NDS8410A Fairchild Semiconductor
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 10.8A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 10.8A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 15 V
на замовлення 213245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
460+ | 45.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NDS8410A Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 10.8A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 15 V.
Інші пропозиції NDS8410A за ціною від 46.91 грн до 46.91 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NDS8410A | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDS8410A - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 213245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
NDS8410A | Виробник : FAI | SO-8 |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
NDS8410A | Виробник : FAIR | SOP8 |
на замовлення 380 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
NDS8410A | Виробник : Fairchild |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||
NDS8410A | Виробник : Fairchild | 0045 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
NDS8410A | Виробник : FAIRCHILD | SO-8 |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
NDS8410A | Виробник : FDS | 09+ |
на замовлення 52518 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
NDS8410A | Виробник : NS | 09+ |
на замовлення 232 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
NDS8410A | Виробник : NS | 09+ SOP8 |
на замовлення 1027 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
NDS8410A | Виробник : NS | 97 |
на замовлення 535 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
NDS8410A | Виробник : NS | SOT-8 |
на замовлення 41500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
NDS8410A | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 10.8A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
||||||
NDS8410A | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 10.8A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 15 V |
товар відсутній |