![NDS332P NDS332P](https://download.siliconexpert.com/pdfs2/2020/2/20/10/41/26/30496/ons_/manual/nds332p.jpg)
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 9.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NDS332P ON Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 1A SUPERSOT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.1A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 10 V.
Інші пропозиції NDS332P за ціною від 4.36 грн до 42.14 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NDS332P | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NDS332P | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 10 V |
на замовлення 96000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NDS332P | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NDS332P | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1A; 0.5W; SuperSOT-3 Kind of channel: enhanced Case: SuperSOT-3 Gate-source voltage: ±8V Mounting: SMD Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Type of transistor: P-MOSFET On-state resistance: 0.74Ω Drain current: -1A Drain-source voltage: -20V Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 5nC |
на замовлення 1769 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NDS332P | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1A; 0.5W; SuperSOT-3 Kind of channel: enhanced Case: SuperSOT-3 Gate-source voltage: ±8V Mounting: SMD Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Type of transistor: P-MOSFET On-state resistance: 0.74Ω Drain current: -1A Drain-source voltage: -20V Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 5nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1769 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NDS332P | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 10 V |
на замовлення 96330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NDS332P | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 22096 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NDS332P | Виробник : ONSEMI |
![]() Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 1 Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5 MSL: - Verlustleistung Pd: 500 Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 600 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 12974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
NDS332P | Виробник : Fairchild |
![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
NDS332P | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
NDS332P | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
NDS332P | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |