IPD031N03LGATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 35.9 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD031N03LGATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD031N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 0.0026 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 94W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IPD031N03LGATMA1 за ціною від 30.66 грн до 85.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD031N03LGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD031N03LGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD031N03LGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 37500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD031N03LGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 9980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD031N03LGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD031N03LGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 15 V |
на замовлення 4158 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD031N03LGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS 3 |
на замовлення 2582 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD031N03LGATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD031N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 0.0026 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 94W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2312 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD031N03LGATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3 Power dissipation: 94W Case: PG-TO252-3 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Drain current: 79A On-state resistance: 3.1mΩ |
на замовлення 2167 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD031N03LGATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3 Power dissipation: 94W Case: PG-TO252-3 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Drain current: 79A On-state resistance: 3.1mΩ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2167 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IPD031N03LGATMA1 Код товару: 149574 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
 |
IPD031N03LGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IPD031N03LGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |