Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD090N03LGATMA1
IPD090N03LGATMA1

IPD090N03LGATMA1 Infineon Technologies

ipd090n03lg_rev1.061.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+13.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD090N03LGATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-11, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15.

Інші пропозиції IPD090N03LGATMA1 за ціною від 14.94 грн до 61.5 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPD090N03LGATMA1 IPD090N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD090N03LG-DS-v01_09-en.pdf?fileId=db3a304327b897500127d89522867181 Description: MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+17.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD090N03LGATMA1 IPD090N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd090n03lg_rev1.061.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+17.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD090N03LGATMA1 IPD090N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd090n03lg_rev1.061.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+19.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD090N03LGATMA1 IPD090N03LGATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPD090N03LG-DS-v01_09-en.pdf?fileId=db3a304327b897500127d89522867181 Description: INFINEON - IPD090N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0075 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: 0
Drain-Source-Spannung Vds: 0
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: 0
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: 0
Rds(on)-Prüfspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+23.42 грн
500+ 17.64 грн
1000+ 15.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPD090N03LGATMA1 IPD090N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd090n03lg_rev1.061.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
26+23.62 грн
28+ 21.71 грн
100+ 18.05 грн
250+ 14.94 грн
Мінімальне замовлення: 26
IPD090N03LGATMA1 IPD090N03LGATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPD090N03LG-DS-v01_09-en.pdf?fileId=db3a304327b897500127d89522867181 Description: INFINEON - IPD090N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0075 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: 0
Drain-Source-Spannung Vds: 0
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: 0
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: 0
Rds(on)-Prüfspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+33.9 грн
50+ 28.7 грн
100+ 23.42 грн
500+ 17.64 грн
1000+ 15.95 грн
Мінімальне замовлення: 24
IPD090N03LGATMA1 IPD090N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD090N03L_G_DataSheet_v02_01_EN-3362326.pdf MOSFETs N-Ch 30V 40A DPAK-2
на замовлення 29614 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+35.1 грн
11+ 30.07 грн
100+ 19.47 грн
500+ 17.15 грн
Мінімальне замовлення: 10
IPD090N03LGATMA1 IPD090N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD090N03LG-DS-v01_09-en.pdf?fileId=db3a304327b897500127d89522867181 Description: MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
на замовлення 91920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+38.02 грн
10+ 31.41 грн
100+ 21.72 грн
500+ 17.04 грн
1000+ 15.95 грн
Мінімальне замовлення: 8
IPD090N03LGATMA1 IPD090N03LGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPD090N03LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; 42W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2472 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+51.25 грн
34+ 25.11 грн
93+ 23.72 грн
500+ 22.99 грн
Мінімальне замовлення: 8
IPD090N03LGATMA1 IPD090N03LGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPD090N03LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; 42W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2472 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+61.5 грн
34+ 31.29 грн
93+ 28.47 грн
500+ 27.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPD090N03LGATMA1 IPD090N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd090n03lg_rev1.061.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPD090N03LGATMA1 IPD090N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd090n03lg_rev1.061.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній