на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 85.09 грн |
| 10+ | 76.66 грн |
| 25+ | 75.89 грн |
| 100+ | 65.36 грн |
| 250+ | 58.77 грн |
| 500+ | 47.7 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NDS9945 ON Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 900mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active.
Інші пропозиції NDS9945 за ціною від 51.37 грн до 126.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NDS9945 | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NDS9945 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 3027 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NDS9945 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET Dl N-Ch Enhancement |
на замовлення 64 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NDS9945 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
NDS9945 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
NDS9945 | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 3.5A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 3.5A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: SMD Gate charge: 30nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
NDS9945 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
NDS9945 | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 3.5A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 3.5A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: SMD Gate charge: 30nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |