![IPD046N08N5ATMA1 IPD046N08N5ATMA1](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4845/448_TO252-3.jpg)
IPD046N08N5ATMA1 Infineon Technologies
![Infineon-IPD046N08N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b6137129a66ed](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 65µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 79 грн |
5000+ | 73.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD046N08N5ATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 45A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 65µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V.
Інші пропозиції IPD046N08N5ATMA1 за ціною від 73.1 грн до 286.28 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPD046N08N5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IPD046N08N5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 65µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V |
на замовлення 7135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IPD046N08N5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2456 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IPD046N08N5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IPD046N08N5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
![]() |
IPD046N08N5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |