Продукція > IPD
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IPD 2131 | OSRAM Opto Semiconductors | Alphanumeric Displays Panel 8DIGIT 280LED Yellow Automotive 24-Pin CDIP | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD 2132 | OSRAM Opto Semiconductors | Alphanumeric Displays Panel 8DIGIT 280LED Hi-Eff. Red Automotive 24-Pin CDIP | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD 2133 | OSRAM Opto Semiconductors | Alphanumeric Displays Panel 8DIGIT 280LED Hi-Eff. Green Automotive 24-Pin CDIP | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD 2545 A | OSRAM Opto Semiconductors | Alphanumeric Displays Panel 4DIGIT 140LED Hi-Eff. Red Automotive 20-Pin CDIP | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD 2547 A | OSRAM Opto Semiconductors | Alphanumeric Displays Panel 4DIGIT 140LED Green Automotive 20-Pin CDIP | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD 2548 A | OSRAM Opto Semiconductors | Alphanumeric Displays Panel 4DIGIT 140LED Yellow Automotive 20-Pin CDIP | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD CLICK - TPD2015 | MIKROE | MIKROE-6074 Add-on boards | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD CLICK - TPD2017 | MIKROE | MIKROE-6075 Add-on boards | на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD P 5P2.5 F BK | Phoenix Contact | Steckverbinder, Push-Lock-Anschluss, Polzahl: 4+PE, 600 V, 17,5 A, schwarz, Leitungsauendurchmesser: 7 mm ... 11 mm und 11 mm ... 16 mm, Push-Lock-Anschluss | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD PL 5P2.5 M BK | Phoenix Contact | Steckverbinder, Push-Lock-Anschluss, Polzahl: 4+PE, 600 V, 17,5 A, schwarz, Leitungsauendurchmesser: 7 mm ... 11 mm und 11 mm ... 16 mm, Push-Lock-Anschluss | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD WD 3P2,5 M20 BK | Phoenix Contact | Panel feed-through, Push-in connection, number of positions: 2+PE, 0.5 mm² . 2.5 mm², 690 V, 20 A, black, cable diameter range: 6 mm . 9 mm and 8 mm . 13 mm, Push-in connection | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD WD 3P2.5 M20 GY | Phoenix Contact | Panel feed-through, Push-in connection, number of positions: 2+PE, 0.5 mm² . 2.5 mm², 690 V, 20 A, light gray, cable diameter range: 6 mm . 9 mm and 8 mm . 13 mm, Push-in connection | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD WD 5P2,5 M25 GY | Phoenix Contact | 1047344 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD023N04NF2SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N | на замовлення 2450 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD023N04NF2SATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH <= 40V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 143A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 81µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V | на замовлення 1691 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD023N04NF2SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD023N04NF2SATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH <= 40V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 143A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 81µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD024N06N | Infineon Technologies | MOSFETs 60V TO-252 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD024N06NATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD025N06N | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 90A DPAK-2 | на замовлення 14080 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD025N06N | Infineon technologies | на замовлення 2479 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
IPD025N06N | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD025N06NATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD025N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0021 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 7093 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD025N06NATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD025N06NATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD025N06NATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD025N06NATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD025N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0021 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 7093 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD025N06NATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 95µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 30 V | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD025N06NATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 8102 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD025N06NATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 167W; PG-TO252-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 90A Power dissipation: 167W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced | на замовлення 1797 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD025N06NATMA1 Код товару: 169019 | Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | ||||||||||||||||||||
IPD025N06NATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 90A DPAK-2 | на замовлення 9380 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD025N06NATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 303 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD025N06NATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 167W; PG-TO252-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 90A Power dissipation: 167W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1797 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD025N06NATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD025N06NATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 95µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 30 V | на замовлення 9895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD025N06NATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD028N06NF2SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD028N06NF2SATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 139A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.85mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 80µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 30 V | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD028N06NF2SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N | на замовлення 1944 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD028N06NF2SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD028N06NF2SATMA1 | Infineon Technologies | SP005588978 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD028N06NF2SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD028N06NF2SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD028N06NF2SATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 139A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.85mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 80µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 30 V | на замовлення 1883 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD028N06NF2SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD028N06NF2SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD029N04NF2SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD029N04NF2SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD029N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 131 A, 0.0024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 131A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD029N04NF2SATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH <= 40V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 131A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 53µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 20 V | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD029N04NF2SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD029N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 131 A, 0.0024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 131A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD029N04NF2SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH <= 40V | на замовлення 2056 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD029N04NF2SATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH <= 40V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 131A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 53µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 20 V | на замовлення 1981 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD031N03L G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS 3 | на замовлення 2157 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD031N03L G E8177 | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD031N03LG | INFINEON | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
IPD031N03LGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3 Case: PG-TO252-3 Mounting: SMD On-state resistance: 3.1mΩ Drain-source voltage: 30V Drain current: 79A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 94W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2125 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD031N03LGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD031N03LGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 15 V | на замовлення 3923 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD031N03LGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3 Case: PG-TO252-3 Mounting: SMD On-state resistance: 3.1mΩ Drain-source voltage: 30V Drain current: 79A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 94W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V | на замовлення 2125 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD031N03LGATMA1 Код товару: 149574 | Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | ||||||||||||||||||||
IPD031N03LGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD031N03LGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD031N03LGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 15 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD031N03LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS 3 | на замовлення 2469 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD031N03LGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD031N03LGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD031N03LGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 9970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD031N03LGATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD031N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 0.0026 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 94W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2156 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD031N03LGBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 90A DPAK-2 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD031N03LGBTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD031N03LGBTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD031N03LGBTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 15 V | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD031N03M G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 30A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 15 V | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD031N06L3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 100A DPAK-2 OptiMOS 3 | на замовлення 2312 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD031N06L3G | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD031N06L3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD031N06L3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD031N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0025 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1857 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD031N06L3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3 Case: PG-TO252-3 Mounting: SMD On-state resistance: 3.1mΩ Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 167W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1137 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD031N06L3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD031N06L3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD031N06L3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 100A DPAK-2 OptiMOS 3 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD031N06L3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD031N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0025 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1857 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD031N06L3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V | на замовлення 64750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD031N06L3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Channel 60V 100A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 | на замовлення 2 шт: термін постачання 5 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD031N06L3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD031N06L3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD031N06L3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3 Case: PG-TO252-3 Mounting: SMD On-state resistance: 3.1mΩ Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 167W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V | на замовлення 1137 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD031N06L3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 10164 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD031N06L3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD031N06L3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD033N06NATMA1 | Infineon Technologies | Power Management Specialised - PMIC TRENCH 40<-<100V | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD033N06NATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD033N06NATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD033N06NATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD033N06NATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V | на замовлення 2175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD034N06N3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 100A DPAK-2 OptiMOS 3 | на замовлення 5128 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD034N06N3 G | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2080 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD034N06N3G | Infineon technologies | на замовлення 1400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
IPD034N06N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD034N06N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD034N06N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD034N06N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD034N06N3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD034N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0028 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 4961 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD034N06N3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 93µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V | на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD034N06N3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3 Mounting: SMD Case: PG-TO252-3 Power dissipation: 167W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A On-state resistance: 3.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1213 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD034N06N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD034N06N3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3 Mounting: SMD Case: PG-TO252-3 Power dissipation: 167W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A On-state resistance: 3.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET | на замовлення 1213 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD034N06N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD034N06N3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD034N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0028 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 4961 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD034N06N3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 93µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V | на замовлення 15533 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD035N06L3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD035N06L3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD036N04L G Код товару: 166396 | Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | ||||||||||||||||||||
IPD036N04L G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS 3 | на замовлення 465 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD036N04LGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-31 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 20 V | на замовлення 37500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD036N04LGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 90A T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD036N04LGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD036N04LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH <= 40V | на замовлення 7149 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD036N04LGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-31 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 20 V | на замовлення 41162 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD036N04LGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD036N04LGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD036N04LGBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS 3 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD036N04LGBTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 20 V | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD036N04LGBTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD036N04LGBTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 20 V | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD036N04LGBTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD038N04N G | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD038N04N G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 90A DPAK-2 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD038N04NGBTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD038N04NGBTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD038N04NGBTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD038N04NGXT | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD038N04NGXT | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD038N06N3 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
IPD038N06N3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 90A DPAK-2 OptiMOS 3 | на замовлення 16647 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD038N06N3G | INFINEON | 09+ QFP-64 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD038N06N3G | Infineon Technologies | Description: IPD038N06N3G | на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD038N06N3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | IPD038N06N3GATMA1 SMD N channel transistors | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD038N06N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 692 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD038N06N3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 30 V | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD038N06N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD038N06N3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 30 V | на замовлення 2412 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD038N06N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD038N06NF2SATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 52µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 30 V | на замовлення 1430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD038N06NF2SATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 52µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 30 V | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD038N06NF2SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD038N06NF2SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N | на замовлення 3831 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD03N03LA | infineon | to-252/d-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD03N03LA | infineon | 07+ to-252/d-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD03N03LA G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 90A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V | на замовлення 1033 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD03N03LA G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 90A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD03N03LAG | infineon | to-252/d-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD03N03LAG | infineon | 07+ to-252/d-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD03N03LAP | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
IPD03N03LB | infineon | to-252/d-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD03N03LB | infineon | 07+ to-252/d-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD03N03LB G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD03N03LB G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD03NLBG | infineon | to-252/d-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD03NLBG | infineon | 07+ to-252/d-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD040N03L G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS 3 | на замовлення 4815 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD040N03L G E8177 | Infineon Technologies | MOSFET | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD040N03LG | Infineon Technologies | Description: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD040N03LGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 79A Power dissipation: 94W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced | на замовлення 2264 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD040N03LGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD040N03LGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 79A Power dissipation: 94W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2264 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD040N03LGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V | на замовлення 186 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD040N03LGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1888 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD040N03LGATMA1 Код товару: 128410 | Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | ||||||||||||||||||||
IPD040N03LGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1888 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD040N03LGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD040N03LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH <= 40V | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD040N03LGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD040N03LGBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 90A DPAK-2 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD040N03LGBTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD040N03LGBTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-31 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD040N08NF2SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD040N08NF2SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 129A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V | на замовлення 3357 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD040N08NF2SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N | на замовлення 893 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD040N08NF2SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 129A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD042P03L3 G | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -30V 70A DPAK-2 OptiMOS P3 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD042P03L3G | Infineon technologies | на замовлення 178 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
IPD042P03L3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD042P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, p-Kanal, 30 V, 70 A, 0.0035 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 15108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD042P03L3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD042P03L3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12400 pF @ 15 V | на замовлення 15602 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD042P03L3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | IPD042P03L3GATMA1 SMD P channel transistors | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD042P03L3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 3990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD042P03L3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12400 pF @ 15 V | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD042P03L3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD042P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, p-Kanal, 30 V, 70 A, 0.0035 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 18039 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD042P03L3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD042P03L3GATMA1 | Infineon Technologies | OptiMOS P3 Power-Transistor | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD042P03L3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH <= 40V | на замовлення 20408 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD042P03L3GBTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12400 pF @ 15 V | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD042P03L3GBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -30V 70A DPAK-2 OptiMOS P3 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD042P03L3GBTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12400 pF @ 15 V | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD046N08N5 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH 40<-<100V | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD046N08N5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD046N08N5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD046N08N5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD046N08N5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 65µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V | на замовлення 6860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD046N08N5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS | на замовлення 2396 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD046N08N5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD046N08N5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 65µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD048N06L3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 90A DPAK-2 OptiMOS 3 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD048N06L3 G | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD048N06L3 G | Infineon | на замовлення 42500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
IPD048N06L3G | Infineon technologies | на замовлення 14 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
IPD048N06L3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 58µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-311 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD048N06L3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD048N06L3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 58µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-311 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V | на замовлення 15025 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD048N06L3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N | на замовлення 3666 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD048N06L3GATMA1 | Infineon Technologies | IPD048N06L3 G | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD048N06L3GBTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD048N06L3GBTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 58µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD048N06L3GBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH 40<-<100V | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD048N06L3GBTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD048N06L3GBTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 58µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD048N06L3GBTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 676 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD04N03L | Infineon | 03+ | на замовлення 2690 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD04N03L | infineon | to-252/d-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD04N03L | infineon | 07+ to-252/d-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD04N03LA | infineon | to-252/d-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD04N03LA | Infineon | 0522+ | на замовлення 1250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD04N03LA G | INFINEON | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD04N03LA G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5199 pF @ 15 V | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD04N03LA G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 25V 50A DPAK-2 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD04N03LA G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5199 pF @ 15 V | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD04N03LAG | infineon | to-252/d-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD04N03LAG | infineon | 0522+ | на замовлення 32 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD04N03LB G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V | на замовлення 1119 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD04N03LB G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD04N03LB G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD04N03LBG | infineon | to-252/d-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD04N03LBG | Rochester Electronics, LLC | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD050N03L G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS 3 | на замовлення 2429 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD050N03L G | Infineon | на замовлення 129200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
IPD050N03L G | Infineon Technologies | Description: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD050N03LGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO252-3 Case: PG-TO252-3 Mounting: SMD On-state resistance: 5mΩ Drain-source voltage: 30V Drain current: 50A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 68W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2332 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD050N03LGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD050N03LGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1226 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD050N03LGATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD050N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 6308 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD050N03LGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD050N03LGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 3216 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD050N03LGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO252-3 Case: PG-TO252-3 Mounting: SMD On-state resistance: 5mΩ Drain-source voltage: 30V Drain current: 50A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 68W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V | на замовлення 2332 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD050N03LGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V | на замовлення 13430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD050N03LGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1226 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD050N03LGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD050N03LGATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD050N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 6308 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD050N03LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS 3 | на замовлення 3794 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD050N03LGBTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD050N03LGBTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD050N03LGBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 50A DPAK-2 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD050N10N5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD050N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0043 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2381 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD050N10N5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD050N10N5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS | на замовлення 7375 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD050N10N5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 50 V | на замовлення 7271 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD050N10N5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD050N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0043 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2381 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD050N10N5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 4157 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD050N10N5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 50 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD050N10N5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 4980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD050N10N5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD050N10NF2SATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Discontinued at Digi-Key | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD050N10NF2SATMA1 | Infineon Technologies | Infineon | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD052N10NF2SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N | на замовлення 2000 шт: термін постачання 105-114 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD052N10NF2SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD052N10NF2SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 118A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD053N06N | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 45A DPAK-2 | на замовлення 3338 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD053N06N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 200V 90A DPAK-2 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD053N06N3GBTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD053N06N3GBTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 58µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 30 V | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD053N06N3GBTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 58µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 30 V | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD053N06N3GXT | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD053N06NATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD053N06NATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 45A DPAK-2 | на замовлення 17943 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD053N06NATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD053N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 0.0045 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 45A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 26532 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD053N06NATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD053N06NATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD053N06NATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 18A/45A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V | на замовлення 6835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD053N06NATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 7483 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD053N06NATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD053N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 0.0045 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 45A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 26532 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD053N06NATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | IPD053N06NATMA1 SMD N channel transistors | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD053N06NATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD053N06NATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 7483 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD053N06NATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 4965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD053N06NATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD053N06NATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 18A/45A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD053N08N3 G | Infineon | на замовлення 45000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
IPD053N08N3 G | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD053N08N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 80V 90A DPAK-2 OptiMOS 3 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD053N08N3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V | на замовлення 14465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD053N08N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD053N08N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N | на замовлення 61372 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD053N08N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD053N08N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD053N08N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD053N08N3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V | на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD053N08N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 4198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD053N08N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 110000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD053N08N3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD053N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 0.0053 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: OptiMOS 3 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 20276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD053N08N3GATMA1 | Infineon | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
IPD053N08N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1504 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD053N08N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1504 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD053N08N3GBTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD053N08N3GBTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD053N08N3GBTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD053N08N3GBTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD053N08N3GBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 80V 90A DPAK-2 OptiMOS 3 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD055N08NF2SATMA1 Код товару: 199783 | Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | ||||||||||||||||||||
IPD055N08NF2SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD055N08NF2SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD055N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 98 A, 0.0047 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 98A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StronglRFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 657 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD055N08NF2SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N | на замовлення 1619 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD055N08NF2SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 98A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 55µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD055N08NF2SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 98A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 55µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V | на замовлення 1785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD055N08NF2SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD055N08NF2SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD055N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 98 A, 0.0047 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 98A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StronglRFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 657 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD05N03 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
IPD05N03LA | infineon | to-252/d-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD05N03LA | infineon | 07+ to-252/d-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD05N03LA G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD05N03LA G | INFINEON | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD05N03LAG | infineon | to-252/d-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD05N03LAG | infineon | 07+ to-252/d-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD05N03LB | infineon | to-252/d-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD05N03LB | infineon | 07+ to-252/d-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD05N03LB G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD05N03LBG | infineon | to-252/d-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD060N03L G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS 3 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD060N03L G | INFINEON | Description: INFINEON - IPD060N03L G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 50 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 56 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2 Verlustleistung: 56 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD060N03L G E8177 | Infineon Technologies | MOSFET | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD060N03LG | UMW | Description: MOSFET N-CH 30V 50A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD060N03LG | UMW | Description: MOSFET N-CH 30V 50A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD060N03LG (Транзистори польові N-канал) (IPD060N03LGATMA1) Код товару: 45565 | Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | ||||||||||||||||||||
IPD060N03LGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V | на замовлення 249 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD060N03LGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD060N03LGATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD060N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 56W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2292 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD060N03LGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 43A; 56W; PG-TO252-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 43A Power dissipation: 56W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced | на замовлення 85 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD060N03LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 50A DPAK-2 | на замовлення 3945 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD060N03LGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD060N03LGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD060N03LGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD060N03LGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 43A; 56W; PG-TO252-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 43A Power dissipation: 56W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 85 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD060N03LGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD060N03LGATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD060N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 56W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2292 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD060N03LGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2796 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD060N03LGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD060N03LGBTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD060N03LGBTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD060N03LGINCT | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD068N10N3 G | Infineon | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
IPD068N10N3 G | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 4999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD068N10N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 90A DPAK-2 OptiMOS 3 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD068N10N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD068N10N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD068N10N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2034 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD068N10N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD068N10N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2034 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD068N10N3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD068N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0057 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: 0 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: 0 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: 0 Rds(on)-Prüfspannung: 0 Betriebstemperatur, max.: 0 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2086 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD068N10N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH >=100V | на замовлення 39536 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD068N10N3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V | на замовлення 10517 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD068N10N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 7350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD068N10N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD068N10N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD068N10N3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD068N10N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD068N10N3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD068N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0057 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: 0 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: 0 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: 0 Rds(on)-Prüfspannung: 0 Betriebstemperatur, max.: 0 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2086 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD068N10N3GBTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD068P03L3 G | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -30V -70A DPAK-2 OptiMOS P3 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD068P03L3 G | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3 | на замовлення 6607 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD068P03L3 G | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3 | на замовлення 6607 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD068P03L3 G | Infineon | на замовлення 157500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
IPD068P03L3G | Infineon | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
IPD068P03L3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK | на замовлення 1880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD068P03L3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -70A; 100W; PG-TO252-3 Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ P3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-TO252-3 Drain-source voltage: -30V Drain current: -70A On-state resistance: 11mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 100W кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD068P03L3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD068P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 70 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm | на замовлення 2918 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD068P03L3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7720 pF @ 15 V | на замовлення 6755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD068P03L3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD068P03L3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD068P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 70 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2003 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD068P03L3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH <= 40V | на замовлення 9598 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD068P03L3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK | на замовлення 3562 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD068P03L3GATMA1 | Infineon Technologies | Single P-Channel Power Transistor | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD068P03L3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -70A; 100W; PG-TO252-3 Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ P3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-TO252-3 Drain-source voltage: -30V Drain current: -70A On-state resistance: 11mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 100W | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD068P03L3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7720 pF @ 15 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD068P03L3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK | на замовлення 1880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD068P03L3GBTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7720 pF @ 15 V | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD068P03L3GBTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 70A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD068P03L3GBTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7720 pF @ 15 V | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD06N03L | infineon | to-252/d-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD06N03L | INFINEON | 03+ | на замовлення 4077 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD06N03L | INFINEON | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD06N03L | INF | 07+; | на замовлення 300000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD06N03L | infineon | 07+ to-252/d-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD06N03LA | INFINEON | TO252 | на замовлення 240 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD06N03LA | Infineon Technologies | MOSFET N-KANAL POWER MOS | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD06N03LA | INFINEON | 0426+ | на замовлення 5579 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD06N03LA | infineon | to-252/d-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD06N03LA | INF | 07+; | на замовлення 320 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD06N03LA | infineon | 07+ to-252/d-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD06N03LA G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2653 pF @ 15 V | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD06N03LA G | INFINEON | TO-252 | на замовлення 1207 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD06N03LA G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 25V 50A DPAK-2 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD06N03LA G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2653 pF @ 15 V | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD06N03LAG | INFINEON | TO-252 10+ | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD06N03LAG | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2653 pF @ 15 V | на замовлення 25570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD06N03LAG | infineon | to-252/d-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD06N03LAGBUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD06N03LB G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD06N03LB G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD06N03LB G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD06N03LBG | infineon | to-252/d-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD06N03LBG | infineon | 07+ to-252/d-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD06P002NATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD06P002NSAUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 60V 35A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.7mA Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 30 V | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD06P003NATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD06P003NATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 60V 22A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.04mA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 30 V | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD06P003NSAUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 60V 22A TO252-3 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD06P004NATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD06P004NSAUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 60V 16.4A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 16.4A, 10V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 710µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 30 V | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD06P005LATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD06P005LSAUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 60V 6.5A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 30 V | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD06P005LSAUMA1 | Infineon Technologies | Opti MOS Power Transistor | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD06P005NATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD06P005NATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD06P005NSAUMA1 | Infineon Technologies | Opti MOS Power Transistor | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD06P005NSAUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 60V 6.5A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 30 V | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD06P007NATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD075N03L G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS 3 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD075N03L G | Infineon | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
IPD075N03LG | Infineon Technologies | Description: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD075N03LGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD075N03LGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; 47W; PG-TO252-3 Case: PG-TO252-3 Mounting: SMD On-state resistance: 7.5mΩ Drain-source voltage: 30V Drain current: 35A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 47W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD075N03LGATMA1 Код товару: 172911 | Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | ||||||||||||||||||||
IPD075N03LGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD075N03LGATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD075N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0063 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 47W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1884 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD075N03LGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; 47W; PG-TO252-3 Case: PG-TO252-3 Mounting: SMD On-state resistance: 7.5mΩ Drain-source voltage: 30V Drain current: 35A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 47W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD075N03LGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 47W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V | на замовлення 13023 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD075N03LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 50A DPAK-2 | на замовлення 4946 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD075N03LGATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD075N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0063 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 47W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1884 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD075N03LGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD075N03LGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 47W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD075N03LGBTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 47W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD075N03LGBTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD079N06L3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 50A DPAK-2 OptiMOS 3 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD079N06L3 G | Infineon | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
IPD079N06L3GATMA1 | Infineon Technologies | SP005559925 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD079N06L3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 34µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-311 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 30 V | на замовлення 4002 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD079N06L3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 34µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-311 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 30 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD079N06L3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET | на замовлення 82 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD079N06L3GBTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD079N06L3GBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 50A DPAK-2 OptiMOS 3 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD079N06L3GBTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD079N06L3GBTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0063 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD079N06L3GBTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 34µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 30 V | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD079N06L3GBTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD079N06L3GBTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD079N06L3GBTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0063 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD079N06L3GBTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 34µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 30 V | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD07N03L | infineon | 07+ to-252/d-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD07N03L | infineon | to-252/d-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD07N03L | INFINEON | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD07N03LA | infineon | to-252/d-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD07N03LAG | infineon | to-252/d-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD082N10N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 80A DPAK-2 OptiMOS 3 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD082N10N3G(Power-Transistor) Код товару: 82995 | Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності | ||||||||||||||||||||
