NDS0605

NDS0605 ON Semiconductor


nds0605-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NDS0605 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NDS0605 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 180 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції NDS0605 за ціною від 2.41 грн до 30.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NDS0605 NDS0605 Виробник : ON Semiconductor nds0605-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15000+2.54 грн
30000+ 2.41 грн
Мінімальне замовлення: 15000
NDS0605 NDS0605 Виробник : ON Semiconductor nds0605-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.07 грн
24000+ 2.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NDS0605 NDS0605 Виробник : ON Semiconductor nds0605-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NDS0605 NDS0605 Виробник : ON Semiconductor nds0605-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3659+3.3 грн
24000+ 3.18 грн
Мінімальне замовлення: 3659
NDS0605 NDS0605 Виробник : ON Semiconductor nds0605-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3481+3.47 грн
Мінімальне замовлення: 3481
NDS0605 NDS0605 Виробник : ON Semiconductor nds0605-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.66 грн
12000+ 4.25 грн
24000+ 3.96 грн
36000+ 3.6 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NDS0605 NDS0605 Виробник : ONSEMI 2304442.pdf Description: ONSEMI - NDS0605 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 180 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 44639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+7.19 грн
Мінімальне замовлення: 500
NDS0605 NDS0605 Виробник : ONSEMI NDS0605.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.18A; 0.36W; SOT23
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.18A
On-state resistance:
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 2.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SOT23
на замовлення 4505 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
35+11.88 грн
80+ 4.65 грн
100+ 4.17 грн
265+ 3.23 грн
725+ 3.05 грн
Мінімальне замовлення: 35
NDS0605 NDS0605 Виробник : ONSEMI NDS0605.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.18A; 0.36W; SOT23
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.18A
On-state resistance:
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 2.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 4505 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+14.26 грн
50+ 5.79 грн
100+ 5.01 грн
265+ 3.88 грн
725+ 3.67 грн
Мінімальне замовлення: 20
NDS0605 NDS0605 Виробник : onsemi nds0605-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 180MA SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 79 pF @ 25 V
на замовлення 2086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+25.63 грн
18+ 16.55 грн
100+ 8.07 грн
500+ 6.31 грн
1000+ 4.38 грн
Мінімальне замовлення: 12
NDS0605 NDS0605 Виробник : onsemi / Fairchild NDS0605_D-2317892.pdf MOSFETs P-Channel FET Enhancement Mode
на замовлення 17227 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+27.24 грн
20+ 16.75 грн
100+ 6.48 грн
1000+ 4.46 грн
3000+ 3.55 грн
9000+ 3 грн
24000+ 2.79 грн
Мінімальне замовлення: 12
NDS0605 NDS0605 Виробник : ONSEMI 2304442.pdf Description: ONSEMI - NDS0605 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 180 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 44619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
26+30.65 грн
43+ 18.37 грн
100+ 7.9 грн
500+ 7.19 грн
Мінімальне замовлення: 26
NDS0605 NDS0605 Виробник : ON Semiconductor nds0605-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NDS0605 NDS0605 Виробник : ON Semiconductor nds0605-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NDS0605 NDS0605 Виробник : onsemi nds0605-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 180MA SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 79 pF @ 25 V
товар відсутній