Продукція > DMG
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DMG 100 | LOVATO ELECTRIC | Category: Power Network Meters and Analyzers Description: Meter: network parameters; for DIN rail mounting; LCD; DMG; 1A,5A Mounting: for DIN rail mounting Kind of display used: LCD IP rating: IP20 at terminal side; IP40 (from the front) Supply voltage: 100...240V AC; 120...250V DC Kind of network: three-phase Input current: 1A; 5A Illumination: yes Measuring instrument features: multilanguage menu Type of meter: network parameters Manufacturer series: DMG True effective value measurement: True RMS Measurement: active power; AC voltage; apparent power; energy; frequency; harmonics; power factor; reactive power Kind of meter: digital; mounting Dimensions (W x H x D): 71.6x90x63mm Kind of measurement: indirect with 1A current transformer; indirect with 5A current transformer AC voltage measuring range: 50...720V Frequency measuring range: 45...65Hz AC current measuring accuracy: ±0.5% AC voltage measuring accuracy: ±0.5% Active power measuring accuracy: ±1% | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG 100 | LOVATO ELECTRIC | Category: Power Network Meters and Analyzers Description: Meter: network parameters; for DIN rail mounting; LCD; DMG; 1A,5A Mounting: for DIN rail mounting Kind of display used: LCD IP rating: IP20 at terminal side; IP40 (from the front) Supply voltage: 100...240V AC; 120...250V DC Kind of network: three-phase Input current: 1A; 5A Illumination: yes Measuring instrument features: multilanguage menu Type of meter: network parameters Manufacturer series: DMG True effective value measurement: True RMS Measurement: active power; AC voltage; apparent power; energy; frequency; harmonics; power factor; reactive power Kind of meter: digital; mounting Dimensions (W x H x D): 71.6x90x63mm Kind of measurement: indirect with 1A current transformer; indirect with 5A current transformer AC voltage measuring range: 50...720V Frequency measuring range: 45...65Hz AC current measuring accuracy: ±0.5% AC voltage measuring accuracy: ±0.5% Active power measuring accuracy: ±1% кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG 110 | LOVATO ELECTRIC | Category: Power Network Meters and Analyzers Description: Meter: network parameters; for DIN rail mounting; LCD; DMG; 1A,5A Manufacturer series: DMG IP rating: IP20 at terminal side; IP40 (from the front) Supply voltage: 100...240V AC; 120...250V DC Mounting: for DIN rail mounting Illumination: yes Interface: RS485 Measuring instrument features: multilanguage menu Type of meter: network parameters True effective value measurement: True RMS Measurement: active power; AC voltage; apparent power; energy; frequency; harmonics; power factor; reactive power Kind of meter: digital; mounting Dimensions (W x H x D): 71.6x90x63mm Kind of measurement: indirect with 1A current transformer; indirect with 5A current transformer AC voltage measuring range: 50...720V Frequency measuring range: 45...65Hz AC current measuring accuracy: ±0.5% AC voltage measuring accuracy: ±0.5% Kind of display used: LCD Active power measuring accuracy: ±1% Kind of network: three-phase Input current: 1A; 5A кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG 110 | LOVATO ELECTRIC | Category: Power Network Meters and Analyzers Description: Meter: network parameters; for DIN rail mounting; LCD; DMG; 1A,5A Manufacturer series: DMG IP rating: IP20 at terminal side; IP40 (from the front) Supply voltage: 100...240V AC; 120...250V DC Mounting: for DIN rail mounting Illumination: yes Interface: RS485 Measuring instrument features: multilanguage menu Type of meter: network parameters True effective value measurement: True RMS Measurement: active power; AC voltage; apparent power; energy; frequency; harmonics; power factor; reactive power Kind of meter: digital; mounting Dimensions (W x H x D): 71.6x90x63mm Kind of measurement: indirect with 1A current transformer; indirect with 5A current transformer AC voltage measuring range: 50...720V Frequency measuring range: 45...65Hz AC current measuring accuracy: ±0.5% AC voltage measuring accuracy: ±0.5% Kind of display used: LCD Active power measuring accuracy: ±1% Kind of network: three-phase Input current: 1A; 5A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG 200 L01 | LOVATO ELECTRIC | Category: Power Network Meters and Analyzers Description: Meter: network parameters; for DIN rail mounting; LCD; 128x80 IP rating: IP20 at terminal side; IP40 (from the front) Manufacturer series: DMG Kind of network: three-phase Illumination: yes Display resolution: 128x80 Measuring instrument features: multilanguage menu Type of meter: network parameters True effective value measurement: True RMS Measurement: AC current; active power; AC voltage; apparent power; energy; frequency; harmonics; power factor; reactive power Kind of meter: digital; mounting Dimensions (W x H x D): 71.6x90x63mm Kind of measurement: indirect with 5A current transformer AC current measuring range: 10mA...6A AC voltage measuring range: 10...480V Frequency measuring range: 45...65Hz AC current measuring accuracy: ±0.5% AC voltage measuring accuracy: ±0.5% Active power measuring accuracy: ±1% Mounting: for DIN rail mounting Kind of display used: LCD | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG 200 L01 | LOVATO ELECTRIC | Category: Power Network Meters and Analyzers Description: Meter: network parameters; for DIN rail mounting; LCD; 128x80 IP rating: IP20 at terminal side; IP40 (from the front) Manufacturer series: DMG Kind of network: three-phase Illumination: yes Display resolution: 128x80 Measuring instrument features: multilanguage menu Type of meter: network parameters True effective value measurement: True RMS Measurement: AC current; active power; AC voltage; apparent power; energy; frequency; harmonics; power factor; reactive power Kind of meter: digital; mounting Dimensions (W x H x D): 71.6x90x63mm Kind of measurement: indirect with 5A current transformer AC current measuring range: 10mA...6A AC voltage measuring range: 10...480V Frequency measuring range: 45...65Hz AC current measuring accuracy: ±0.5% AC voltage measuring accuracy: ±0.5% Active power measuring accuracy: ±1% Mounting: for DIN rail mounting Kind of display used: LCD кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG 210 | LOVATO ELECTRIC | Category: Power Network Meters and Analyzers Description: Meter: network parameters; for DIN rail mounting; LCD; 128x80 Type of meter: network parameters Kind of measurement: indirect with 5A current transformer Mounting: for DIN rail mounting Kind of meter: digital; mounting Kind of display used: LCD Display resolution: 128x80 Measurement: AC current; active power; AC voltage; apparent power; energy; frequency; harmonics; power factor; reactive power Manufacturer series: DMG Kind of network: three-phase AC voltage measuring range: 10...480V AC current measuring range: 10mA...6A Frequency measuring range: 45...65Hz AC voltage measuring accuracy: ±0.5% AC current measuring accuracy: ±0.5% True effective value measurement: True RMS Interface: RS485 Measuring instrument features: multilanguage menu IP rating: IP20 at terminal side; IP40 (from the front) Dimensions (W x H x D): 71.6x90x63mm Illumination: yes Active power measuring accuracy: ±1% кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 5 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG 210 | LOVATO ELECTRIC | Category: Power Network Meters and Analyzers Description: Meter: network parameters; for DIN rail mounting; LCD; 128x80 Type of meter: network parameters Kind of measurement: indirect with 5A current transformer Mounting: for DIN rail mounting Kind of meter: digital; mounting Kind of display used: LCD Display resolution: 128x80 Measurement: AC current; active power; AC voltage; apparent power; energy; frequency; harmonics; power factor; reactive power Manufacturer series: DMG Kind of network: three-phase AC voltage measuring range: 10...480V AC current measuring range: 10mA...6A Frequency measuring range: 45...65Hz AC voltage measuring accuracy: ±0.5% AC current measuring accuracy: ±0.5% True effective value measurement: True RMS Interface: RS485 Measuring instrument features: multilanguage menu IP rating: IP20 at terminal side; IP40 (from the front) Dimensions (W x H x D): 71.6x90x63mm Illumination: yes Active power measuring accuracy: ±1% | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG 300 L01 | LOVATO ELECTRIC | Category: Power Network Meters and Analyzers Description: Meter: network parameters; for DIN rail mounting; LCD; 128x80 Kind of display used: LCD Mounting: for DIN rail mounting Measurement: AC current; active power; AC voltage; apparent power; energy; frequency; power factor; reactive power Manufacturer series: DMG Measuring instrument features: FFT up to 31st harmonic; multilanguage menu Dimensions (W x H x D): 71.6x90x63mm Related items: EXP1001; EXP1013; EXP1020 Display resolution: 128x80 Illumination: yes Kind of network: three-phase Type of meter: network parameters True effective value measurement: True RMS Kind of meter: digital; mounting Kind of measurement: indirect with 1A current transformer; indirect with 5A current transformer AC current measuring range: 10mA...6A AC voltage measuring range: 10...480V Frequency measuring range: 45...65Hz IP rating: IP20 at terminal side; IP40 (from the front) AC current measuring accuracy: ±0.2% AC voltage measuring accuracy: ±0.2% Active power measuring accuracy: ±0.5% | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG 300 L01 | LOVATO ELECTRIC | Category: Power Network Meters and Analyzers Description: Meter: network parameters; for DIN rail mounting; LCD; 128x80 Kind of display used: LCD Mounting: for DIN rail mounting Measurement: AC current; active power; AC voltage; apparent power; energy; frequency; power factor; reactive power Manufacturer series: DMG Measuring instrument features: FFT up to 31st harmonic; multilanguage menu Dimensions (W x H x D): 71.6x90x63mm Related items: EXP1001; EXP1013; EXP1020 Display resolution: 128x80 Illumination: yes Kind of network: three-phase Type of meter: network parameters True effective value measurement: True RMS Kind of meter: digital; mounting Kind of measurement: indirect with 1A current transformer; indirect with 5A current transformer AC current measuring range: 10mA...6A AC voltage measuring range: 10...480V Frequency measuring range: 45...65Hz IP rating: IP20 at terminal side; IP40 (from the front) AC current measuring accuracy: ±0.2% AC voltage measuring accuracy: ±0.2% Active power measuring accuracy: ±0.5% кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG 600 | LOVATO ELECTRIC | Category: Power Network Meters and Analyzers Description: Meter: network parameters; on panel; digital,mounting; LCD; 1A,5A Mounting: on panel IP rating: IP20 at terminal side; IP54 (from the front) Related items: EXP8000 Kind of network: three-phase Input current: 1A; 5A Measuring instrument features: multilanguage menu Type of meter: network parameters Communictions protocol: Modbus RTU; TCP True effective value measurement: True RMS Measurement: AC current; active power; AC voltage; apparent power; energy; frequency; power factor; reactive power Kind of meter: digital; mounting Dimensions (W x H x D): 96x96x73.5mm Kind of measurement: indirect with 1A current transformer; indirect with 5A current transformer AC voltage measuring range: 50...720V Frequency measuring range: 45...65Hz AC current measuring accuracy: ±0.5% AC voltage measuring accuracy: ±0.5% Active power measuring accuracy: ±1% Kind of display used: LCD Supply voltage: 100...440V AC; 120...250V DC Mounting hole diameter: 92x92mm | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG 600 | LOVATO ELECTRIC | Category: Power Network Meters and Analyzers Description: Meter: network parameters; on panel; digital,mounting; LCD; 1A,5A Mounting: on panel IP rating: IP20 at terminal side; IP54 (from the front) Related items: EXP8000 Kind of network: three-phase Input current: 1A; 5A Measuring instrument features: multilanguage menu Type of meter: network parameters Communictions protocol: Modbus RTU; TCP True effective value measurement: True RMS Measurement: AC current; active power; AC voltage; apparent power; energy; frequency; power factor; reactive power Kind of meter: digital; mounting Dimensions (W x H x D): 96x96x73.5mm Kind of measurement: indirect with 1A current transformer; indirect with 5A current transformer AC voltage measuring range: 50...720V Frequency measuring range: 45...65Hz AC current measuring accuracy: ±0.5% AC voltage measuring accuracy: ±0.5% Active power measuring accuracy: ±1% Kind of display used: LCD Supply voltage: 100...440V AC; 120...250V DC Mounting hole diameter: 92x92mm кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 3 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG 610 | LOVATO ELECTRIC | Category: Power Network Meters and Analyzers Description: Meter: network parameters; on panel; digital,mounting; LCD; 1A,5A Type of meter: network parameters Kind of measurement: indirect with 1A current transformer; indirect with 5A current transformer Mounting: on panel Kind of meter: digital; mounting Kind of display used: LCD Measurement: active power; AC voltage; apparent power; energy; frequency; power factor; reactive power Kind of network: three-phase AC voltage measuring range: 50...720V Input current: 1A; 5A Frequency measuring range: 45...65Hz AC voltage measuring accuracy: ±0.5% AC current measuring accuracy: ±0.5% True effective value measurement: True RMS Interface: RS485 Communictions protocol: Modbus RTU; TCP Measuring instrument features: multilanguage menu Related items: EXP8000 IP rating: IP20 at terminal side; IP54 (from the front) Supply voltage: 100...440V AC; 120...250V DC Dimensions (W x H x D): 96x96x73.5mm Mounting hole diameter: 92x92mm Active power measuring accuracy: ±1% кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG 610 | LOVATO ELECTRIC | Category: Power Network Meters and Analyzers Description: Meter: network parameters; on panel; digital,mounting; LCD; 1A,5A Type of meter: network parameters Kind of measurement: indirect with 1A current transformer; indirect with 5A current transformer Mounting: on panel Kind of meter: digital; mounting Kind of display used: LCD Measurement: active power; AC voltage; apparent power; energy; frequency; power factor; reactive power Kind of network: three-phase AC voltage measuring range: 50...720V Input current: 1A; 5A Frequency measuring range: 45...65Hz AC voltage measuring accuracy: ±0.5% AC current measuring accuracy: ±0.5% True effective value measurement: True RMS Interface: RS485 Communictions protocol: Modbus RTU; TCP Measuring instrument features: multilanguage menu Related items: EXP8000 IP rating: IP20 at terminal side; IP54 (from the front) Supply voltage: 100...440V AC; 120...250V DC Dimensions (W x H x D): 96x96x73.5mm Mounting hole diameter: 92x92mm Active power measuring accuracy: ±1% | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG-02P-14-00A(H) | NINGBO DEGSON ELECTRICAL CO.LTD | на замовлення 3 шт: термін постачання 5 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
DMG-02P-14-00Z(H) | DEGSON ELECTRONICS | Category: Din Rail Mounting Enclosures Description: Enclosure: for DIN rail mounting; polycarbonate; green; UL94V-0 Enclosure material: polycarbonate Body colour: green Flammability rating: UL94V-0 Type of enclosure: for DIN rail mounting | на замовлення 157 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG-02P-14-00Z(H) | DEGSON ELECTRONICS | Category: Din Rail Mounting Enclosures Description: Enclosure: for DIN rail mounting; polycarbonate; green; UL94V-0 Enclosure material: polycarbonate Body colour: green Flammability rating: UL94V-0 Type of enclosure: for DIN rail mounting кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 157 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG-AF-04-H | Adam Technologies | DMG-AF-04-H | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG-W15-3C2C-WHT-180 | MOBILE MARK | Description: MOBILE MARK - DMG-W15-3C2C-WHT-180 - HF-Antenne, 4.9 bis 6GHz, GNNS / GPS / Glonass / Galileo / BeiDou / QZSS / WiFi, 2.5dBi, 10W tariffCode: 85291069 rohsCompliant: YES Stehwellenverhältnis (VSWR): 2 Antenne: GNNS / GPS / Glonass / Galileo / BeiDou / QZSS / WiFi Verstärkung: 2.5dBi hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Eingangsimpedanz: 50ohm usEccn: EAR99 Frequenz, min.: 4.9GHz Antennenmontage: SMA-Steckverbinder euEccn: NLR Produktpalette: DM Series Eingangsleistung: 10W productTraceability: No Antennenpolarisation: - Frequenz, max.: 6GHz SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1012T | Diodes Incorporated | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG1012T-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT523 T&R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 280mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-523 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V | на замовлення 5348539 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1012T-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R | на замовлення 2760000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1012T-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT523 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 280mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-523 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V | на замовлення 5340000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1012T-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG1012T-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 450mA; Idm: 3A; 280mW; SOT523 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.45A On-state resistance: 0.7Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.28W Polarisation: unipolar Gate charge: 736.6pC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±6V Pulsed drain current: 3A Mounting: SMD Case: SOT523 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG1012T-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 450mA; Idm: 3A; 280mW; SOT523 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.45A On-state resistance: 0.7Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.28W Polarisation: unipolar Gate charge: 736.6pC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±6V Pulsed drain current: 3A Mounting: SMD Case: SOT523 кількість в упаковці: 10000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG1012T-13 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG1012T-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 20V N-Ch Enhance Mode MOSFET | на замовлення 25684 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1012T-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R | на замовлення 2283000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1012T-7 | DIODES/ZETEX | N-MOSFET 20V; 0.45A; 0.28W; 2kV; -55..+150°C DMG1012T-7 TDMG1012T-7 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 12000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1012T-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R | на замовлення 2716 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1012T-7 | DIODES/ZETEX | N-MOSFET 20V; 0.45A; 0.28W; 2kV; -55..