IPD042P03L3GATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 54.86 грн |
| 5000+ | 53.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD042P03L3GATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD042P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, p-Kanal, 30 V, 70 A, 0.0035 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IPD042P03L3GATMA1 за ціною від 55.47 грн до 166.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPD042P03L3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IPD042P03L3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12400 pF @ 15 V |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IPD042P03L3GATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD042P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, p-Kanal, 30 V, 70 A, 0.0035 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 18039 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IPD042P03L3GATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD042P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, p-Kanal, 30 V, 70 A, 0.0035 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 18039 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IPD042P03L3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12400 pF @ 15 V |
на замовлення 13000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IPD042P03L3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH <= 40V |
на замовлення 20408 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IPD042P03L3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 3990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IPD042P03L3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
OptiMOS P3 Power-Transistor |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
| IPD042P03L3GATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -70A; Idm: -280A; 150W Case: PG-TO252-3 Mounting: SMD Power dissipation: 150W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ P3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -280A Drain-source voltage: -30V Drain current: -70A On-state resistance: 6.8mΩ Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
| IPD042P03L3GATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -70A; Idm: -280A; 150W Case: PG-TO252-3 Mounting: SMD Power dissipation: 150W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ P3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -280A Drain-source voltage: -30V Drain current: -70A On-state resistance: 6.8mΩ Type of transistor: P-MOSFET |
товар відсутній |