![IPD04N03LB G IPD04N03LB G](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4845/448_TO252-3.jpg)
IPD04N03LB G Infineon Technologies
![IP%28D%2CF%2CS%2CU%2904N03LB_G.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V
на замовлення 1119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 88.96 грн |
10+ | 70.29 грн |
100+ | 61.53 грн |
500+ | 54.23 грн |
1000+ | 53.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD04N03LB G Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 115W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-11, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V.
Інші пропозиції IPD04N03LB G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPD04N03LBG | Виробник : Rochester Electronics, LLC |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
IPD04N03LBG | Виробник : infineon |
![]() |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
![]() |
IPD04N03LB G | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V |
товар відсутній |
|
![]() |
IPD04N03LB G | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |