Технічний опис NDS8410 FAIRCHILD
Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): 20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V.
Інші пропозиції NDS8410
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| NDS8410 | Виробник : FSC |
 |
на замовлення 951 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| NDS8410 | Виробник : NS |
|
на замовлення 71 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| NDS8410 | Виробник : NS |
05+ SOP |
на замовлення 398 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| NDS8410 | Виробник : NS |
09+ SOP8 |
на замовлення 1270 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| NDS8410 | Виробник : NS |
9642 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| NDS8410 | Виробник : NS |
SOP-8 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| NDS8410 | Виробник : NS |
SOT-8 |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
NDS8410 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): 20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V |
товар відсутній |
|
|
|
NDS8410 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): 20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V |
товар відсутній |