NDS352AP

NDS352AP ON Semiconductor


nds352ap-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9.27 грн
9000+ 8.8 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NDS352AP ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NDS352AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 900 mA, 0.25 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 900mA, hazardous: true, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm.

Інші пропозиції NDS352AP за ціною від 8.05 грн до 36.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NDS352AP NDS352AP Виробник : ON Semiconductor nds352ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NDS352AP NDS352AP Виробник : ON Semiconductor nds352ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9.78 грн
9000+ 9.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NDS352AP NDS352AP Виробник : onsemi nds352ap-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 900MA SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+10.25 грн
6000+ 9.37 грн
9000+ 8.7 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NDS352AP NDS352AP Виробник : ONSEMI 2304444.pdf Description: ONSEMI - NDS352AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 900 mA, 0.25 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: true
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+10.4 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NDS352AP NDS352AP Виробник : ON Semiconductor nds352ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+10.54 грн
9000+ 10.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NDS352AP NDS352AP Виробник : ON Semiconductor nds352ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+12.49 грн
6000+ 11.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NDS352AP NDS352AP Виробник : ONSEMI NDS352AP.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.9A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -0.9A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+15.39 грн
70+ 12.41 грн
190+ 11.76 грн
Мінімальне замовлення: 25
NDS352AP NDS352AP Виробник : ON Semiconductor nds352ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+16.94 грн
6000+ 15.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NDS352AP NDS352AP Виробник : ONSEMI 2304444.pdf Description: ONSEMI - NDS352AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 900 mA, 0.25 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
на замовлення 18004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+19.15 грн
500+ 15.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
NDS352AP NDS352AP Виробник : ONSEMI NDS352AP.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.9A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -0.9A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+22.05 грн
25+ 19.18 грн
70+ 14.9 грн
190+ 14.11 грн
3000+ 13.68 грн
Мінімальне замовлення: 15
NDS352AP NDS352AP Виробник : ON Semiconductor nds352ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
451+26.81 грн
608+ 19.9 грн
614+ 19.69 грн
792+ 14.72 грн
Мінімальне замовлення: 451
NDS352AP NDS352AP Виробник : onsemi nds352ap-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 900MA SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 15 V
на замовлення 9951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+30.15 грн
12+ 25.05 грн
100+ 17.4 грн
500+ 12.75 грн
1000+ 10.36 грн
Мінімальне замовлення: 10
NDS352AP NDS352AP Виробник : ON Semiconductor nds352ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+31.22 грн
23+ 27.01 грн
25+ 24.89 грн
100+ 17.82 грн
250+ 16.32 грн
500+ 12.15 грн
1000+ 8.05 грн
Мінімальне замовлення: 20
NDS352AP NDS352AP Виробник : onsemi / Fairchild NDS352AP_D-2317952.pdf MOSFET P-Ch LL FET Enhancement Mode
на замовлення 46898 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+32.52 грн
12+ 27.57 грн
100+ 16.73 грн
500+ 13.03 грн
1000+ 10.66 грн
3000+ 8.92 грн
9000+ 8.64 грн
Мінімальне замовлення: 10
NDS352AP NDS352AP Виробник : ONSEMI 2304444.pdf Description: ONSEMI - NDS352AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 900 mA, 0.25 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
на замовлення 18004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+36.51 грн
26+ 30.72 грн
100+ 19.15 грн
500+ 15.24 грн
Мінімальне замовлення: 22
NDS352AP NDS352AP Виробник : ON Semiconductor nds352ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NDS352AP NDS352AP Виробник : ON Semiconductor nds352ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній