Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD082N10N3GATMA1
IPD082N10N3GATMA1

IPD082N10N3GATMA1 Infineon Technologies

ipi086n10n3gxk.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+45.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD082N10N3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD082N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.007 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IPD082N10N3GATMA1 за ціною від 53.53 грн до 163.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPD082N10N3GATMA1 IPD082N10N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP086N10N3G-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d1ac5c8fa1358 Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 50 V
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+59.74 грн
5000+ 55.37 грн
12500+ 53.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD082N10N3GATMA1 IPD082N10N3GATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPP086N10N3G-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d1ac5c8fa1358 Description: INFINEON - IPD082N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.007 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 18880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+81.21 грн
500+ 68.24 грн
1000+ 60.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPD082N10N3GATMA1 IPD082N10N3GATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPP086N10N3G-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d1ac5c8fa1358 Description: INFINEON - IPD082N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.007 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 18880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+97.77 грн
50+ 89.88 грн
100+ 81.21 грн
500+ 68.24 грн
1000+ 60.49 грн
Мінімальне замовлення: 9
IPD082N10N3GATMA1 IPD082N10N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPP086N10N3G_DS_v02_06_en-1732006.pdf MOSFETs N
на замовлення 3077 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+127.92 грн
10+ 95.38 грн
100+ 73.1 грн
250+ 71.69 грн
500+ 65.23 грн
1000+ 58.76 грн
2500+ 55.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPD082N10N3GATMA1 IPD082N10N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP086N10N3G-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d1ac5c8fa1358 Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 50 V
на замовлення 26526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+132.29 грн
10+ 105.94 грн
100+ 84.34 грн
500+ 66.98 грн
1000+ 56.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPD082N10N3GATMA1 IPD082N10N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipi086n10n3gxk.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+151.98 грн
10+ 138.49 грн
25+ 136.29 грн
100+ 110.36 грн
250+ 99.81 грн
500+ 78.61 грн
1000+ 61.5 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPD082N10N3GATMA1 IPD082N10N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipi086n10n3gxk.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
74+163.67 грн
81+ 149.14 грн
83+ 146.77 грн
100+ 118.85 грн
250+ 107.49 грн
500+ 84.66 грн
1000+ 66.24 грн
Мінімальне замовлення: 74
IPD082N10N3GATMA1
Код товару: 143398 		Infineon-IPP086N10N3G-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d1ac5c8fa1358 Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IPD082N10N3GATMA1 IPD082N10N3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPD082N10N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 125W; PG-TO252-3
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
On-state resistance: 8.2mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPD082N10N3GATMA1 IPD082N10N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipi086n10n3gxk.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IPD082N10N3GATMA1 IPD082N10N3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPD082N10N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 125W; PG-TO252-3
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
On-state resistance: 8.2mΩ
товар відсутній