![NDS355AN NDS355AN](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2010/10/18/8/7/33/47/fsc_/manual/supersot-3.jpg)
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 11.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NDS355AN ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NDS355AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.7 A, 0.065 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 500mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції NDS355AN за ціною від 9.77 грн до 56.99 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NDS355AN | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NDS355AN | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NDS355AN | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NDS355AN | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 93000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NDS355AN | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 500mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NDS355AN | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NDS355AN | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NDS355AN | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NDS355AN | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NDS355AN | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2329 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NDS355AN | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V |
на замовлення 37274 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NDS355AN | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 326 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NDS355AN | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 208667 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NDS355AN | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.7A; 0.5W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Power dissipation: 0.5W Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 0.23Ω Drain current: 1.7A Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 5nC Drain-source voltage: 30V Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V |
на замовлення 1090 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NDS355AN | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.7A; 0.5W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Power dissipation: 0.5W Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 0.23Ω Drain current: 1.7A Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 5nC Drain-source voltage: 30V Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1090 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NDS355AN | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 326 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
NDS355AN | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 1874 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
NDS355AN | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |