![IPD075N03LGATMA1 IPD075N03LGATMA1](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2014/4/23/9/18/6/987/smn_/manual/to-252.jpg)
IPD075N03LGATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 16.4 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD075N03LGATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 47W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-11, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V.
Інші пропозиції IPD075N03LGATMA1 за ціною від 20.74 грн до 89.88 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPD075N03LGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 47W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPD075N03LGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 47W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V |
на замовлення 15528 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPD075N03LGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 7466 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPD075N03LGATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; 47W; PG-TO252-3 Kind of channel: enhanced Mounting: SMD Case: PG-TO252-3 Drain-source voltage: 30V Drain current: 35A On-state resistance: 7.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 47W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Gate-source voltage: ±20V |
на замовлення 2481 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPD075N03LGATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; 47W; PG-TO252-3 Kind of channel: enhanced Mounting: SMD Case: PG-TO252-3 Drain-source voltage: 30V Drain current: 35A On-state resistance: 7.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 47W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2481 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IPD075N03LGATMA1 Код товару: 172911 |
![]() |
товар відсутній
|