Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > NDS8858H
NDS8858H

NDS8858H Fairchild Semiconductor

FAIRS34575-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A, 4.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 11833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
523+39.67 грн
Мінімальне замовлення: 523
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NDS8858H Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.3A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A, 4.8A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.8A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC.

Інші пропозиції NDS8858H за ціною від 41.12 грн до 41.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NDS8858H NDS8858H Виробник : ONSEMI FAIRS34575-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - NDS8858H - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 11833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
629+41.12 грн
Мінімальне замовлення: 629
NDS8858H Виробник : FAI FAIRS34575-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw NDS8858H.pdf
на замовлення 215 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8858H Виробник : FAI FAIRS34575-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw NDS8858H.pdf 07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8858H Виробник : FAI FAIRS34575-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw NDS8858H.pdf SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8858H Виробник : FAIRCHILD FAIRS34575-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw NDS8858H.pdf 09+
на замовлення 218 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8858H Виробник : FAIRCHILD FAIRS34575-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw NDS8858H.pdf SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8858H Виробник : FSC FAIRS34575-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw NDS8858H.pdf
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8858H Виробник : NS FAIRS34575-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw NDS8858H.pdf
на замовлення 187 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8858H Виробник : NS FAIRS34575-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw NDS8858H.pdf 09+ SOP8
на замовлення 1022 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDS8858H NDS8858H Виробник : onsemi NDS8858H.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A, 4.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товар відсутній
NDS8858H NDS8858H Виробник : onsemi NDS8858H.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A, 4.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товар відсутній
NDS8858H NDS8858H Виробник : onsemi / Fairchild NDS8858H-1301562.pdf MOSFET CMOSFET Half Bridge
товар відсутній