+150°C DMG1012T-7 TDMG1012T-7 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 21000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1012T-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 280mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-523 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V | на замовлення 304924 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1012T-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.28W; SOT523 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.45A On-state resistance: 0.3Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.28W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±6V Mounting: SMD Case: SOT523 | на замовлення 1140 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1012T-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R | на замовлення 2716 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1012T-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.28W; SOT523 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.45A On-state resistance: 0.3Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.28W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±6V Mounting: SMD Case: SOT523 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 1140 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1012T-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG1012T-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET N-CHANNEL SOT-523 | на замовлення 949932 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1012T-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG1012T-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.3 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 630mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 280mW Bauform - Transistor: SOT-523 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1201469 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1012T-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R | на замовлення 2283000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1012T-7 | DIODES/ZETEX | N-MOSFET 20V; 0.45A; 0.28W; 2kV; -55..+150°C DMG1012T-7 TDMG1012T-7 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 18400 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1012T-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 280mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-523 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V | на замовлення 301364 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1012T-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R | на замовлення 591000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1012T-7 | HXY MOSFET | Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 150mOhm; 800mA; 150mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: DMG1012T-13; DMG1012T-7 HXY MOSFET TDMG1012T-7 HXY кількість в упаковці: 250 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1012T-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R | на замовлення 591000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1012T-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG1012T-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.3 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 630mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 280mW Bauform - Transistor: SOT-523 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1201469 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1012T-7 NA1.. | DIODES/ZETEX | N-MOSFET 20V; 0.45A; 0.28W; 2kV; -55..+150°C DMG1012T-7 TDMG1012T-7 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 299 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1012TQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.28W; SOT523 Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.45A On-state resistance: 0.3Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.28W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±6V Mounting: SMD Case: SOT523 | на замовлення 310 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1012TQ-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A Automotive 3-Pin SOT-523 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG1012TQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: | на замовлення 323891 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1012TQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-523 T/R | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1012TQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG1012TQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.3 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 630mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 280mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 280mW Bauform - Transistor: SOT-523 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 42146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1012TQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-523 T/R | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1012TQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-523 T/R | на замовлення 255 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1012TQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT523 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 280mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-523 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2341752 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1012TQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-523 T/R | на замовлення 255 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DMG1012TQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-523 T/R | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1012TQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG1012TQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.3 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 630mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 280mW Bauform - Transistor: SOT-523 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 42146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1012TQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT523 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 280mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-523 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2334000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1012TQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-523 T/R | на замовлення 87000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1012TQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-523 T/R | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1012TQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.28W; SOT523 Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.45A On-state resistance: 0.3Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.28W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±6V Mounting: SMD Case: SOT523 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 310 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1012TQ-7-52 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R Packaging: Bulk Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 280mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-523 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.737 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG1012TQ-7-52 | Diodes Zetex | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG1012UW | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG1012UW - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV euEccn: NLR Verlustleistung: 290mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 221375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1012UW | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG1012UW - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES Verlustleistung: 290 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3 rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 185950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1012UW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 78000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1012UW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 497 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1012UW-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG1012UW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 290 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1 euEccn: NLR Verlustleistung: 290 Bauform - Transistor: SOT-323 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 19540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1012UW-7 | DIODES/ZETEX | N-MOSFET 20V 1A 450mΩ 290mW DMG1012UW-7 Diodes TDMG1012uw кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 12000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1012UW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 497 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DMG1012UW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 1A SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 290mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V | на замовлення 9173365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1012UW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 915000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1012UW-7 | DIODES/ZETEX | N-MOSFET 20V 1A 450mΩ 290mW DMG1012UW-7 Diodes TDMG1012uw кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1012UW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 411000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1012UW-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG1012UW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 290 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1 euEccn: NLR Verlustleistung: 290 Bauform - Transistor: SOT-323 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 19540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1012UW-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; 0.29W; SOT323 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 20V Drain current: 1A On-state resistance: 0.3Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.29W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±6V Mounting: SMD Case: SOT323 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 1030 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1012UW-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; 0.29W; SOT323 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 20V Drain current: 1A On-state resistance: 0.3Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.29W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±6V Mounting: SMD Case: SOT323 | на замовлення 1030 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1012UW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 411000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1012UW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 1A SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 290mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V | на замовлення 9173365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1012UW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 915000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1012UW-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 177000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1012UW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET N-CHANNEL SOT-323 | на замовлення 265367 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1012UW-7 | DIODES/ZETEX | N-MOSFET 20V 1A 450mΩ 290mW DMG1012UW-7 Diodes TDMG1012uw кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 1500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1012UW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 78000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1012UWQ-7 | Diodes Zetex | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1012UWQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 6A; 610mW; SOT323 Case: SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.75A On-state resistance: 0.75Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.61W Polarisation: unipolar Gate charge: 1nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±6V Pulsed drain current: 6A | на замовлення 2690 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1012UWQ-7 | Diodes Zetex | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG1012UWQ-7 | Diodes Inc | MOSFET BVDSS: 8V24V SOT323 T&R 3K | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG1012UWQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT323 T&R 3K | на замовлення 443 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1012UWQ-7 | Diodes Zetex | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1012UWQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 460mW Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 16 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 47680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1012UWQ-7 | Diodes Zetex | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1012UWQ-7 | Diodes Zetex | DMG1012UWQ-7 | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1012UWQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 460mW Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 16 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1012UWQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 6A; 610mW; SOT323 Case: SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.75A On-state resistance: 0.75Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.61W Polarisation: unipolar Gate charge: 1nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±6V Pulsed drain current: 6A кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2690 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1013T | DIODES | 10 SOT-523 | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DMG1013T-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 0.46A 3-Pin SOT-523 T/R | на замовлення 144000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1013T-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 0.46A 3-Pin SOT-523 T/R | на замовлення 807000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1013T-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 350mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 270mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-523 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.622 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V | на замовлення 8496000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1013T-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.33A; Idm: -6A; 0.27W Case: SOT523 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -20V Drain current: -330mA On-state resistance: 0.7Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.27W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±6V Pulsed drain current: -6A кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 3080 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1013T-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 0.46A 3-Pin SOT-523 T/R | на замовлення 898 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DMG1013T-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG1013T-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 460 mA, 0.5 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 460mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 270mW Bauform - Transistor: SOT-523 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 107104 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1013T-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 0.46A 3-Pin SOT-523 T/R | на замовлення 144000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1013T-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 0.46A 3-Pin SOT-523 T/R | на замовлення 281000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1013T-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 0.46A 3-Pin SOT-523 T/R | на замовлення 918000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1013T-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 0.46A 3-Pin SOT-523 T/R | на замовлення 807000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1013T-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 350mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 270mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-523 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.622 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V | на замовлення 8502744 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1013T-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG1013T-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 460 mA, 0.5 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 460mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 270mW Bauform - Transistor: SOT-523 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 107104 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1013T-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.33A; Idm: -6A; 0.27W Case: SOT523 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -20V Drain current: -330mA On-state resistance: 0.7Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.27W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±6V Pulsed drain current: -6A | на замовлення 3080 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1013T-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 0.46A 3-Pin SOT-523 T/R | на замовлення 279000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1013T-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 0.46A 3-Pin SOT-523 T/R | на замовлення 898 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1013T-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET P-CH 20V 0.46A 3-Pin SOT-523 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG1013T-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET P-CHANNEL SOT-523 | на замовлення 1690311 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1013T-7 PA1. | DIODES/ZETEX | P-MOSFET 20V 460mA 270mW 700mΩ DMG1013T-7 Diodes TDMG1013T-7 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 2580 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1013T-7 PA1. | DIODES/ZETEX | P-MOSFET 20V 460mA 270mW 700mΩ DMG1013T-7 Diodes TDMG1013T-7 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1013T-7 PA1. | DIODES/ZETEX | P-MOSFET 20V 460mA 270mW 700mΩ DMG1013T-7 Diodes TDMG1013T-7 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 420 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1013T-7 PA1. | DIODES/ZETEX | P-MOSFET 20V 460mA 270mW 700mΩ DMG1013T-7 Diodes TDMG1013T-7 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 4350 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1013TQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -330mA; Idm: -6A; 270mW Case: SOT523 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Drain-source voltage: -20V Drain current: -330mA On-state resistance: 1.3Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.27W Polarisation: unipolar Gate charge: 580pC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±6V Pulsed drain current: -6A кількість в упаковці: 10 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG1013TQ-7 | Diodes Zetex | 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG1013TQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 350mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 270mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-523 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.58 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1013TQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -330mA; Idm: -6A; 270mW Case: SOT523 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Drain-source voltage: -20V Drain current: -330mA On-state resistance: 1.3Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.27W Polarisation: unipolar Gate charge: 580pC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±6V Pulsed drain current: -6A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG1013TQ-7 | Diodes Inc | 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG1013TQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG1013TQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 460 mA, 0.5 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 460mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 270mW Bauform - Transistor: SOT-523 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1013TQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT523 T&R 3K | на замовлення 222776 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1013TQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 350mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 270mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-523 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.58 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1013TQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG1013TQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 460 mA, 0.5 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 460mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 270mW Bauform - Transistor: SOT-523 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1013UW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 310mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.622 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V | на замовлення 3921189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1013UW-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1013UW-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG1013UW-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 820mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 40695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1013UW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-Ch -20V VDSS Enchanced Mosfet | на замовлення 55354 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1013UW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DMG1013UW-7 | DIODES/ZETEX | Transistor P-MOSFET; 20V; 6V; 1,5Ohm; 820mA; 310mW; -55°C~150°C; DMG1013UW-7 TDMG1013UW-7 Diodes кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1013UW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 1689000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1013UW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DMG1013UW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 310mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.622 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V | на замовлення 3921000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1013UW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 243000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1013UW-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG1013UW-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 820mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 40695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1013UW-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.54A; 0.31W; SOT323 Case: SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -20V Drain current: -540mA On-state resistance: 1.5Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.31W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±6V кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 32855 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1013UW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1013UW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 243000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1013UW-7 | DIODES/ZETEX | Transistor P-MOSFET; 20V; 6V; 1,5Ohm; 820mA; 310mW; -55°C~150°C; DMG1013UW-7 TDMG1013UW-7 Diodes кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1013UW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1013UW-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.54A; 0.31W; SOT323 Case: SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -20V Drain current: -540mA On-state resistance: 1.5Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.31W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±6V | на замовлення 32855 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1013UW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1013UWQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 310mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 37990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1013UWQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG1013UWQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 820mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 9190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1013UWQ-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -540mA; Idm: -3A; 310mW Case: SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Drain-source voltage: -20V Drain current: -540mA On-state resistance: 1.5Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.31W Polarisation: unipolar Gate charge: 622.4pC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±6V Pulsed drain current: -3A кількість в упаковці: 10000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG1013UWQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG1013UWQ-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -540mA; Idm: -3A; 310mW Case: SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Drain-source voltage: -20V Drain current: -540mA On-state resistance: 1.5Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.31W Polarisation: unipolar Gate charge: 622.4pC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±6V Pulsed drain current: -3A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG1013UWQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 310mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1013UWQ-13 | Diodes Inc | Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG1013UWQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1013UWQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG1013UWQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 820mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 9190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1013UWQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.54A; 0.31W; SOT323 Case: SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Drain-source voltage: -20V Drain current: -540mA On-state resistance: 1.5Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.31W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±6V кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 5340 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1013UWQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG1013UWQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 820mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 310mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SOT-323 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.5ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 4629 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1013UWQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG1013UWQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.54A; 0.31W; SOT323 Case: SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Drain-source voltage: -20V Drain current: -540mA On-state resistance: 1.5Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.31W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±6V | на замовлення 5340 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1013UWQ-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG1013UWQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1013UWQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 310mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1154062 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1013UWQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: | на замовлення 22594 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1013UWQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG1013UWQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 820mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 4629 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1013UWQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1013UWQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG1013UWQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 310mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1149000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1013UWQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 264000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1013UWQ-7-52 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R Packaging: Bulk Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 310mW Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG1013UWQ-7-52 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG1016UDW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 261000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1016UDW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 20V Vdss 6V VGSS Complementary Pair | на замовлення 220690 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1016UDW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 330mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.07A, 845mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active | на замовлення 783227 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1016UDW-7 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V Type of transistor: N/P-MOSFET Case: SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.53W On-state resistance: 0.45/0.75Ω Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of transistor: complementary pair Gate-source voltage: ±6V Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 0.85/-1.07A кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 260 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1016UDW-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG1016UDW-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 845 mA, 845 mA, 0.3 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 845mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 845mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm Verlustleistung, p-Kanal: 330mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 330mW Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 16090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1016UDW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG1016UDW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 207000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1016UDW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 330mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.07A, 845mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active | на замовлення 780000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1016UDW-7 | на замовлення 55000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
DMG1016UDW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 261000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1016UDW-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG1016UDW-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 845 mA, 845 mA, 0.3 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 845mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 845mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm Verlustleistung, p-Kanal: 330mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 330mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 14590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1016UDW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 2200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1016UDW-7 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V Type of transistor: N/P-MOSFET Case: SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.53W On-state resistance: 0.45/0.75Ω Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of transistor: complementary pair Gate-source voltage: ±6V Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 0.85/-1.07A | на замовлення 260 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1016UDW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 2200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1016UDW-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 207000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1016UDWQ-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG1016UDWQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG1016UDWQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.69/-0.548A; Idm: 3.2A Type of transistor: N/P-MOSFET Case: SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Power dissipation: 0.33W On-state resistance: 0.45Ω Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate-source voltage: ±6V Pulsed drain current: 3.2A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 0.69/-0.548A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG1016UDWQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 414000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1016UDWQ-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DMG1016UDWQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT363 T&R 3K | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG1016UDWQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V 1.066A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 330mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.066A (Ta), 845mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 10V, 59.76pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V, 750mOhm @ 430mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 736.6nC @ 4.5V, 0.62nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Not For New Designs Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 372000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1016UDWQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.69/-0.548A; Idm: 3.2A Type of transistor: N/P-MOSFET Case: SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Power dissipation: 0.33W On-state resistance: 0.45Ω Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate-source voltage: ±6V Pulsed drain current: 3.2A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 0.69/-0.548A кількість в упаковці: 5 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG1016UDWQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 414000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1016V-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1016V-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 1035 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1016V-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1016V-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1016V-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL SOT-563 | на замовлення 320118 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1016V-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1016V-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.87A SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 530mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA, 640mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | на замовлення 142835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1016V-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 195000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1016V-7 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.63/-0.46A; 0.53W Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 0.63/-0.46A Power dissipation: 0.53W Case: SOT563 Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 0.4/0.7Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2674 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1016V-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG1016V-7 - Dual-MOSFET, AEC-Q101, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 870 mA, 870 mA, 0.3 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 870 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20 usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 870 Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3 Verlustleistung, p-Kanal: 530 Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20 euEccn: NLR Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 530 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 4885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1016V-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1016V-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1016V-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 96000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1016V-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1016V-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1016V-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 1035 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1016V-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG1016V-7 - Dual-MOSFET, AEC-Q101, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 870 mA, 870 mA, 0.3 ohm tariffCode: 85412100 Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3 Anzahl der Pins: 6 Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 870 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 870 MSL: MSL 1 - unbegrenzt hazardous: false Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Produktpalette: - Bauform - Transistor: SOT-563 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Verlustleistung, n-Kanal: 530 Drain-Source-Spannung Vds: 20 Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20 Verlustleistung, p-Kanal: 530 Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20 Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3 Dauer-Drainstrom Id: 870 rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Transistormontage: Oberflächenmontage Verlustleistung Pd: 530 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 4885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1016V-7 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.63/-0.46A; 0.53W Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 0.63/-0.46A Power dissipation: 0.53W Case: SOT563 Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 0.4/0.7Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate | на замовлення 2674 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1016V-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 96000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1016V-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.87A SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 530mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA, 640mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | на замовлення 138000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1016VQ-13 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 630/-460mA; 530mW Case: SOT563 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 0.63/-0.46A On-state resistance: 700mΩ/1.3Ω Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 0.53W Polarisation: unipolar Gate charge: 736.6/622.4pC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±6V кількість в упаковці: 10000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG1016VQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 70000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1016VQ-13 | Diodes Inc | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG1016VQ-13 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 630/-460mA; 530mW Case: SOT563 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 0.63/-0.46A On-state resistance: 700mΩ/1.3Ω Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 0.53W Polarisation: unipolar Gate charge: 736.6/622.4pC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±6V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG1016VQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.87A SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 530mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA, 640mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1016VQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG1016VQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET Comp Pair Enh FET 20Vdss 6Vgss | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG1016VQ-13-52 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT563 T&R Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 530mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA (Ta), 640mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V, 59.76pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V, 700mOhm @ 430mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 736.6nC @ 4.5V, 0.62nC @ 4.5V FET Feature: Standard Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG1016VQ-13-52 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-Ch | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG1016VQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V Case: SOT563 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 0.087/-0.064A On-state resistance: 0.4/0.7Ω Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 0.53W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±6V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG1016VQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 195000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1016VQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.87A SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 530mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA, 640mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | на замовлення 173455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1016VQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs Comp Pair Enh FET 20Vdss 6Vgss | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG1016VQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1016VQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R Automotive AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG1016VQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V Case: SOT563 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 0.087/-0.064A On-state resistance: 0.4/0.7Ω Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 0.53W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±6V кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG1016VQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1016VQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.87A SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 530mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA, 640mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | на замовлення 171000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1016VQ-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1016VQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG1023UV-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 1.03A 6-Pin SOT-563 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG1023UV-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 1.03A 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 1883 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1023UV-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET P-CHANNEL | на замовлення 25385 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1023UV-7 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.68A; 0.53W; SOT563 Drain-source voltage: -20V Drain current: -680mA On-state resistance: 25Ω Type of transistor: P-MOSFET x2 Power dissipation: 0.53W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: SOT563 Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±6V Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2950 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1023UV-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 1.03A 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1023UV-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 1.03A 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 1883 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1023UV-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 1.03A 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1023UV-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET P-CH 20V 1.03A 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 17999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1023UV-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.03A SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 530mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.03A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | на замовлення 1748906 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1023UV-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 1.03A 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1023UV-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 1.03A 6-Pin SOT-563 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG1023UV-7 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.68A; 0.53W; SOT563 Drain-source voltage: -20V Drain current: -680mA On-state resistance: 25Ω Type of transistor: P-MOSFET x2 Power dissipation: 0.53W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: SOT563 Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±6V Mounting: SMD | на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1023UV-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 1.03A 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1023UV-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.03A SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 530mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.03A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | на замовлення 1734000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1023UV-7-52 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT563 T&R Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 530mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.03A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6224nC @ 4.5V FET Feature: Standard Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG1023UV-7-52 | Diodes Zetex | Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG1023UVQ-13 | Diodes Zetex | High Enhancement Mode MOSFET | на замовлення 120000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1023UVQ-13 | Diodes Zetex | High Enhancement Mode MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG1023UVQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG1023UVQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 530mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.03A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.622nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | на замовлення 120000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1023UVQ-7 | Diodes Inc | High Enhancement Mode MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG1023UVQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG1023UVQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 530mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.03A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.622nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | на замовлення 1317000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1023UVQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -680mA; Idm: -3A; 530mW Case: SOT563 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Drain-source voltage: -20V Drain current: -680mA On-state resistance: 25Ω Type of transistor: P-MOSFET x2 Power dissipation: 0.53W Polarisation: unipolar Gate charge: 622pC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±6V Pulsed drain current: -3A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG1023UVQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -680mA; Idm: -3A; 530mW Case: SOT563 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Drain-source voltage: -20V Drain current: -680mA On-state resistance: 25Ω Type of transistor: P-MOSFET x2 Power dissipation: 0.53W Polarisation: unipolar Gate charge: 622pC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±6V Pulsed drain current: -3A кількість в упаковці: 5 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG1023UVQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 530mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.03A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.622nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | на замовлення 1319960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1024UV-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.38A SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 530mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.38A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | на замовлення 19173 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1024UV-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 1.38A 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1024UV-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 1.38A 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1024UV-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 1.38A 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 327000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1024UV-7 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.89A; 0.53W; SOT563 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.89A Power dissipation: 0.53W Case: SOT563 Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 364 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1024UV-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.38A SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 530mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.38A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1024UV-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 1.38A 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1024UV-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 1.38A 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 2665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1024UV-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 20V 1.38A 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1024UV-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 1.38A 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 2665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1024UV-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET N-CHANNEL | на замовлення 37319 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1024UV-7 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.89A; 0.53W; SOT563 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.89A Power dissipation: 0.53W Case: SOT563 Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate | на замовлення 364 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1024UV-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 1.38A 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1026UV-7 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; Idm: 1A; 0.58W; SOT563 Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.3A On-state resistance: 1.8Ω Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 0.58W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: SOT563 Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1A Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1823 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1026UV-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG1026UV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 410 mA, 410 mA, 1.2 ohm tariffCode: 85412900 Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2 Anzahl der Pins: 6 Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 410 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 410 MSL: MSL 1 - unbegrenzt hazardous: false Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10 Produktpalette: - Bauform - Transistor: SOT-563 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Verlustleistung, n-Kanal: 580 Drain-Source-Spannung Vds: 60 Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60 Verlustleistung, p-Kanal: 580 Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60 Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2 Dauer-Drainstrom Id: 410 rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - usEccn: EAR99 Transistormontage: Oberflächenmontage Verlustleistung Pd: 580 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 2435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1026UV-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 65003 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1026UV-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.41A SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 580mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | на замовлення 1144825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1026UV-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 6-Pin SOT-563 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG1026UV-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60 1V-60V,SOT563,3K | на замовлення 152641 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1026UV-7 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; Idm: 1A; 0.58W; SOT563 Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.3A On-state resistance: 1.8Ω Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 0.58W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: SOT563 Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1A Mounting: SMD | на замовлення 1823 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1026UV-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1026UV-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG1026UV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 410 mA, 410 mA, 1.2 ohm tariffCode: 85412900 Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2 Anzahl der Pins: 6 Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 410 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 410 MSL: MSL 1 - unbegrenzt hazardous: false Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10 Produktpalette: - Bauform - Transistor: SOT-563 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Verlustleistung, n-Kanal: 580 Drain-Source-Spannung Vds: 60 Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60 Verlustleistung, p-Kanal: 580 Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60 Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2 Dauer-Drainstrom Id: 410 rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - usEccn: EAR99 Transistormontage: Oberflächenmontage Verlustleistung Pd: 580 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 2435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1026UV-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.41A SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 580mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | на замовлення 1143000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1026UV-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 6-Pin SOT-563 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG1026UV-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1026UVQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: | на замовлення 3069 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1026UVQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 320mA; Idm: 1A; 650mW; SOT563 Case: SOT563 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.32A On-state resistance: 2.1Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.65W Polarisation: unipolar Gate charge: 0.45pC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG1026UVQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 320mA; Idm: 1A; 650mW; SOT563 Case: SOT563 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.32A On-state resistance: 2.1Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.65W Polarisation: unipolar Gate charge: 0.45pC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1A кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG1026UVQ-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG1026UVQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2 N-CH 60V 440MA SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 650mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45pC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG1029SV-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 450mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA, 360mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V, 25pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | на замовлення 2404787 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1029SV-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1029SV-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1029SV-7 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V Case: SOT563 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 60/-60V Drain current: 0.4/-0.28A On-state resistance: 1.7/4Ω Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 0.66W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG1029SV-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG1029SV-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 500 mA, 500 mA, 1.3 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.3ohm Verlustleistung, p-Kanal: 450mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.3ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 450mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 3395 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1029SV-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1029SV-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1029SV-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 450mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA, 360mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V, 25pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | на замовлення 2400000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1029SV-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1029SV-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 