IPD082N10N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD082N10N3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD082N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.007 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 18880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD082N10N3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 73A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 50 V | на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD082N10N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD082N10N3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 125W; PG-TO252-3 Case: PG-TO252-3 Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 8.2mΩ Drain current: 80A Drain-source voltage: 100V Power dissipation: 125W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Mounting: SMD Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD082N10N3GATMA1 Код товару: 143398 | Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | ||||||||||||||||||||
IPD082N10N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD082N10N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD082N10N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N | на замовлення 2905 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD082N10N3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD082N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.007 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 18880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD082N10N3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 73A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 50 V | на замовлення 26526 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD082N10N3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 125W; PG-TO252-3 Case: PG-TO252-3 Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 8.2mΩ Drain current: 80A Drain-source voltage: 100V Power dissipation: 125W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Mounting: SMD Gate-source voltage: ±20V | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD082N10N3GBTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD082N10N3GBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 80A DPAK-2 OptiMOS 3 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD082N10N3GBTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 73A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 50 V | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD088N04L G | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD088N04L G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 50A DPAK-2 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD088N04LG | INFINEON | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
IPD088N04LGBTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 47W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 16µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD088N04LGBTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD088N04LGXT | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD088N04LGXT | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD088N06N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 50A DPAK-2 OptiMOS 3 | на замовлення 22160 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD088N06N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH 40<-<100V | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD088N06N3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-311 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 30 V | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD088N06N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD088N06N3GBTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 30 V | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD088N06N3GBTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD088N06N3GBTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD088N06N3GBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH 40<-<100V | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD088N06N3GBTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD088N06N3GBTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 30 V | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD090N03L G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 40A DPAK-2 OptiMOS 3 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD090N03L G | INFINEON | Description: INFINEON - IPD090N03L G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0075 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 40 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 42 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2 Verlustleistung: 42 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0075 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD090N03L G E8177 | Infineon Technologies | MOSFET | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD090N03LG | Infineon | N-MOSFET 30V 40A 42W 9mΩ IPD090N03LG Infineon TIPD090n03lg кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 75 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD090N03LG (Транзистори польові N-канал) Код товару: 45566 | Infineon | Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 30 V Idd,A: 40 A Rds(on), Ohm: 0,9 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: /15 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD090N03LGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 | на замовлення 89044 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD090N03LGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; 42W; PG-TO252-3 Case: PG-TO252-3 Mounting: SMD On-state resistance: 9mΩ Drain-source voltage: 30V Drain current: 30A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 42W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2375 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD090N03LGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD090N03LGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2564 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD090N03LGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD090N03LGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 | на замовлення 87500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD090N03LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 40A DPAK-2 | на замовлення 27827 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD090N03LGATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD090N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0075 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: 0 Drain-Source-Spannung Vds: 0 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: 0 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: 0 Rds(on)-Prüfspannung: 0 Betriebstemperatur, max.: 0 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2505 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD090N03LGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD090N03LGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; 42W; PG-TO252-3 Case: PG-TO252-3 Mounting: SMD On-state resistance: 9mΩ Drain-source voltage: 30V Drain current: 30A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 42W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V | на замовлення 2375 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD090N03LGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD090N03LGATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD090N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0075 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: 0 Drain-Source-Spannung Vds: 0 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: 0 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: 0 Rds(on)-Prüfspannung: 0 Betriebstemperatur, max.: 0 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2505 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD090N03LGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD090N03LGBTMA1 Код товару: 163865 | Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | ||||||||||||||||||||
IPD090N03LGBTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD090N03LGBTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD090N03LGBTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD096N08N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 80V 73A DPAK-2 OptiMOS 3 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD096N08N3G | Infineon technologies | на замовлення 748 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
IPD096N08N3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD096N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 73 A, 0.0079 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 73A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 3024 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD096N08N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 73A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD096N08N3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 40 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD096N08N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 73A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD096N08N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 73A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD096N08N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH 40<-<100V | на замовлення 1805 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD096N08N3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD096N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 73 A, 0.0079 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 73A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 756 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD096N08N3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 40 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD096N08N3GBTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 40 V | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD09N032AL-AP | ON | 09+ | на замовлення 5018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD09N03L | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
IPD09N03LA | INFINEON | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD09N03LA | Infineon Technologies | MOSFET N-KANAL POWER MOS | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD09N03LA | Infineon | 0424+ | на замовлення 1330 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD09N03LA | INFINEON | TO252 | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD09N03LA G | INFINEON | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD09N03LA G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1642 pF @ 15 V | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD09N03LA G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 25V 50A DPAK-2 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD09N03LA G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1642 pF @ 15 V | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD09N03LAG | Infineon | 0825+ | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD09N03LAGBUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD09N03LAP | infineon | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
IPD09N03LB G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 58W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD09N03LBG | Infineon Technologies | MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD09N03LBG | INFINEON | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
IPD09N03LBG | infineon | 07+ to-252/d-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD09N03LBG | Infineon | 0521+ | на замовлення 4304 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD09N03LBG | infineon | to-252/d-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD1-02-D | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 4POS 2.54MM Packaging: Bulk Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Color: White Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 4 Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Row Spacing: 0.100" (2.54mm) Part Status: Active Number of Rows: 2 Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 | на замовлення 982 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-02-D-GP-M | Samtec | Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-02-D-K | Samtec | Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | на замовлення 24138 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-02-D-K | SAMTEC | Description: SAMTEC - IPD1-02-D-K - Steckverbindergehäuse, zwei Reihen, IPD1, Buchse, 4 -polig, 2.54 mm tariffCode: 85472000 productTraceability: No rohsCompliant: YES Rastermaß: 2.54mm Ausführung: Buchse euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79 usEccn: EAR99 Produktpalette: IPD1 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-02-D-K | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 4POS 2.54MM Packaging: Bulk Features: Polarizing Key Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Color: White Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 4 Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Row Spacing: 0.100" (2.54mm) Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 Number of Rows: 2 | на замовлення 1602 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-02-D-K | Samtec | Conn Housing F 4 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk | на замовлення 99 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-02-D-K-M | Samtec | Conn Housing F 4 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-02-D-K-M | Samtec | Conn Housing F 4 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-02-D-K-M | Samtec | Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | на замовлення 1884 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-02-D-K-M | Samtec Inc. | Description: MINI-POWER CONN | на замовлення 1776 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD1-02-D-M | Samtec | Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-02-D-M | Samtec | Conn Housing RCP 4 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount White Mini Mate® Bulk | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-02-D-P-M | Samtec | Conn Housing F 4 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-02-D-P-M | Samtec | Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-02-S | Samtec | Conn Housing F 2 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-02-S | Samtec | Conn Housing F 2 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount | на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-02-S | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 2POS 2.54MM Packaging: Bulk Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Color: White Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 2 Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 Number of Rows: 1 | на замовлення 877 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-02-S | SAMTEC | Description: SAMTEC - IPD1-02-S - Steckverbindergehäuse, IPD1, Buchse, 2 -polig, 2.54 mm tariffCode: 85472000 Anzahl der Positionen: 2-polig productTraceability: No rohsCompliant: YES Rastermaß: 2.54mm Ausführung: Buchse euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Zur Verwendung mit: Buchsenkontakte der Produktreihen CC79L & CC79R von Samtec usEccn: EAR99 Produktpalette: IPD1 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-02-S-K | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 2POS 2.54MM Packaging: Bulk Features: Polarizing Key Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Color: White Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 2 Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 Number of Rows: 1 | на замовлення 6658 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-02-S-K | Samtec | Conn Housing F 2 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-02-S-K | Samtec | Conn Housing RCP 2 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount White Bulk | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD1-02-S-K | SAMTEC | Description: SAMTEC - IPD1-02-S-K - Steckverbindergehäuse, eine Reihe, IPD1, Buchse, 2 -polig, 2.54 mm tariffCode: 85366990 Anzahl der Positionen: 2Ways productTraceability: No rohsCompliant: YES Rastermaß: 2.54mm Ausführung: Buchse euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79 usEccn: EAR99 Produktpalette: IPD1 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 4220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-02-S-K | Samtec | Conn Housing RCP 2 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount White Bulk | на замовлення 37225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-02-S-K | Samtec | Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | на замовлення 11358 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-02-S-K | Samtec | Conn Housing RCP 2 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount White Bulk | на замовлення 37225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-02-S-K | Samtec | Conn Housing RCP 2 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount White Bulk | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-02-S-K-M | Samtec | Conn Housing RCP 2 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount White Mini Mate® Bulk | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-02-S-K-M | Samtec | Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | на замовлення 1703 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-02-S-K-M | Samtec | Conn Housing RCP 2 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount White Mini Mate® Bulk | на замовлення 590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-02-S-K-M | Samtec | Conn Housing RCP 2 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount White Mini Mate® Bulk | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-02-S-K-M | Samtec Inc. | Description: MINI-POWER CONN | на замовлення 367 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD1-02-S-K-M | Samtec | Conn Housing RCP 2 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount White Mini Mate® Bulk | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-02-S-K-M | Samtec | Conn Housing RCP 2 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount White Mini Mate® Bulk | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-02-S-K-R | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 2POS 2.54MM Features: Polarizing Key Packaging: Bulk Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Color: White Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 2 Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 Number of Rows: 1 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-02-S-K-R | Samtec | Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-02-S-K.. | SAMTEC | Description: SAMTEC - IPD1-02-S-K.. - Steckverbindergehäuse, Single Row, Buchse, 2 -polig, 2.54 mm, CC79 Series Socket Crimp Contacts Rastermaß: 2.54 Ausführung: Buchse Zur Verwendung mit: CC79 Series Socket Crimp Contacts Produktpalette: - SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-02-S-R | Samtec | Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | на замовлення 330 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-03-D | Samtec | Conn Housing F 6 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-03-D | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 6POS 2.54MM Packaging: Bulk Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Color: White Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 6 Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Row Spacing: 0.100" (2.54mm) Part Status: Active Number of Rows: 2 Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 | на замовлення 243 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-03-D | Samtec | Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | на замовлення 464 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-03-D-GP | Samtec Inc. | Description: MINI-POWER CONNECTOR | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-03-D-GP | Samtec | Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-03-D-GP-M | Samtec Inc. | Description: MINI-POWER CONNECTOR | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-03-D-GP-R | Samtec | Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-03-D-GP-R | Samtec Inc. | Description: MINI-POWER CONNECTOR | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-03-D-K | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 6POS 2.54MM Packaging: Bulk Features: Polarizing Key Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Color: White Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 6 Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Row Spacing: 0.100" (2.54mm) Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 Number of Rows: 2 | на замовлення 9797 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-03-D-K | Samtec | Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | на замовлення 54549 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-03-D-K | Samtec | Conn Housing F 6 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-03-D-K . | SAMTEC | Description: SAMTEC - IPD1-03-D-K . - Steckverbindergehäuse, IPD1, Buchse, 6 -polig, 2.54 mm tariffCode: 85472000 Anzahl der Positionen: 6-polig productTraceability: No rohsCompliant: YES Rastermaß: 2.54mm Ausführung: Buchse euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79 usEccn: EAR99 Produktpalette: IPD1 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-03-D-K-M Код товару: 130196 | Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Інші | товару немає в наявності | ||||||||||||||||||||
IPD1-03-D-K-M | SAMTEC | Description: SAMTEC - IPD1-03-D-K-M - Steckverbindergehäuse, Buchse, 6 -polig, 2.54 mm tariffCode: 85366990 Anzahl der Positionen: 6-polig productTraceability: No rohsCompliant: YES Rastermaß: 2.54mm Ausführung: Buchse euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC69L/CC69R von Samtec usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-03-D-K-M | Samtec | Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | на замовлення 271 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-03-D-K-M | Samtec | Conn Housing F 6 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-03-D-K-M | Samtec Inc. | Description: CONN RECEPT .100" 6POS | на замовлення 927 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD1-03-D-K-R | Samtec | IPD1-03-D-K-R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-03-D-K-R | Samtec Inc. | Description: MINI-POWER CONNECTOR | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-03-D-K-R | Samtec | Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-03-D-M | Samtec Inc. | Description: MINI-POWER CONNECTOR | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-03-D-M | Samtec | Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-03-D-M | Samtec | Conn Housing RCP 6 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Mini Mate® Bulk | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-03-D-P | Samtec | Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-03-D-P | Samtec | Conn Housing 6 POS 2.54mm Crimp ST Loose | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-03-D-P | Samtec Inc. | Description: MINI-POWER CONNECTOR | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-03-D-P-M | Samtec Inc. | Description: MINI-POWER CONNECTOR | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-03-D-P-M | Samtec | Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-03-D-R | Samtec | Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-03-D-R | Samtec Inc. | Description: MINI-POWER CONNECTOR | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-03-S | Samtec | Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-03-S | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 3POS 2.54MM Packaging: Bulk Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Color: White Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 3 Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Part Status: Active Number of Rows: 1 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-03-S | Samtec | Conn Housing F 3 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-03-S-K | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 3POS 2.54MM Packaging: Bulk Features: Polarizing Key Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Color: White Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 3 Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Part Status: Active Number of Rows: 1 Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 | на замовлення 2787 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-03-S-K | Samtec | Conn Housing F 3 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD1-03-S-K | Samtec | Conn Housing F 3 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-03-S-K | Samtec | Conn Housing F 3 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-03-S-K | Samtec | Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | на замовлення 4892 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-03-S-K . | SAMTEC | Description: SAMTEC - IPD1-03-S-K . - Steckverbindergehäuse, IPD1, Buchse, 3 -polig, 2.54 mm tariffCode: 85366990 Anzahl der Positionen: 3-polig productTraceability: No rohsCompliant: YES Rastermaß: 2.54mm Ausführung: Buchse euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79 usEccn: EAR99 Produktpalette: IPD1 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-03-S-K-M | Samtec | Conn Housing F 3 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-03-S-K-M | Samtec | Conn Housing F 3 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-03-S-K-M | Samtec | Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | на замовлення 643 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-03-S-K-M | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 3POS 2.54MM Packaging: Bulk Features: Polarizing Key Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Color: White Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 3 Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Part Status: Active Number of Rows: 1 Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 | на замовлення 520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-03-S-K-M | Samtec | Conn Housing F 3 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-03-S-K-R | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 3POS 2.54MM Features: Polarizing Key Packaging: Bulk Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Color: White Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 3 Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Part Status: Active Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 Number of Rows: 1 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-03-S-K-R | Samtec | Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-03-S-P | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 3POS 2.54MM Packaging: Bulk Features: Polarizing Key Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Color: White Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 3 Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Part Status: Active Number of Rows: 1 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-03-S-R | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 3POS 2.54MM Packaging: Bulk Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Color: White Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 3 Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Part Status: Active Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 Number of Rows: 1 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-03-S-R | Samtec | Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-04-D | Samtec Inc. | Description: MINI-POWER CONN | на замовлення 770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD1-04-D | SAMTEC | Description: SAMTEC - IPD1-04-D - Steckverbindergehäuse, Buchse, 8 -polig, 2.54 mm tariffCode: 85366990 Anzahl der Positionen: 8-polig productTraceability: No rohsCompliant: YES Rastermaß: 2.54mm Ausführung: Buchse euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC69L/CC69R von Samtec usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD1-04-D | Samtec | Conn Housing F 8 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube | на замовлення 97 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD1-04-D-K | Samtec | Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | на замовлення 11409 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-04-D-K | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 8POS 2.54MM Packaging: Bulk Features: Polarizing Key Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Color: White Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 8 Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Row Spacing: 0.100" (2.54mm) Part Status: Active Number of Rows: 2 Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 | на замовлення 1542 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-04-D-K . | SAMTEC | Description: SAMTEC - IPD1-04-D-K . - Steckverbindergehäuse, IPD1, Buchse, 8 -polig, 2.54 mm tariffCode: 85472000 Anzahl der Positionen: 8-polig productTraceability: No rohsCompliant: YES Rastermaß: 2.54mm Ausführung: Buchse euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79 usEccn: EAR99 Produktpalette: IPD1 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-04-D-K-M | Samtec Inc. | Description: MINI-POWER CONNECTOR | на замовлення 850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD1-04-D-K-M | Samtec | Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | на замовлення 56 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD1-04-D-M | Samtec | Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-04-D-P-M | Samtec | Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-04-S | Samtec Inc. | Description: MINI-POWER CONN | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD1-04-S-K | Samtec Inc. | Description: MINI-POWER CONN | на замовлення 1813 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD1-04-S-K | Samtec | Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | на замовлення 5455 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-04-S-K . | SAMTEC | Description: SAMTEC - IPD1-04-S-K . - Steckverbindergehäuse, IPD1, Buchse, 4 -polig, 2.54 mm tariffCode: 85472000 Anzahl der Positionen: 4-polig productTraceability: No rohsCompliant: YES Rastermaß: 2.54mm Ausführung: Buchse euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79 von Samtec usEccn: EAR99 Produktpalette: IPD1 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-04-S-K-M | Samtec | Conn Housing F 4 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-04-S-K-M | SAMTEC | Description: SAMTEC - IPD1-04-S-K-M - Steckverbindergehäuse, Buchse, 4 -polig, 2.54 mm tariffCode: 85366990 Anzahl der Positionen: 4-polig productTraceability: No rohsCompliant: YES Rastermaß: 2.54mm Ausführung: Buchse euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Zur Verwendung mit: Buchsenkontakte der Produktreihe Mini Mate IPD1 von Samtech usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 53 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-04-S-K-M | Samtec | Conn Housing F 4 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk | на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-04-S-K-M | Samtec | Conn Housing F 4 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-04-S-K-M | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 4POS 2.54MM Packaging: Bulk Features: Pick and Place, Polarizing Key Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Color: White Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 4 Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 Number of Rows: 1 | на замовлення 244 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-04-S-K-M | Samtec | Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | на замовлення 122 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD1-04-S-K-R | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 4POS 2.54MM Features: Polarizing Key Packaging: Bulk Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Color: White Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 4 Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 Number of Rows: 1 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-04-S-K-R | Samtec | Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-05-D | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 10POS 2.54MM Packaging: Bulk Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Color: White Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 10 Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Row Spacing: 0.100" (2.54mm) Part Status: Active Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 Number of Rows: 2 | на замовлення 54613 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-05-D | Samtec | Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | на замовлення 6506 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-05-D | Samtec | Conn Housing F 10 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Mini Mate® Bulk | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD1-05-D | SAMTEC | Description: SAMTEC - IPD1-05-D - Steckverbindergehäuse, IPD1, Buchse, 10 -polig, 2.54 mm tariffCode: 85472000 Anzahl der Positionen: 10Ways productTraceability: No rohsCompliant: YES Rastermaß: 2.54mm Ausführung: Buchse euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79 usEccn: EAR99 Produktpalette: IPD1 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 313 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-05-D-GP | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 10POS 2.54MM Features: Guide Post Packaging: Bulk Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Color: White Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 10 Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Row Spacing: 0.100" (2.54mm) Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 Number of Rows: 2 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-05-D-GP-M | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 10POS 2.54MM Features: Guide Post Packaging: Bulk Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Color: White Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 10 Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Row Spacing: 0.100" (2.54mm) Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 Number of Rows: 2 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-05-D-GP-R | Samtec | Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-05-D-GP-R | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 10POS 2.54MM Features: Guide Post Packaging: Bulk Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Color: White Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 10 Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Row Spacing: 0.100" (2.54mm) Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 Number of Rows: 2 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-05-D-K | Samtec | Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | на замовлення 26341 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-05-D-K | SAMTEC | Description: SAMTEC - IPD1-05-D-K - Steckverbindergehäuse, zwei Reihen, IPD1, Buchse, 10 -polig, 2.54 mm tariffCode: 85366990 Anzahl der Positionen: 10Ways productTraceability: No rohsCompliant: YES Rastermaß: 2.54mm Ausführung: Buchse euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79 usEccn: EAR99 Produktpalette: IPD1 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 12255 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-05-D-K | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 10POS 2.54MM Packaging: Bulk Features: Polarizing Key Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Color: White Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 10 Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Row Spacing: 0.100" (2.54mm) Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 Number of Rows: 2 | на замовлення 12122 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-05-D-K | Samtec | Conn Housing F 10 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Mini Mate® Bulk | на замовлення 1417 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-05-D-K-M | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 10POS 2.54MM Packaging: Bulk Features: Pick and Place, Polarizing Key Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Color: White Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 10 Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Row Spacing: 0.100" (2.54mm) Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 Number of Rows: 2 | на замовлення 2185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-05-D-K-M | Samtec | Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | на замовлення 7085 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-05-D-K-M | SAMTEC | Description: SAMTEC - IPD1-05-D-K-M - Steckverbindergehäuse, IPD1, Buchse, 10 -polig, 2.54 mm tariffCode: 85472000 Anzahl der Positionen: 10-polig productTraceability: No rohsCompliant: YES Rastermaß: 2.54mm Ausführung: Buchse euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Zur Verwendung mit: Buchsenkontakte der Produktreihe CC69 von Samtec usEccn: EAR99 Produktpalette: IPD1 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 626 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-05-D-M | Samtec | Conn Housing RCP 10 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Mini Mate® Bulk | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-05-D-M | Samtec | Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-05-D-M | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 10POS 2.54MM Packaging: Bulk Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Color: White Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 10 Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Row Spacing: 0.100" (2.54mm) Part Status: Active Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 Number of Rows: 2 | на замовлення 1068 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-05-D-P | Samtec Inc. | Description: MINI-POWER CONN | на замовлення 975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD1-05-D-P-M | Samtec | Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-05-S | Samtec Inc. | Description: MINI-POWER CONN | на замовлення 1271 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD1-05-S-K | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 5POS 2.54MM Packaging: Bulk Features: Polarizing Key Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Color: White Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 5 Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 Number of Rows: 1 | на замовлення 31912 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-05-S-K-M | Samtec Inc. | Description: MINI-POWER CONN | на замовлення 142 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD1-05-S-K-M | Samtec | Conn Housing F 5 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-05-S-K-M | Samtec | Conn Housing F 5 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-05-S-K-M | Samtec | Conn Housing F 5 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-05-S-K-M | Samtec | Headers & Wire Housings .100" MINI MATE DISCRETE WIRE SOCKET HOUSING | на замовлення 232 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD1-05-S-K-M | Samtec | Conn Housing F 5 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk | на замовлення 1050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-05-S-K-R | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 5POS 2.54MM Features: Polarizing Key Packaging: Bulk Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Color: White Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 5 Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 Number of Rows: 1 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-06-D | Samtec Inc. | Description: CONN RECEPT .100" 12POS | на замовлення 575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD1-06-D | Samtec | Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | на замовлення 1215 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-06-D-K | Samtec | Conn Housing F 12 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Mini Mate® Bulk | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD1-06-D-K | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 12POS 2.54MM Packaging: Bulk Features: Polarizing Key Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Color: White Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 12 Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Row Spacing: 0.100" (2.54mm) Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 Number of Rows: 2 | на замовлення 6522 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-06-D-K | Samtec | Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | на замовлення 8975 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-06-D-K . | SAMTEC | Description: SAMTEC - IPD1-06-D-K . - Steckverbindergehäuse, IPD1, Buchse, 12 -polig, 2.54 mm tariffCode: 85472000 Anzahl der Positionen: 12-polig productTraceability: No rohsCompliant: YES Rastermaß: 2.54mm Ausführung: Buchse euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79 usEccn: EAR99 Produktpalette: IPD1 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 561 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-06-D-K-M | SAMTEC | Description: SAMTEC - IPD1-06-D-K-M - Steckverbindergehäuse, IPD1, Buchse, 12 -polig, 2.54 mm tariffCode: 85366990 Anzahl der Positionen: 12-polig productTraceability: No rohsCompliant: YES Rastermaß: 2.54mm Ausführung: Buchse euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79 von Samtec usEccn: EAR99 Produktpalette: IPD1 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD1-06-D-K-M | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 12POS 2.54MM Packaging: Bulk Features: Pick and Place, Polarizing Key Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Color: White Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 12 Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Row Spacing: 0.100" (2.54mm) Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 Number of Rows: 2 | на замовлення 1525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-06-D-K-M | Samtec | Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | на замовлення 481 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-06-D-K-M | Samtec | Conn Housing F 12 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-06-D-M | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 12POS 2.54MM Packaging: Bulk Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Color: White Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 12 Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Row Spacing: 0.100" (2.54mm) Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 Number of Rows: 2 | на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-06-D-M | Samtec | Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-06-S-K | Samtec Inc. | Description: MINI-POWER CONN | на замовлення 361 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD1-06-S-K | Samtec | Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | на замовлення 3696 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-06-S-K-M | Samtec | Conn Housing F 6 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-06-S-K-M | Samtec Inc. | Description: MINI-POWER CONNECTOR | на замовлення 499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD1-06-S-K-M | Samtec | Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | на замовлення 26 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD1-06-S-K-M | Samtec | Conn Housing F 6 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk | на замовлення 865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-06-S-K-M | Samtec | Conn Housing F 6 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-06-S-K-R | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 6POS 2.54MM Features: Polarizing Key Packaging: Bulk Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Color: White Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 6 Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 Number of Rows: 1 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-06-S-K-R | Samtec | Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-07-D | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 14POS 2.54MM Packaging: Bulk Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Color: White Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 14 Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Row Spacing: 0.100" (2.54mm) Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 Number of Rows: 2 | на замовлення 1075 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-07-D | Samtec | Supercapacitors / Ultracapacitors 100F 2.7V +30% / -10% tol | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-07-D | SAMTEC | Description: SAMTEC - IPD1-07-D - Steckverbindergehäuse, IPD1, Buchse, 14 -polig, 2.54 mm tariffCode: 85366990 Anzahl der Positionen: 14-polig productTraceability: No rohsCompliant: YES Rastermaß: 2.54mm Ausführung: Buchse euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79 von Samtec usEccn: EAR99 Produktpalette: IPD1 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 48 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-07-D-K | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 14POS 2.54MM Features: Polarizing Key Packaging: Bulk Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Color: White Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 14 Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Row Spacing: 0.100" (2.54mm) Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 Number of Rows: 2 | на замовлення 1198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-07-D-K | Samtec | Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | на замовлення 2309 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-07-D-K | Samtec | Conn Housing F 14 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-07-D-K | SAMTEC | Description: SAMTEC - IPD1-07-D-K - Steckverbindergehäuse, IPD1, Buchse, 14 -polig, 2.54 mm tariffCode: 85472000 Anzahl der Positionen: 14 productTraceability: No rohsCompliant: YES Rastermaß: 2.54 Ausführung: Buchse euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Zur Verwendung mit: Buchsenkontakte der Produktreihen CC79L & CC79R von Samtec usEccn: EAR99 Produktpalette: IPD1 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-07-D-K | Samtec | Conn Housing F 14 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-07-D-K | Samtec | Conn Housing F 14 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD1-07-D-K-M | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 14POS 2.54MM Packaging: Tube Features: Pick and Place, Polarizing Key Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Color: White Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 14 Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Row Spacing: 0.100" (2.54mm) Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 Number of Rows: 2 | на замовлення 280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-07-D-K-M | Samtec | Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | на замовлення 1165 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-07-D-K-M | Samtec | Conn Housing F 14 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-07-D-K-M | Samtec | Conn Housing F 14 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-07-S-K-M | Samtec | Conn Housing F 7 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount White Tube | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-07-S-K-M | Samtec | Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-07-S-K-M | Samtec | Conn Housing F 7 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount White Tube | на замовлення 84 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-07-S-K-R | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 7POS 2.54MM Features: Polarizing Key Packaging: Bulk Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Color: White Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 7 Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 Number of Rows: 1 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-08-D | Samtec Inc. | Description: MINI-POWER CONN | на замовлення 119 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD1-08-D | Samtec | Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | на замовлення 370 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD1-08-D-GP | Samtec Inc. | Description: MINI-POWER CONNECTOR | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-08-D-GP | Samtec | Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-08-D-GP-M | Samtec Inc. | Description: MINI-POWER CONNECTOR | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-08-D-GP-R | Samtec Inc. | Description: MINI-POWER CONNECTOR | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-08-D-K | Samtec | Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | на замовлення 12514 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-08-D-K | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 16POS 2.54MM Packaging: Bulk Features: Polarizing Key Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Color: White Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 16 Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Row Spacing: 0.100" (2.54mm) Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 Number of Rows: 2 | на замовлення 1524 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-08-D-K | Samtec | Conn Housing F 16 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD1-08-D-K | Samtec | Conn Housing F 16 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-08-D-K | SAMTEC | Description: SAMTEC - IPD1-08-D-K - Steckverbindergehäuse, IPD1, Buchse, 16 -polig, 2.54 mm tariffCode: 85472000 Anzahl der Positionen: 16-polig productTraceability: No rohsCompliant: YES Rastermaß: 2.54mm Ausführung: Buchse euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79 von Samtec usEccn: EAR99 Produktpalette: IPD1 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-08-D-K-M | SAMTEC | Description: SAMTEC - IPD1-08-D-K-M - Steckverbindergehäuse, Buchse, 16 -polig, 2.54 mm tariffCode: 85366990 Anzahl der Positionen: 16-polig productTraceability: No rohsCompliant: YES Rastermaß: 2.54mm Ausführung: Buchse euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC69L/CC69R von Samtec usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-08-D-K-M | Samtec | Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | на замовлення 129 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD1-08-D-K-M | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 16POS 2.54MM Packaging: Tube Features: Pick and Place, Polarizing Key Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Color: White Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 16 Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Row Spacing: 0.100" (2.54mm) Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 Number of Rows: 2 | на замовлення 4207 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-08-D-K-R | Samtec | Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-08-D-K-R | Samtec Inc. | Description: MINI-POWER CONNECTOR | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-08-D-M | Samtec | Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-08-D-M | Samtec Inc. | Description: MINI-POWER CONNECTOR | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-08-D-P | Samtec | Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-08-D-P | Samtec Inc. | Description: MINI-POWER CONNECTOR | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-08-D-P-M | Samtec | Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-08-D-P-M | Samtec Inc. | Description: MINI-POWER CONNECTOR | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-08-D-P-M | Samtec | Conn Housing F 16 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-08-D-P-R | Samtec | Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-08-D-R | Samtec Inc. | Description: MINI-POWER CONNECTOR | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-08-S | Samtec | Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | на замовлення 362 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-08-S | Samtec Inc. | Description: MINI-POWER CONNECTOR | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-08-S-K | Samtec | Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | на замовлення 2642 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-08-S-K | Samtec Inc. | Description: MINI-POWER CONN | на замовлення 216 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD1-08-S-K-M | Samtec | Conn Housing F 8 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube | на замовлення 225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-08-S-K-M | Samtec | Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | на замовлення 35 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-08-S-K-M | Samtec | Conn Housing F 8 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-08-S-K-M | Samtec Inc. | Description: MINI-POWER CONNECTOR | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-08-S-K-M | Samtec | Conn Housing F 8 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-08-S-K-R | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 8POS 2.54MM Features: Polarizing Key Packaging: Bulk Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Color: White Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 8 Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 Number of Rows: 1 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-08-S-K-R | Samtec | Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-08-S-R | Samtec | Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-08-S-R | Samtec Inc. | Description: MINI-POWER CONNECTOR | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-09-D-K | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 18POS 2.54MM Features: Polarizing Key Packaging: Bulk Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Color: White Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 18 Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Row Spacing: 0.100" (2.54mm) Part Status: Active Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 Number of Rows: 2 | на замовлення 1129 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-09-D-K-M | Samtec | Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-09-D-M | Samtec | Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-09-D-M | Samtec Inc. | Description: .100" MINI MATE DISCRETE WIRE SO Packaging: Tube Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 18 Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Row Spacing: 0.100" (2.54mm) Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 Number of Rows: 2 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-09-S-K-R | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 9POS 2.54MM Features: Polarizing Key Packaging: Bulk Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Color: White Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 9 Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 Number of Rows: 1 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-10-D | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 20POS 2.54MM Packaging: Bulk Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Color: White Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 20 Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Row Spacing: 0.100" (2.54mm) Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 Number of Rows: 2 | на замовлення 3885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-10-D | SAMTEC | Description: SAMTEC - IPD1-10-D - Steckverbindergehäuse, IPD1, Buchse, 20 -polig, 2.54 mm tariffCode: 85472000 Anzahl der Positionen: 20-polig productTraceability: No rohsCompliant: YES Rastermaß: 2.54mm Ausführung: Buchse euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Baureihe CC79 von Samtec usEccn: EAR99 Produktpalette: IPD1 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 353 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-10-D | Samtec | Conn Housing F 20 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Mini Mate® Tube | на замовлення 1637 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-10-D | Samtec | Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-10-D | Samtec | Conn Housing F 20 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Mini Mate® Tube | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-10-D | Samtec | Conn Housing F 20 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Mini Mate® Tube | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-10-D | Samtec | Conn Housing F 20 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Mini Mate® Tube | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD1-10-D-GP | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 20POS 2.54MM | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-10-D-GP-M | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 20POS 2.54MM | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-10-D-GP-R | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 20POS 2.54MM | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-10-D-K | Samtec | Conn Housing F 20 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube | на замовлення 310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-10-D-K | Samtec | Conn Housing RCP 20 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount White Mini Mate® Tube | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD1-10-D-K | Samtec | Conn Housing RCP 20 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount White Mini Mate® Tube | на замовлення 4100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-10-D-K | Samtec | Conn Housing RCP 20 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount White Mini Mate® Tube | на замовлення 310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-10-D-K | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 20POS 2.54MM Packaging: Bulk Features: Polarizing Key Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Color: White Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 20 Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Row Spacing: 0.100" (2.54mm) Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 Number of Rows: 2 | на замовлення 1927 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-10-D-K | Samtec | Conn Housing RCP 20 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount White Mini Mate® Tube | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-10-D-K | SAMTEC | Description: SAMTEC - IPD1-10-D-K - Steckverbindergehäuse, zwei Reihen, IPD1, Buchse, 20 -polig, 2.54 mm tariffCode: 85472000 Anzahl der Positionen: 20-polig productTraceability: No rohsCompliant: YES Rastermaß: 2.54mm Ausführung: Buchse euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79 usEccn: EAR99 Produktpalette: IPD1 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 3872 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-10-D-K | Samtec | Conn Housing RCP 20 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount White Mini Mate® Tube | на замовлення 308 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-10-D-K-M | Samtec | Conn Housing F 20 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-10-D-K-M | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 20POS 2.54MM | на замовлення 626 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-10-D-K-M | Samtec | Conn Housing F 20 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-10-D-K-M | Samtec | Conn Housing F 20 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-10-D-K-M | Samtec | Conn Housing F 20 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-10-D-K-M | Samtec | Conn Housing F 20 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube | на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-10-D-K-M | Samtec | Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | на замовлення 464 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-10-D-K-R | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 20POS 2.54MM | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-10-D-K.. | SAMTEC | Description: SAMTEC - IPD1-10-D-K.. - Steckverbindergehäuse, Dual Row, Buchse, 20 -polig, 2.54 mm Ausführung: Buchse Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-10-D-M | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 20POS 2.54MM | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-10-D-M | Samtec | Conn Housing RCP 20 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Mini Mate® Tube | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-10-D-M | Samtec | Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-10-D-P | Samtec | Conn Housing 20 POS 2.54mm Crimp ST Loose | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-10-D-P | Samtec | Conn Housing 20 POS 2.54mm Crimp ST Loose | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-10-D-P | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 20POS 2.54MM | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-10-D-P | SAMTEC | Description: SAMTEC - IPD1-10-D-P - CONNECTOR SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-10-D-P-M | Samtec | Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-10-D-P-M | Samtec | Conn Housing F 20 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-10-D-P-M | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 20POS 2.54MM | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-10-D-P-R | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 20POS 2.54MM | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-10-D-R | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 20POS 2.54MM | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-10-S | Samtec | Conn Housing F 10 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-10-S | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 10POS 2.54MM | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-10-S | Samtec | Conn Housing F 10 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-10-S-K | Samtec | Conn Housing F 10 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-10-S-K | SAMTEC | Description: SAMTEC - IPD1-10-S-K - Steckverbindergehäuse, eine Reihe, IPD1, Buchse, 10 -polig, 2.54 mm tariffCode: 85366990 Anzahl der Positionen: 10-polig productTraceability: No rohsCompliant: YES Rastermaß: 2.54mm Ausführung: Buchse euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79 usEccn: EAR99 Produktpalette: IPD1 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-10-S-K | Samtec | Conn Housing F 10 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube | на замовлення 185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-10-S-K | Samtec | Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | на замовлення 2193 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-10-S-K | Samtec | Conn Housing F 10 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-10-S-K | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 10POS 2.54MM | на замовлення 541 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-10-S-K | Samtec | Conn Housing F 10 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-10-S-K-M | Samtec | Conn Housing F 10 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount White Tube | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-10-S-K-M | Samtec | Headers & Wire Housings | на замовлення 85 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-10-S-K-M | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 10POS 2.54MM | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-10-S-K-R | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 10POS 2.54MM Features: Polarizing Key Packaging: Bulk Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Color: White Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 10 Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 Number of Rows: 1 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-10-S-K-R | Samtec | Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-10-S-P | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 10POS 2.54MM | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-10-S-R | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 10POS 2.54MM | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-103-S-K-M | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 3POS 2.54MM | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-11-D-K | Samtec Inc. | Description: MINI-POWER CONNECTOR | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD1-11-D-K | Samtec | Conn Housing F 22 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-11-D-K-M | Samtec | Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-11-D-K-M | Samtec | Conn Housing F 22 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-11-S-K-M | Samtec | Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-11-S-K-M | Samtec Inc. | Description: MINI-POWER CONNECTOR | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-11-S-K-R | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 11POS 2.54MM Features: Polarizing Key Packaging: Bulk Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Color: White Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 11 Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 Number of Rows: 1 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-12-D-K | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 24POS 2.54MM Packaging: Bulk Features: Polarizing Key Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Color: White Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 24 Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Row Spacing: 0.100" (2.54mm) Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 Number of Rows: 2 | на замовлення 1226 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-12-D-K | Samtec | Conn Housing F 24 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-12-D-K | Samtec | Conn Housing F 24 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD1-12-D-K | Samtec | Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | на замовлення 5299 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-12-D-K | Samtec | Conn Housing F 24 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-12-D-K-M | Samtec | Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | на замовлення 961 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD1-12-D-K-M | Samtec Inc. | Description: MINI-POWER CONNECTOR | на замовлення 464 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD1-12-D-K-M | Samtec | Conn Housing F 24 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-12-D-M | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 24POS 2.54MM Packaging: Bulk Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Color: White Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 24 Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Row Spacing: 0.100" (2.54mm) Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 Number of Rows: 2 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-12-D-M | Samtec | Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-12-S-K-M | Samtec | Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-12-S-K-M | Samtec | Conn Housing F 12 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-12-S-K-M | Samtec Inc. | Description: MINI-POWER CONNECTOR | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-12-S-K-R | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 12POS 2.54MM Features: Polarizing Key Packaging: Bulk Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Color: White Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 12 Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 Number of Rows: 1 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-13-D | Samtec | Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | на замовлення 215 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-13-D | Samtec | Conn Housing F 26 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-13-D-K | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 26POS 2.54MM Features: Polarizing Key Packaging: Bulk Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Color: White Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 26 Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Row Spacing: 0.100" (2.54mm) Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 Number of Rows: 2 | на замовлення 964 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-13-D-K | Samtec | Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | на замовлення 195 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-13-D-K | Samtec | Conn Housing F 26 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-13-D-K-M | Samtec | Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | на замовлення 36 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-13-D-K-M | Samtec | Conn Housing F 26 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-13-D-K-R | Samtec Inc. | Description: MINI-POWER CONNECTOR | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-13-D-R | Samtec Inc. | Description: MINI-POWER CONNECTOR | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-13-S-K-M | Samtec Inc. | Description: MINI-POWER CONNECTOR | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-13-S-K-R | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 13POS 2.54MM Features: Polarizing Key Packaging: Bulk Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Color: White Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 13 Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 Number of Rows: 1 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-14-D-K | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 28POS 2.54MM Packaging: Bulk Features: Polarizing Key Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Color: White Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 28 Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Row Spacing: 0.100" (2.54mm) Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 Number of Rows: 2 | на замовлення 68 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-14-D-K | Samtec | Conn Housing F 28 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-14-D-K-M | Samtec | Conn Housing F 28 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-14-D-K-M | Samtec | Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-14-S-K-M | Samtec Inc. | Description: MINI-POWER CONNECTOR | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-14-S-K-R | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 14POS 2.54MM Features: Polarizing Key Packaging: Bulk Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Color: White Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 14 Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 Number of Rows: 1 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-15-D | SAMTEC | Description: SAMTEC - IPD1-15-D - Steckverbindergehäuse, IPD1, Buchse, 30 -polig, 2.54 mm tariffCode: 85389099 Anzahl der Positionen: 30-polig productTraceability: No rohsCompliant: YES Rastermaß: 2.54mm Ausführung: Buchse euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79 usEccn: EAR99 Produktpalette: IPD1 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-15-D | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT 30POS .100" DUAL | на замовлення 426 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD1-15-D-K | Samtec | Conn Housing F 30 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-15-D-K | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 30POS 2.54MM Packaging: Bulk Features: Polarizing Key Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Color: White Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 30 Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Row Spacing: 0.100" (2.54mm) Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 Number of Rows: 2 | на замовлення 1091 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-15-D-K | SAMTEC | Description: SAMTEC - IPD1-15-D-K - Steckverbindergehäuse, IPD1, Buchse, 30 -polig, 2.54 mm tariffCode: 85472000 Anzahl der Positionen: 30-polig productTraceability: No rohsCompliant: YES Rastermaß: 2.54mm Ausführung: Buchse euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Zur Verwendung mit: Buchsenkontakte der Produktreihe CC69 von Samtec usEccn: EAR99 Produktpalette: IPD1 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-15-D-K-30S | Samtec | .100 Inch Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-15-D-K-M | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 30POS 2.54MM Packaging: Tube Features: Pick and Place, Polarizing Key Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Color: White Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 30 Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Row Spacing: 0.100" (2.54mm) Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 Number of Rows: 2 | на замовлення 3023 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-15-D-K-M | Samtec | Conn Housing F 30 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube | на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-15-D-K-M | Samtec | Conn Housing F 30 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-15-D-K-M | Samtec | Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | на замовлення 65 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD1-15-D-M | Samtec | Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-15-D-M | Samtec Inc. | Description: MINI-POWER CONNECTOR | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-15-D-P-M | Samtec | Conn Housing F 30 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-15-S-K | Samtec Inc. | Description: MINI-POWER CONN | на замовлення 478 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD1-15-S-K . | SAMTEC | Description: SAMTEC - IPD1-15-S-K . - Steckverbindergehäuse, IPD1, Buchse, 15 -polig, 2.54 mm tariffCode: 85366990 Anzahl der Positionen: 15-polig productTraceability: No rohsCompliant: YES Rastermaß: 2.54mm Ausführung: Buchse euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79 usEccn: EAR99 Produktpalette: IPD1 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD1-15-S-K-M | Samtec | Conn Housing F 15 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-15-S-K-M | Samtec | Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-15-S-K-M | Samtec Inc. | Description: MINI-POWER CONNECTOR | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-15-S-K-R | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 15POS 2.54MM Features: Polarizing Key Packaging: Bulk Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Color: White Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 15 Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 Number of Rows: 1 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-16-D | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 32POS 2.54MM Packaging: Bulk Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Color: White Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 32 Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Row Spacing: 0.100" (2.54mm) Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 Number of Rows: 2 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-16-D | Samtec | Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-16-D | Samtec | Conn Housing F 32 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-16-D | Samtec | Conn Housing F 32 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-16-D-GP | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 32POS 2.54MM Packaging: Bulk Features: Guide Post Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Color: White Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 32 Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Row Spacing: 0.100" (2.54mm) Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 Number of Rows: 2 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-16-D-GP | Samtec | Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-16-D-GP-M | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 32POS 2.54MM Features: Guide Post Packaging: Bulk Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Color: White Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 32 Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Row Spacing: 0.100" (2.54mm) Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 Number of Rows: 2 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-16-D-GP-M | Samtec | Headers & Wire Housings | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-16-D-GP-R | Samtec | Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-16-D-GP-R | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 32POS 2.54MM Packaging: Bulk Features: Guide Post Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Color: White Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 32 Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Row Spacing: 0.100" (2.54mm) Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 Number of Rows: 2 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-16-D-K | Samtec | Conn Housing F 32 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-16-D-K | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 32POS 2.54MM Packaging: Bulk Features: Polarizing Key Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Color: White Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 32 Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Row Spacing: 0.100" (2.54mm) Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 Number of Rows: 2 | на замовлення 805 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-16-D-K | Samtec | Conn Housing F 32 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube | на замовлення 75 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-16-D-K | Samtec | Conn Housing F 32 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-16-D-K | Samtec | Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | на замовлення 5844 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-16-D-K . | SAMTEC | Description: SAMTEC - IPD1-16-D-K . - Steckverbindergehäuse, zwei Reihen, IPD1, Buchse, 32 -polig, 2.54 mm tariffCode: 85366990 Anzahl der Positionen: 32-polig productTraceability: No rohsCompliant: YES Rastermaß: 2.54mm Ausführung: Buchse euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79 usEccn: EAR99 Produktpalette: IPD1 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD1-16-D-K-M | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 32POS 2.54MM Packaging: Tube Features: Polarizing Key Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Color: White Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 32 Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Row Spacing: 0.100" (2.54mm) Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 Number