500+ 58.19 грн
2500+ 52.67 грн
Мінімальне замовлення: 6
NDS9945.ONSEMIDescription: ONSEMI - NDS9945. - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+84.53 грн
500+ 57.66 грн
2500+ 52.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
NDS9945NLFAIRCHILD
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9945_NLFSC09+
на замовлення 2228 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9946FAISO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9946FAI07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9946FAIRCHILDSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS9947FAISO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)