Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD040N03LGATMA1
IPD040N03LGATMA1

IPD040N03LGATMA1 Infineon Technologies

IPD040N03LG_rev1.01.pdf Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+83.17 грн
10+ 65.47 грн
100+ 50.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD040N03LGATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 79W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-11, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V.

Інші пропозиції IPD040N03LGATMA1 за ціною від 83.66 грн до 110.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPD040N03LGATMA1 IPD040N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd040n03lg_rev11.02.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+103.58 грн
10+ 102.59 грн
25+ 101.6 грн
100+ 97.01 грн
250+ 88.93 грн
500+ 84.53 грн
1000+ 83.66 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPD040N03LGATMA1 IPD040N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd040n03lg_rev11.02.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
111+110.48 грн
112+ 109.41 грн
113+ 108.35 грн
250+ 103.44 грн
500+ 94.82 грн
1000+ 90.1 грн
Мінімальне замовлення: 111
IPD040N03LGATMA1
Код товару: 128410 		IPD040N03LG_rev1.01.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IPD040N03LGATMA1 IPD040N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd040n03lg_rev11.02.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IPD040N03LGATMA1 IPD040N03LGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPD040N03LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
On-state resistance: 4mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPD040N03LGATMA1 IPD040N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd040n03lg_rev11.02.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IPD040N03LGATMA1 IPD040N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPD040N03LG_rev1.01.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V
товар відсутній
IPD040N03LGATMA1 IPD040N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD040N03LG_DS_v01_02_en-1227077.pdf MOSFET TRENCH <= 40V
товар відсутній
IPD040N03LGATMA1 IPD040N03LGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPD040N03LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
On-state resistance: 4mΩ
товар відсутній