of Rows: 2 | на замовлення 58 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-16-D-K-M | Samtec | Conn Housing F 32 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-16-D-K-M | Samtec | Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | на замовлення 288 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-16-D-K-M | Samtec | Conn Housing F 32 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-16-D-K-M | Samtec | Conn Housing F 32 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-16-D-K-R | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 32POS 2.54MM Packaging: Bulk Features: Polarizing Key Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Color: White Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 32 Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Row Spacing: 0.100" (2.54mm) Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 Number of Rows: 2 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-16-D-K-R | Samtec | Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | на замовлення 166 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-16-D-M | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 32POS 2.54MM Packaging: Bulk Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Color: White Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 32 Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Row Spacing: 0.100" (2.54mm) Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 Number of Rows: 2 | на замовлення 48 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-16-D-M | Samtec | Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | на замовлення 62 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-16-D-M | Samtec | Conn Housing RCP 32 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Mini Mate® | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-16-D-P | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 32POS 2.54MM Packaging: Bulk Features: Polarizing Key Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Color: White Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 32 Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Row Spacing: 0.100" (2.54mm) Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 Number of Rows: 2 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-16-D-P | Samtec | Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-16-D-P-M | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 32POS 2.54MM Packaging: Bulk Features: Polarizing Key Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Color: White Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 32 Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Row Spacing: 0.100" (2.54mm) Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 Number of Rows: 2 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-16-D-P-M | Samtec | Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-16-D-R | Samtec | Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-16-D-R | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 32POS 2.54MM Packaging: Bulk Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Color: White Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 32 Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Row Spacing: 0.100" (2.54mm) Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 Number of Rows: 2 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-16-S-K | Samtec Inc. | Description: MINI-POWER CONNECTOR | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD1-16-S-K-M | Samtec Inc. | Description: MINI-POWER CONNECTOR | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-16-S-K-M | Samtec | Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-16-S-K-R | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 16POS 2.54MM Features: Polarizing Key Packaging: Bulk Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Color: White Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 16 Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 Number of Rows: 1 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-17-D-K-M | Samtec | Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-17-S-K | Samtec | Conn Housing F 17 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD1-17-S-K-M | Samtec Inc. | Description: MINI-POWER CONNECTOR | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-17-S-K-R | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 17POS 2.54MM Features: Polarizing Key Packaging: Bulk Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Color: White Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 17 Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 Number of Rows: 1 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-18-D-K | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 36POS 2.54MM Features: Polarizing Key Packaging: Bulk Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Color: White Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 36 Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Row Spacing: 0.100" (2.54mm) Part Status: Active Number of Rows: 2 | на замовлення 317 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-18-D-K | Samtec | Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | на замовлення 34 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-18-D-K-M | Samtec | Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-18-S-K-M | Samtec | Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-18-S-K-M | Samtec Inc. | Description: MINI-POWER CONNECTOR | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-18-S-K-R | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 18POS 2.54MM Features: Polarizing Key Packaging: Bulk Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Color: White Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 18 Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 Number of Rows: 1 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-19-S-K-M | Samtec Inc. | Description: MINI-POWER CONNECTOR | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-19-S-K-R | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 19POS 2.54MM Features: Polarizing Key Packaging: Bulk Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Color: White Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 19 Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 Number of Rows: 1 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-20-D | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 40POS 2.54MM Packaging: Bulk Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Color: White Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 40 Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Row Spacing: 0.100" (2.54mm) Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 Number of Rows: 2 | на замовлення 459 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-20-D | Samtec | Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | на замовлення 314 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-20-D-GP | Samtec Inc. | Description: MINI-POWER CONNECTOR | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-20-D-GP-M | Samtec Inc. | Description: MINI-POWER CONNECTOR | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-20-D-GP-R | Samtec Inc. | Description: MINI-POWER CONNECTOR | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-20-D-K | Samtec | Conn Housing F 40 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Mini Mate® Tube | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-20-D-K | Samtec | Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-20-D-K | SAMTEC | Description: SAMTEC - IPD1-20-D-K - Steckverbindergehäuse, IPD1, Buchse, 40 -polig, 2.54 mm tariffCode: 85366990 Anzahl der Positionen: 40-polig productTraceability: No rohsCompliant: YES Rastermaß: 2.54mm Ausführung: Buchse euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Baureihe CC79 von SAMTEC usEccn: EAR99 Produktpalette: IPD1 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 158 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-20-D-K | Samtec Inc. | Description: MINI-POWER CONN | на замовлення 195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD1-20-D-K-M | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 40POS 2.54MM Packaging: Tube Features: Pick and Place, Polarizing Key Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Color: White Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 40 Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Row Spacing: 0.100" (2.54mm) Part Status: Active Number of Rows: 2 | на замовлення 523 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-20-D-K-M | Samtec | Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | на замовлення 77 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-20-D-K-R | Samtec Inc. | Description: MINI-POWER CONNECTOR | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-20-D-M | Samtec | Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | на замовлення 76 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-20-D-M | Samtec Inc. | Description: MINI-POWER CONNECTOR | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-20-D-P | Samtec | Headers & Wire Housings Samtec | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-20-D-P | Samtec Inc. | Description: MINI-POWER CONNECTOR | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-20-D-P-M | Samtec Inc. | Description: MINI-POWER CONNECTOR | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-20-D-R | Samtec Inc. | Description: MINI-POWER CONNECTOR | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-20-S-K | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 20POS 2.54MM Features: Polarizing Key Packaging: Bulk Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Color: White Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 20 Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 Number of Rows: 1 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-20-S-K | Samtec | Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-20-S-K-M | Samtec | Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-20-S-K-M | Samtec | Conn Housing F 20 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-20-S-K-M | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 20POS 2.54MM Features: Polarizing Key Packaging: Tube Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Color: White Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 20 Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 Number of Rows: 1 | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-20-S-K-R | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 20POS 2.54MM Features: Polarizing Key Packaging: Bulk Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Color: White Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 20 Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 Number of Rows: 1 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-20-S-K-R | Samtec | Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-20-S-R | Samtec | Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-20-S-R | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 20POS 2.54MM Packaging: Bulk Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Color: White Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 20 Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 Number of Rows: 1 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-21-D | Samtec | Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-21-D-GP | Samtec | Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-21-D-GP-M | Samtec | Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-21-D-K | Samtec | Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-21-D-M | Samtec | Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-21-S-K-R | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 21POS 2.54MM Packaging: Bulk Features: Polarizing Key Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Color: White Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 21 Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 Number of Rows: 1 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-22-D | Samtec | Conn Housing F 44 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-22-D-K-M | Samtec | Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-22-S-K-R | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 22POS 2.54MM Packaging: Bulk Features: Polarizing Key Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Color: White Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 22 Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 Number of Rows: 1 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-23-D | Samtec | Conn Housing F 46 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-23-S-K-M | Samtec Inc. | Description: MINI-POWER CONNECTOR | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-23-S-K-M | Samtec | Headers & Wire Housings | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-23-S-K-R | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 23POS 2.54MM Packaging: Bulk Features: Polarizing Key Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Color: White Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 23 Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 Number of Rows: 1 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-24-D-P-M | Samtec | Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-24-D-R | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 48POS 2.54MM Packaging: Bulk Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Color: White Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 48 Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Row Spacing: 0.100" (2.54mm) Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 Number of Rows: 2 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-24-S-K-R | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 24POS 2.54MM Packaging: Bulk Features: Polarizing Key Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Color: White Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 24 Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 Number of Rows: 1 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-25-D | Samtec | Conn Housing F 50 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount | на замовлення 31 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-25-D | Samtec | Conn Housing F 50 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount | на замовлення 353 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD1-25-D | Samtec Inc. | Description: CONN HOUSING 50 POS 2.54MM ST | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-25-D-GP-M | Samtec | Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-25-D-K | Samtec | Conn Housing F 50 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-25-D-K | Samtec | Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | на замовлення 286 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-25-D-K | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 50POS 2.54MM Packaging: Bulk Features: Polarizing Key Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Color: White Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 50 Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Row Spacing: 0.100" (2.54mm) Part Status: Active Number of Rows: 2 Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 | на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-25-D-K | Samtec | Conn Housing F 50 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-25-D-K | Samtec | Conn Housing F 50 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IPD1-25-D-K | Samtec | Conn Housing F 50 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube | на замовлення 825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-25-D-K . | SAMTEC | Description: SAMTEC - IPD1-25-D-K . - Steckverbindergehäuse, zwei Reihen, IPD1, Buchse, 50 -polig, 2.54 mm tariffCode: 85366990 Anzahl der Positionen: 50-polig productTraceability: No rohsCompliant: YES Rastermaß: 2.54mm Ausführung: Buchse euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79 usEccn: EAR99 Produktpalette: IPD1 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-25-D-K-M | Samtec | Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | на замовлення 72 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-25-D-K-M | Samtec | Conn Housing F 50 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-25-D-K-M | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 50POS 2.54MM Features: Polarizing Key Packaging: Tube Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Color: White Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 50 Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Row Spacing: 0.100" (2.54mm) Part Status: Active Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 Number of Rows: 2 | на замовлення 580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD1-25-D-K-M | Samtec | Conn Housing F 50 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-25-D-K-M | Samtec | Conn Housing F 50 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-25-D-K-R | Samtec | Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-25-D-K-R | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 50POS 2.54MM Features: Polarizing Key Packaging: Bulk Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Color: White Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 50 Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Row Spacing: 0.100" (2.54mm) Part Status: Active Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 Number of Rows: 2 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-25-D-M | Samtec | Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-25-D-P | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 50POS 2.54MM Features: Polarizing Key Packaging: Bulk Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Color: White Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 50 Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Row Spacing: 0.100" (2.54mm) Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 Number of Rows: 2 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-25-D-P | Samtec | Conn Housing 50 POS 2.54mm Crimp ST Loose | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-25-D-P | Samtec | Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-25-D-P-M | Samtec | Conn Housing RCP 50 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount White Mini Mate® | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-25-D-P-M | Samtec | Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-25-D-P-M | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 50POS 2.54MM Features: Polarizing Key Packaging: Bulk Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Color: White Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 50 Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Row Spacing: 0.100" (2.54mm) Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 Number of Rows: 2 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-25-S-K-M | Samtec | Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD1-25-S-K-R | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 25POS 2.54MM Packaging: Bulk Features: Polarizing Key Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Color: White Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 25 Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 Number of Rows: 1 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
IPD100N04S4-02 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 100A DPAK-2 OptiMOS-T2 | на замовлення 11736 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD100N04S4-02 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD100N04S402ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IPD100N04S402ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9430 pF @ 25 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|