60V Comp Pair ENH 1.7 Ohm 10V 500mA | на замовлення 223121 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1029SV-7 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V Case: SOT563 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 60/-60V Drain current: 0.4/-0.28A On-state resistance: 1.7/4Ω Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 0.66W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG1029SV-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 144000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1029SV-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 144000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1029SV-7-50 | Diodes Incorporated | Description: 2N7002 Family SOT563 T&R 3K Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 450mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), 360mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V, 25pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 500mA, 10V, 4Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V, 0.28nC @ 4.5V FET Feature: Standard Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG1029SV-7-50 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG1029SV-7-52 | Diodes Incorporated | Description: 2N7002 Family SOT563 T&R 3K Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 450mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), 360mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V, 25pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 500mA, 10V, 4Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V, 0.28nC @ 4.5V FET Feature: Standard Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG1029SV-7-52 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG1029SVQ-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1029SVQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1029SVQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT563 T&R 3K | на замовлення 130718 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1029SVQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V Case: SOT563 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Drain-source voltage: 60/-60V Drain current: 0.4/-0.28A On-state resistance: 1.7/4Ω Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 0.66W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG1029SVQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT563 T&R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 450mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), 360mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V, 25pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 500mA, 10V, 4Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V, 0.28nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | на замовлення 170770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1029SVQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1029SVQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1029SVQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V Case: SOT563 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Drain-source voltage: 60/-60V Drain current: 0.4/-0.28A On-state resistance: 1.7/4Ω Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 0.66W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG1029SVQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT563 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 450mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), 360mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V, 25pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 500mA, 10V, 4Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V, 0.28nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | на замовлення 168000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1029SVQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG1029SVQ-7-52 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT563 T&R Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 450mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), 360mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V, 25pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 500mA, 10V, 4Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V, 0.28nC @ 4.5V FET Feature: Standard Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG1029SVQ-7-52 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG10N60SCT | DIODES INCORPORATED | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.9A; Idm: 15A; 71W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7.9A Pulsed drain current: 15A Power dissipation: 71W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Gate charge: 35nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG10N60SCT | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG10N60SCT | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 178W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB (Type TH) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1587 pF @ 16 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG10N60SCT | Diodes Zetex | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG10N60SCT | DIODES INCORPORATED | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.9A; Idm: 15A; 71W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7.9A Pulsed drain current: 15A Power dissipation: 71W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Gate charge: 35nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG1553-5 | iNRCORE, LLC | Description: TRANSFORMER PBC Packaging: Tube Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG16 сервомотор с металлическим редуктором Код товару: 39985 | HEXTRONIX | Модульні елементи > Мотори (двигуни) Опис: Сервомотор с металлическим редуктором; вес: 18,8г Тип: Серво | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG200 | LOVATO ELECTRIC | Category: Power Network Meters and Analyzers Description: Meter: network parameters; for DIN rail mounting; LCD; 128x80 IP rating: IP20 at terminal side; IP40 (from the front) Manufacturer series: DMG Kind of network: three-phase Illumination: yes Display resolution: 128x80 Type of meter: network parameters True effective value measurement: True RMS Measurement: AC current; active power; AC voltage; apparent power; energy; frequency; harmonics; power factor; reactive power Kind of meter: digital; mounting Dimensions (W x H x D): 71.6x90x63mm Kind of measurement: indirect with 5A current transformer AC current measuring range: 10mA...6A AC voltage measuring range: 10...480V Frequency measuring range: 45...65Hz AC current measuring accuracy: ±0.5% AC voltage measuring accuracy: ±0.5% Active power measuring accuracy: ±1% Mounting: for DIN rail mounting Kind of display used: LCD | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG200 | LOVATO ELECTRIC | Category: Power Network Meters and Analyzers Description: Meter: network parameters; for DIN rail mounting; LCD; 128x80 IP rating: IP20 at terminal side; IP40 (from the front) Manufacturer series: DMG Kind of network: three-phase Illumination: yes Display resolution: 128x80 Type of meter: network parameters True effective value measurement: True RMS Measurement: AC current; active power; AC voltage; apparent power; energy; frequency; harmonics; power factor; reactive power Kind of meter: digital; mounting Dimensions (W x H x D): 71.6x90x63mm Kind of measurement: indirect with 5A current transformer AC current measuring range: 10mA...6A AC voltage measuring range: 10...480V Frequency measuring range: 45...65Hz AC current measuring accuracy: ±0.5% AC voltage measuring accuracy: ±0.5% Active power measuring accuracy: ±1% Mounting: for DIN rail mounting Kind of display used: LCD кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG201020R | Panasonic | Bipolar Transistors - BJT Composite Transistor | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DMG201020R | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS NPN PNP 50V MINI5-G3-B Packaging: Tape & Reel (TR) Voltage - Rated: 50V Package / Case: SC-74A, SOT-753 Current Rating (Amps): 500mA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN + PNP (Emitter Coupled) Applications: General Amplification Supplier Device Package: Mini5-G3-B | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG204010R | Panasonic | Bipolar Transistors - BJT COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm | на замовлення 9319 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DMG204010R | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.1A MINI6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: Mini6-G4-B | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG204010R | PANASONIC | SOT26/SOT363 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DMG204020R | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.5A MINI6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 160MHz, 130MHz Supplier Device Package: Mini6-G4-B | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG204020R | Panasonic | Bipolar Transistors - BJT COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm | на замовлення 1570 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DMG204A00R | Panasonic | Bipolar Transistors - BJT COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG204A00R | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS NPN/PNP 20V/10V 0.5A MINI6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V, 10V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA / 300mV @ 8mA, 400mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V / 130 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 150MHZ, 250MHz Supplier Device Package: Mini6-G4-B | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG204B00R | Panasonic | Bipolar Transistors - BJT COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG204B00R | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS NPN/PNP 50V/10V MINI6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 10V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 8mA, 400mA Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V / 130 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 150MHZ, 250MHz Supplier Device Package: Mini6-G4-B | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG204B10R | Panasonic | Bipolar Transistors - BJT COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm | на замовлення 524 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DMG204B10R | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS NPN/PNP 20V/50V MINI6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 500mA, 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V, 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA / 500mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V / 210 @ 2mA, 10V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: Mini6-G4-B | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG210 | LOVATO ELECTRIC | Category: Power Network Meters and Analyzers Description: Meter: network parameters; for DIN rail mounting; LCD; 128x80 Type of meter: network parameters Kind of measurement: indirect with 5A current transformer Mounting: for DIN rail mounting Kind of meter: digital; mounting Kind of display used: LCD Display resolution: 128x80 Measurement: AC current; active power; AC voltage; apparent power; energy; frequency; harmonics; power factor; reactive power Manufacturer series: DMG Kind of network: three-phase AC voltage measuring range: 10...480V AC current measuring range: 10mA...6A Frequency measuring range: 45...65Hz AC voltage measuring accuracy: ±0.5% AC current measuring accuracy: ±0.5% True effective value measurement: True RMS Interface: RS485 IP rating: IP20 at terminal side; IP40 (from the front) Dimensions (W x H x D): 71.6x90x63mm Illumination: yes Active power measuring accuracy: ±1% | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG210 | LOVATO ELECTRIC | Category: Power Network Meters and Analyzers Description: Meter: network parameters; for DIN rail mounting; LCD; 128x80 Type of meter: network parameters Kind of measurement: indirect with 5A current transformer Mounting: for DIN rail mounting Kind of meter: digital; mounting Kind of display used: LCD Display resolution: 128x80 Measurement: AC current; active power; AC voltage; apparent power; energy; frequency; harmonics; power factor; reactive power Manufacturer series: DMG Kind of network: three-phase AC voltage measuring range: 10...480V AC current measuring range: 10mA...6A Frequency measuring range: 45...65Hz AC voltage measuring accuracy: ±0.5% AC current measuring accuracy: ±0.5% True effective value measurement: True RMS Interface: RS485 IP rating: IP20 at terminal side; IP40 (from the front) Dimensions (W x H x D): 71.6x90x63mm Illumination: yes Active power measuring accuracy: ±1% кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG214010R | Panasonic | Bipolar Transistors - Pre-Biased COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG214010R | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS PNP PREBIAS/NPN 0.3W MINI6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 PNP Pre-Biased, 1 NPN Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V / 210 @ 2mA, 10V Frequency - Transition: 150MHz Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms Supplier Device Package: Mini6-G4-B | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG2301L | Diodes Incorporated | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG2301L-13 | Diodes Zetex | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2301L-13 | Diodes Inc | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2301L-13 | Diodes Zetex | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2301L-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS | на замовлення 19055 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2301L-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 476 pF @ 10 V | на замовлення 196434 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2301L-13 | Diodes Zetex | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | на замовлення 190000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2301L-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1A; Idm: -10A; 1.5W; SOT23 Mounting: SMD On-state resistance: 0.15Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Drain current: -1A Drain-source voltage: -20V Gate charge: 5.5nC Case: SOT23 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -10A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG2301L-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1A; Idm: -10A; 1.5W; SOT23 Mounting: SMD On-state resistance: 0.15Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Drain current: -1A Drain-source voltage: -20V Gate charge: 5.5nC Case: SOT23 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -10A кількість в упаковці: 10000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG2301L-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 476 pF @ 10 V | на замовлення 190000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2301L-7 | Diodes Zetex | P-Channel Enhancement Mode MOSFET | на замовлення 348000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2301L-7 | DIODES/ZETEX | Single P-Channel 20 V 1.5 W 5.5 nC Silicon Surface Mount Mosfet DMG2301L-7 TDMG2301L кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2301L-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS | на замовлення 150213 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2301L-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 476 pF @ 10 V | на замовлення 99000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2301L-7 | Diodes Zetex | P-Channel Enhancement Mode MOSFET | на замовлення 348000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2301L-7 | Diodes Zetex | P-Channel Enhancement Mode MOSFET | на замовлення 1638 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2301L-7 | DIODES/ZETEX | Single P-Channel 20 V 1.5 W 5.5 nC Silicon Surface Mount Mosfet DMG2301L-7 TDMG2301L кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2301L-7 | Diodes Zetex | P-Channel Enhancement Mode MOSFET | на замовлення 312000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2301L-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG2301L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.5W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.12ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm | на замовлення 7079 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2301L-7 | DIODES/ZETEX | Single P-Channel 20 V 1.5 W 5.5 nC Silicon Surface Mount Mosfet DMG2301L-7 TDMG2301L кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 12000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2301L-7 | Diodes Zetex | P-Channel Enhancement Mode MOSFET | на замовлення 1638 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DMG2301L-7 | DIODES/ZETEX | Single P-Channel 20 V 1.5 W 5.5 nC Silicon Surface Mount Mosfet DMG2301L-7 TDMG2301L кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2301L-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 476 pF @ 10 V | на замовлення 99289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2301L-7 | Diodes Inc | P-Channel Enhancement Mode MOSFET | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2301L-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG2301L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm | на замовлення 7079 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2301L-7 | Diodes Zetex | P-Channel Enhancement Mode MOSFET | на замовлення 312000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2301L-7 | DIODES/ZETEX | Single P-Channel 20 V 1.5 W 5.5 nC Silicon Surface Mount Mosfet DMG2301L-7 TDMG2301L кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 1300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2301L-7-ML | MOSLEADER | Description: P 20V 3A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2301LK | Diodes Incorporated | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG2301LK-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.9A; Idm: -8A; 1.4W; SOT23 Mounting: SMD On-state resistance: 298mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.4W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Drain current: -1.9A Drain-source voltage: -20V Gate charge: 3.4nC Case: SOT23 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: -8A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG2301LK-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.9A; Idm: -8A; 1.4W; SOT23 Mounting: SMD On-state resistance: 298mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.4W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Drain current: -1.9A Drain-source voltage: -20V Gate charge: 3.4nC Case: SOT23 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: -8A кількість в упаковці: 10000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG2301LK-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG2301LK-13 | Diodes Inc | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG2301LK-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2301LK-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 840mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 6 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2301LK-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG2301LK-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.136 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 840mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.136ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 7190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2301LK-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 840mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 6 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 342368 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2301LK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2301LK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2301LK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2053 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2301LK-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 840mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 6 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 339000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2301LK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2053 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2301LK-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG2301LK-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.136 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 840mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 840mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.136ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.136ohm | на замовлення 8635 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2301LK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2301LK-7 | DIODES/ZETEX | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A Automotive 3-Pin SOT-23 DMG2301LK-7 TDMG2301LK кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2301LK-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V | на замовлення 68676 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2301LK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 231000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2301LK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2301LK-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2301U | Diodes Incorporated | MOSFETs | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG2301U-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET P-CHANNEL SOT-23 | на замовлення 20671 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2301U-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 6 V | на замовлення 380920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2301U-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.7A; Idm: -27A; 800mW; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.7A Pulsed drain current: -27A Power dissipation: 0.8W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: SMD Gate charge: 6.