![NDS8435A NDS8435A](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/1028/261;MKT-M08A;M,D,TF;8.jpg)
NDS8435A Fairchild Semiconductor
![FAIRS34576-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET P-CH 30V 7.9A 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V
на замовлення 127265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
333+ | 60.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NDS8435A Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 7.9A 8SOIC, Packaging: Tube, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V.
Інші пропозиції NDS8435A
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
NDS8435A | Виробник : F |
![]() ![]() |
на замовлення 718 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
NDS8435A | Виробник : FAI |
![]() ![]() |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
NDS8435A | Виробник : FAI |
![]() ![]() |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
NDS8435A | Виробник : Fairchild |
![]() ![]() |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
NDS8435A | Виробник : FAIRCHILD |
![]() ![]() |
на замовлення 218 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
NDS8435A | Виробник : FAIRCHILD |
![]() ![]() |
на замовлення 41000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
NDS8435A | Виробник : FSC |
![]() ![]() |
на замовлення 228 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
NDS8435A | Виробник : NS |
![]() ![]() |
на замовлення 1074 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
![]() |
NDS8435A | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
NDS8435A | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V |
товар відсутній |