Технічний опис NDS8958 FAI
Description: MOSFET N/P-CH 30V 5.3A/4A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 900mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A, 4A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.3A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC.
Інші пропозиції NDS8958
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| NDS8958 | Виробник : FAI |
 SO-8 |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| NDS8958 | Виробник : Fairchild |
|
на замовлення 7500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| NDS8958 | Виробник : FAIRCHILD |
09+ |
на замовлення 318 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| NDS8958 | Виробник : FAIRCHILD |
SO-8 |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| NDS8958 | Виробник : NS |
09+ SOP8 |
на замовлення 1022 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
NDS8958 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 5.3A/4A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|
 |
NDS8958 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 5.3A/4A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A, 4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
товар відсутній |
|
|
|
NDS8958 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 5.3A/4A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A, 4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
товар відсутній |