![IPD028N06NF2SATMA1 IPD028N06NF2SATMA1](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/ee41eb4e5ac11323115cbb9a6e8f8c887abfcf87/infineon-package-dpak-to252-3-11-strongirfet2.jpg)
IPD028N06NF2SATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2000+ | 46.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD028N06NF2SATMA1 Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R.
Інші пропозиції IPD028N06NF2SATMA1 за ціною від 38.84 грн до 125.14 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPD028N06NF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPD028N06NF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPD028N06NF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPD028N06NF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPD028N06NF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2053 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IPD028N06NF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 139A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.85mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 80µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 30 V |
на замовлення 1995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
IPD028N06NF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
IPD028N06NF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IPD028N06NF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 139A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.85mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 80µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 30 V |
товар відсутній |