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG2301U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 267000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2301U-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET P-CH 20V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG2301U-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 6 V | на замовлення 375000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2301U-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.7A; Idm: -27A; 800mW; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.7A Pulsed drain current: -27A Power dissipation: 0.8W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: SMD Gate charge: 6.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG2302U | Diodes Incorporated | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG2302U-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 50µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 594.3 pF @ 10 V | на замовлення 494158 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2302U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 87000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2302U-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG2302U-7 | Diodes Incorporated | MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 20V N-Chan | на замовлення 25294 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DMG2302U-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 50µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 594.3 pF @ 10 V | на замовлення 492000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2302UK | Diodes Incorporated | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG2302UK-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.2A; Idm: 12A; 1.1W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.2A Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 1.1W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 10000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG2302UK-13 Код товару: 198291 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
DMG2302UK-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 660mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 110000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2302UK-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.2A; Idm: 12A; 1.1W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.2A Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 1.1W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG2302UK-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V | на замовлення 6907 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2302UK-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 110000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2302UK-13 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG2302UK-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 660mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 119357 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2302UK-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.2A; Idm: 12A; 0.66W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.66W Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 12A Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.2A On-state resistance: 90mΩ Type of transistor: N-MOSFET | на замовлення 2325 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2302UK-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 660mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 85535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2302UK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2302UK-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V | на замовлення 817859 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2302UK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2302UK-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG2302UK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.061 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 660mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm | на замовлення 25544 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2302UK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2302UK-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23 | на замовлення 5 шт: термін постачання 5 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DMG2302UK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 243000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2302UK-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2302UK-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 660mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2302UK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2302UK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 523 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DMG2302UK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2302UK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 243000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2302UK-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.2A; Idm: 12A; 0.66W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.66W Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 12A Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.2A On-state resistance: 90mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2325 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2302UK-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG2302UK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.061 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 660mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 660mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.061ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm | на замовлення 25544 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2302UK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2302UK-7 | DIODES/ZETEX | Transistor N-MOSFET; 20V; 12V; 120mOhm; 2,8A; 660mW; -55°C ~ 150°C; DMG2302UK-7, DMG2302UK-13; DMG2302UK Diodes TDMG2302uk кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 280 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2302UK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 523 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2302UKQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23 T&R 1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 660mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2302UKQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2302UKQ-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.2A; Idm: 12A; 1.1W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.2A Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 1.1W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 10000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG2302UKQ-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.2A; Idm: 12A; 1.1W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.2A Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 1.1W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG2302UKQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23 T&R 1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 660mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2302UKQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V | на замовлення 5326 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2302UKQ-13 | Diodes Inc | MOSFET BVDSS: 8V24V SOT23 T&R 10K | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG2302UKQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2302UKQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.2A; Idm: 12A; 1.1W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.2A Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 1.1W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG2302UKQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.2A; Idm: 12A; 1.1W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.2A Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 1.1W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG2302UKQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V | на замовлення 167995 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2302UKQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG2302UKQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.061 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 660mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 660mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DMG2302UKQ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.061ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm | на замовлення 4465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2302UKQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23 T&R 3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 660mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 606459 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2302UKQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2302UKQ-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG2302UKQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2302UKQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23 T&R 3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 660mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 606000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2302UKQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2302UKQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG2302UKQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.061 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 660mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DMG2302UKQ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm | на замовлення 4465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2302UQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 50µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 594.3 pF @ 10 V | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2302UQ-13 | Diodes Zetex | N-Channel Enhancement Mode Mosfet Automotive AEC-Q101 | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2302UQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 50µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 594.3 pF @ 10 V | на замовлення 48770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2302UQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 8Vgss 27A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG2302UQ-7 | Diodes Inc | N-Channel Enhancement Mode Mosfet | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG2302UQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 50µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 594.3 pF @ 10 V | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2302UQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 8Vgss 27A | на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2302UQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.8A; Idm: 25A; 1.2W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 3.8A Pulsed drain current: 25A Power dissipation: 1.2W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 45mΩ Mounting: SMD Gate charge: 4.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG2302UQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 50µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 594.3 pF @ 10 V | на замовлення 13970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2302UQ-7 | Diodes Zetex | N-Channel Enhancement Mode Mosfet Automotive AEC-Q101 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2302UQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.8A; Idm: 25A; 1.2W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 3.8A Pulsed drain current: 25A Power dissipation: 1.2W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 45mΩ Mounting: SMD Gate charge: 4.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG2305UX | Diodes Incorporated | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG2305UX-13 | Diodes Zetex | Automotive-grade P-channel SOT-23 MOSFET with a maximum drain-source voltage of -20 V, continuous drain current of -4.2 A, and a maximum thermal dissipation of 1.4 W. | на замовлення 63 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2305UX-13 | DIODES/ZETEX | Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 200mOhm; 4,2A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; DMG2305UX-7, DMG2305UX-13 DMG2305UX TDMG2305ux кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 10000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2305UX-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG2305UX-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.04 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 215806 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2305UX-13 | Diodes Zetex | Automotive-grade P-channel SOT-23 MOSFET with a maximum drain-source voltage of -20 V, continuous drain current of -4.2 A, and a maximum thermal dissipation of 1.4 W. | на замовлення 260000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2305UX-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.3A; Idm: -15A; 1.4W; SOT23 Mounting: SMD On-state resistance: 0.2Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.4W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Drain current: -3.3A Drain-source voltage: -20V Case: SOT23 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -15A кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG2305UX-13 | Diodes Zetex | Automotive-grade P-channel SOT-23 MOSFET with a maximum drain-source voltage of -20 V, continuous drain current of -4.2 A, and a maximum thermal dissipation of 1.4 W. | на замовлення 320000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2305UX-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 15 V | на замовлення 2730000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2305UX-13 | Diodes Zetex | Automotive-grade P-channel SOT-23 MOSFET with a maximum drain-source voltage of -20 V, continuous drain current of -4.2 A, and a maximum thermal dissipation of 1.4 W. | на замовлення 260000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2305UX-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.3A; Idm: -15A; 1.4W; SOT23 Mounting: SMD On-state resistance: 0.2Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.4W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Drain current: -3.3A Drain-source voltage: -20V Case: SOT23 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -15A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG2305UX-13 | Diodes Inc./Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2 шт: термін постачання 5 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DMG2305UX-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG2305UX-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.04 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 215806 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2305UX-13 | Diodes Zetex | Automotive-grade P-channel SOT-23 MOSFET with a maximum drain-source voltage of -20 V, continuous drain current of -4.2 A, and a maximum thermal dissipation of 1.4 W. | на замовлення 320000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2305UX-13 | Diodes Zetex | Automotive-grade P-channel SOT-23 MOSFET with a maximum drain-source voltage of -20 V, continuous drain current of -4.2 A, and a maximum thermal dissipation of 1.4 W. | на замовлення 220000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2305UX-13 | Diodes Incorporated | MOSFET P-Ch ENH FET -20V 52mOhm -5.0V | на замовлення 286883 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2305UX-13 | Diodes Inc | Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 220000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2305UX-13 Код товару: 181611 | Транзистори > Польові P-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
DMG2305UX-13 | Diodes Zetex | Automotive-grade P-channel SOT-23 MOSFET with a maximum drain-source voltage of -20 V, continuous drain current of -4.2 A, and a maximum thermal dissipation of 1.4 W. | на замовлення 2950000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2305UX-13 | Diodes Incorporated | Транзистор польовий SOT-23-3 P-Ch Vdss=-20V, Id=3,3A, Rdson=0.052 Ohm, Vgs=-4,5 V; | на замовлення 233 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2305UX-13 | Diodes Zetex | Automotive-grade P-channel SOT-23 MOSFET with a maximum drain-source voltage of -20 V, continuous drain current of -4.2 A, and a maximum thermal dissipation of 1.4 W. | на замовлення 220000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2305UX-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 15 V | на замовлення 2736039 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2305UX-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.3A; 1.4W; SOT23 Mounting: SMD On-state resistance: 0.2Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.4W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Drain current: -3.3A Drain-source voltage: -20V Case: SOT23 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V | на замовлення 2620 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2305UX-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2583000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2305UX-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 97 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2305UX-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 15 V | на замовлення 1819250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2305UX-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs P-Ch ENH FET -20V 52mOh -5A | на замовлення 965025 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2305UX-7 | DIODES/ZETEX | Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 200mOhm; 4,2A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; DMG2305UX-7, DMG2305UX-13 DMG2305UX TDMG2305ux кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 350 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2305UX-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG2305UX-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG2305UX-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.04 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 345597 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2305UX-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 24419 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2305UX-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2305UX-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 15 V | на замовлення 1819423 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2305UX-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.3A; 1.4W; SOT23 Mounting: SMD On-state resistance: 0.2Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.4W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Drain current: -3.3A Drain-source voltage: -20V Case: SOT23 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 2620 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2305UX-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2305UX-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG2305UX-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.04 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 345597 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2305UX-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG2305UX-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2583000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2305UXQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG2305UXQ-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4A; Idm: -15A; 1.4W; SOT23 Mounting: SMD On-state resistance: 0.2Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.4W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Drain current: -4A Drain-source voltage: -20V Gate charge: 10.2nC Case: SOT23 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -15A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG2305UXQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG2305UXQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG2305UXQ-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4A; Idm: -15A; 1.4W; SOT23 Mounting: SMD On-state resistance: 0.2Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.4W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Drain current: -4A Drain-source voltage: -20V Gate charge: 10.2nC Case: SOT23 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -15A кількість в упаковці: 10000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG2305UXQ-13 | Diodes Inc | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG2305UXQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2305UXQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4A; Idm: -15A; 1.4W; SOT23 Mounting: SMD On-state resistance: 0.2Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.4W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Drain current: -4A Drain-source voltage: -20V Gate charge: 10.2nC Case: SOT23 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -15A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG2305UXQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG2305UXQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS | на замовлення 110816 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2305UXQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4A; Idm: -15A; 1.4W; SOT23 Mounting: SMD On-state resistance: 0.2Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.4W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Drain current: -4A Drain-source voltage: -20V Gate charge: 10.2nC Case: SOT23 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -15A кількість в упаковці: 10 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG2305UXQ-7 | Diodes Inc | P-Channel Enhancement Mode MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG2305UXQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2305UXQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG2305UXQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 49 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2307L | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG2307L - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 30 V, 4.6 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 760mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 26460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2307L-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 25V-30V,SOT23,3K | на замовлення 71830 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2307L-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.76W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -2A Power dissipation: 0.76W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.134Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 270 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2307L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG2307L-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2307L-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG2307L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 760mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 760mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 8849 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2307L-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 760mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 371.3 pF @ 15 V | на замовлення 674279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2307L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2307L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 672000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2307L-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG2307L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 760mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 8849 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2307L-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 760mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 371.3 pF @ 15 V | на замовлення 674000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2307L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DMG2307L-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.76W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -2A Power dissipation: 0.76W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.134Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | на замовлення 270 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2307L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2307L-7 G24.. | DIODES/ZETEX | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 90mOhm, -30V, -3.8A DMG2307L TDMG2307l кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 1600 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2307L-7-50 | Diodes Zetex | P-Channel Enhancement Mode MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG2307L-7-52 | Diodes Zetex | P-Channel Enhancement Mode MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG2307LQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 174000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2307LQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -20A; 1.9W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -3.6A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 1.9W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.134Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry кількість в упаковці: 5 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG2307LQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 760mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 371.3 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 71575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2307LQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -20A; 1.9W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -3.6A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 1.9W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.134Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG2307LQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 264 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DMG2307LQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 30V P-Ch Enhancement Mode | на замовлення 4755 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2307LQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG2307LQ-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG2307LQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 760mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 371.3 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG2307LQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 264 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG263010R | Panasonic | Bipolar Transistors - Pre-Biased COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm | на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DMG263010R | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74A, SOT-753 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: Mini5-G3-B | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG263010R | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74A, SOT-753 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: Mini5-G3-B | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG263020R | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74A, SOT-753 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: Mini5-G3-B | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG263020R | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74A, SOT-753 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: Mini5-G3-B | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG263020R | Panasonic | Bipolar Transistors - Pre-Biased COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG264010R | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: Mini6-G4-B | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG264010R | Panasonic | Bipolar Transistors - Pre-Biased COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm | на замовлення 6683 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DMG264010R | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: Mini6-G4-B | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG264020R | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: Mini6-G4-B | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG264020R | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: Mini6-G4-B | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG264020R | Panasonic | Bipolar Transistors - Pre-Biased COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm | на замовлення 3043 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DMG264040R | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: Mini6-G4-B | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG264040R | Panasonic | Bipolar Transistors - Pre-Biased COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm | на замовлення 3560 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DMG264040R | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: Mini6-G4-B | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG264050R | Panasonic | Bipolar Transistors - Pre-Biased COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG264050R | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Supplier Device Package: Mini6-G4-B | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG264050R | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Supplier Device Package: Mini6-G4-B | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG264060R | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: Mini6-G4-B | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG264060R | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: Mini6-G4-B | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG264060R | Panasonic | Bipolar Transistors - Pre-Biased COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG264120R | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms Supplier Device Package: Mini6-G4-B | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG264120R | Panasonic | Bipolar Transistors - Pre-Biased COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm | на замовлення 6948 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DMG264H00R | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 50 @ 100mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms, 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, 4.7kOhms Supplier Device Package: Mini6-G4-B | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG264H00R | Panasonic | Bipolar Transistors - Pre-Biased COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DMG300 | LOVATO ELECTRIC | Category: Power Network Meters and Analyzers Description: Meter: network parameters; for DIN rail mounting; LCD; 128x80 Kind of display used: LCD Mounting: for DIN rail mounting Measurement: AC current; active power; AC voltage; apparent power; energy; frequency; power factor; reactive power Manufacturer series: DMG Measuring instrument features: FFT up to 31st harmonic; multilanguage menu Dimensions (W x H x D): 71.6x90x63mm Related items: EXP1001; EXP1013; EXP1020 Display resolution: 128x80 Illumination: yes Kind of network: three-phase Type of meter: network parameters True effective value measurement: True RMS Kind of meter: digital; mounting Kind of measurement: indirect with 1A current transformer; indirect with 5A current transformer AC current measuring range: 10mA...6A AC voltage measuring range: 10...480V Frequency measuring range: 45...65Hz IP rating: IP20 at terminal side; IP40 (from the front) AC current measuring accuracy: ±0.2% AC voltage measuring accuracy: ±0.2% Active power measuring accuracy: ±0.5% кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG300 | LOVATO ELECTRIC | Category: Power Network Meters and Analyzers Description: Meter: network parameters; for DIN rail mounting; LCD; 128x80 Kind of display used: LCD Mounting: for DIN rail mounting Measurement: AC current; active power; AC voltage; apparent power; energy; frequency; power factor; reactive power Manufacturer series: DMG Measuring instrument features: FFT up to 31st harmonic; multilanguage menu Dimensions (W x H x D): 71.6x90x63mm Related items: EXP1001; EXP1013; EXP1020 Display resolution: 128x80 Illumination: yes Kind of network: three-phase Type of meter: network parameters True effective value measurement: True RMS Kind of meter: digital; mounting Kind of measurement: indirect with 1A current transformer; indirect with 5A current transformer AC current measuring range: 10mA...6A AC voltage measuring range: 10...480V Frequency measuring range: 45...65Hz IP rating: IP20 at terminal side; IP40 (from the front) AC current measuring accuracy: ±0.2% AC voltage measuring accuracy: ±0.2% Active power measuring accuracy: ±0.5% | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG301NU | Diodes Incorporated | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG301NU-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 25V 260MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 320mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): 8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.9 pF @ 10 V | на замовлення 378782 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG301NU-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG301NU-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 25V N-Ch ENH FET 25Vds 8Vgs 0.32W | на замовлення 10070 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG301NU-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG301NU-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 7001 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG301NU-13 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG301NU-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG301NU-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 260 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 260mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 320mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 320mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 4ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 16547 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG301NU-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.23A; 0.4W; SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Case: SOT23 Drain-source voltage: 25V Drain current: 0.23A On-state resistance: 5Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.4W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 5029 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG301NU-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 25V 260MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 320mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): 8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.9 pF @ 10 V | на замовлення 360000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG301NU-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 7001 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG301NU-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.23A; 0.4W; SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Case: SOT23 Drain-source voltage: 25V Drain current: 0.23A On-state resistance: 5Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.4W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate | на замовлення 5029 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG301NU-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG301NU-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG301NU-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 260 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 260mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 320mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 16547 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG301NU-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG301NU-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG301NU-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.23A; 0.4W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 25V Drain current: 0.23A On-state resistance: 5Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.4W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG301NU-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 25V 260MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 320mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): 8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 10 V | на замовлення 528000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG301NU-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG301NU-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 25V 260MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 320mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): 8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 10 V | на замовлення 528000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG301NU-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 25V N-Ch ENH FET 25Vds 8Vgs 0.32W | на замовлення 23469 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG301NU-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG301NU-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.23A; 0.4W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 25V Drain current: 0.23A On-state resistance: 5Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.4W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG301NU-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 528000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG302PU-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 25V P-Ch Enh Mode FET -8Vgss 0.33W | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG302PU-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 25V 170MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 320mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.2 pF @ 10 V | на замовлення 424000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG302PU-13 | Diodes Inc | Trans MOSFET P-CH 25V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG302PU-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -140mA; Idm: -0.5A; 450mW Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.45W Drain-source voltage: -25V Drain current: -0.14A On-state resistance: 13Ω Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 0.35nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -0.5A кількість в упаковці: 10000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG302PU-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -140mA; Idm: -0.5A; 450mW Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.45W Drain-source voltage: -25V Drain current: -0.14A On-state resistance: 13Ω Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 0.35nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -0.5A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG302PU-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 25V 170MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 320mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.2 pF @ 10 V | на замовлення 420000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG302PU-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET P-CH 25V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG302PU-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -140mA; Idm: -0.5A; 450mW Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.45W Drain-source voltage: -25V Drain current: -0.14A On-state resistance: 13Ω Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 0.35nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -0.5A кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG302PU-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -140mA; Idm: -0.5A; 450mW Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.45W Drain-source voltage: -25V Drain current: -0.14A On-state resistance: 13Ω Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 0.35nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -0.5A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG302PU-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 25V 170MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 330mW Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.2 pF @ 10 V | на замовлення 428136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG302PU-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 25V P-Ch Enh FET 27.2pF 0.35nC | на замовлення 5825 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG302PU-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 25V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 330mW Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.2 pF @ 10 V | на замовлення 426000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3401LSN-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 3A 3-Pin SC-59 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG3401LSN-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 3A SC59 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: SC-59-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1326 pF @ 15 V | на замовлення 453291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3401LSN-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 3A 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 189000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3401LSN-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 30V P-CH MOSFET | на замовлення 8846 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3401LSN-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 3A 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 189000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3401LSN-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 3A 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 1240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3401LSN-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET P-CH 30V 3A 3-Pin SC-59 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG3401LSN-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 3A 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 1240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DMG3401LSN-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 3A SC59 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: SC-59-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1326 pF @ 15 V | на замовлення 447000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3401LSN-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; Idm: -30A; 1.2W; SC59 Mounting: SMD Case: SC59 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 1.2W Polarisation: unipolar Gate charge: 25.1nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: -30A Drain-source voltage: -30V Drain current: -2.9A On-state resistance: 85mΩ Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG3401LSN-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 3A 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 552000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3401LSN-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; Idm: -30A; 1.2W; SC59 Mounting: SMD Case: SC59 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 1.2W Polarisation: unipolar Gate charge: 25.1nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: -30A Drain-source voltage: -30V Drain current: -2.9A On-state resistance: 85mΩ Type of transistor: P-MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG3401LSNQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SC59 T&R 10K | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG3401LSNQ-13 | Diodes Zetex | P-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG3401LSNQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 3A SC59-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: SC-59-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1326 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG3401LSNQ-7 | Diodes Inc | MOSFET BVDSS, 31V to 40V SC59 3K | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG3401LSNQ-7 | Diodes Zetex | MOSFET 31V to 40V SC59 3K Automotive AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG3401LSNQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; Idm: -30A; 1.2W; SC59 Mounting: SMD Case: SC59 Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Power dissipation: 1.2W Polarisation: unipolar Gate charge: 25.1nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: -30A Drain-source voltage: -30V Drain current: -2.9A On-state resistance: 85mΩ Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG3401LSNQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 3A SC59-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: SC-59-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1326 pF @ 15 V | на замовлення 4392000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3401LSNQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; Idm: -30A; 1.2W; SC59 Mounting: SMD Case: SC59 Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Power dissipation: 1.2W Polarisation: unipolar Gate charge: 25.1nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: -30A Drain-source voltage: -30V Drain current: -2.9A On-state resistance: 85mΩ Type of transistor: P-MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG3401LSNQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V SC59 T&R 3K | на замовлення 1420 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3401LSNQ-7 | Diodes Zetex | MOSFET 31V to 40V SC59 3K Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1002000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3401LSNQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 3A SC59-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: SC-59-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1326 pF @ 15 V | на замовлення 4392000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3402L | Diodes Incorporated | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG3402L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 180000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3402L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 273000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3402L-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 464 pF @ 15 V | на замовлення 6119831 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3402L-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.4W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 1.4W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 30V Drain current: 4A On-state resistance: 85mΩ Type of transistor: N-MOSFET | на замовлення 2515 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3402L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DMG3402L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 180000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3402L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3402L-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG3402L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.4W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.052ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm | на замовлення 20009 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3402L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 891000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3402L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3402L-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 464 pF @ 15 V | на замовлення 6119500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3402L-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3402L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 273000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3402L-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs FET BVDSS 25V 30V N-Ch 305pF 8.2nC | на замовлення 29923 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3402L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3402L-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG3402L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 16824 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3402L-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.4W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 1.4W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 30V Drain current: 4A On-state resistance: 85mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2515 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3402L-7 N32. | DIODES/ZETEX | Trans MOSFET N-CH 30V 4A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R DMG3402L-7 TDMG3402L-7 Diodes кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 2400 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3402LQ-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.4W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Power dissipation: 1.4W Polarisation: unipolar Gate charge: 11.7nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 30V Drain current: 4A On-state resistance: 85mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 10000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG3402LQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG3402LQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 464 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3402LQ-13 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 30V 4A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG3402LQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V | на замовлення 9750 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3402LQ-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.4W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Power dissipation: 1.4W Polarisation: unipolar Gate charge: 11.7nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 30V Drain current: 4A On-state resistance: 85mΩ Type of transistor: N-MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG3402LQ-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 30V 4A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG3402LQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2314 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3402LQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V | на замовлення 11211 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3402LQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.4W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Power dissipation: 1.4W Polarisation: unipolar Gate charge: 11.7nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 30V Drain current: 4A On-state resistance: 85mΩ Type of transistor: N-MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG3402LQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG3402LQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 464 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 11154 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3402LQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.4W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Power dissipation: 1.4W Polarisation: unipolar Gate charge: 11.7nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 30V Drain current: 4A On-state resistance: 85mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG3402LQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2314 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3402LQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 464 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3404L | Diodes Incorporated | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG3404L-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 4.2A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.8A, 10V Power Dissipation (Max): 780mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641 pF @ 15 V | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3404L-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3404L-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 30V N-Ch Enh Mode 20Vgs 641pF 13.2nC | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG3404L-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.9A; Idm: 30A; 1.33W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 1.33W Polarisation: unipolar Gate charge: 13.2nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 30A Drain-source voltage: 30V Drain current: 4.9A On-state resistance: 35mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 10000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG3404L-13 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG3404L-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG3404L-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.9A; Idm: 30A; 1.33W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 1.33W Polarisation: unipolar Gate charge: 13.2nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 30A Drain-source voltage: 30V Drain current: 4.9A On-state resistance: 35mΩ Type of transistor: N-MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG3404L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3404L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3404L-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG3404L-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 4.2A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.8A, 10V Power Dissipation (Max): 780mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641 pF @ 15 V | на замовлення 2134018 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3404L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3404L-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.8A; 1.33W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 1.33W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Drain current: 4.8A On-state resistance: 35mΩ Type of transistor: N-MOSFET | на замовлення 2630 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3404L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3404L-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 4.2A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.8A, 10V Power Dissipation (Max): 780mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641 pF @ 15 V | на замовлення 2130000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3404L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 255000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3404L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG3404L-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 30V N-Ch Enh Mode 20Vgs 641pF 13.2nC | на замовлення 9908 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3404L-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.8A; 1.33W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 1.33W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Drain current: 4.8A On-state resistance: 35mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2630 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3404L-7-ML | MOSLEADER | Description: N 30V 5.8A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3406L | Diodes Incorporated | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG3406L-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 30V N-Ch Enh Mode 50mOhm 10V 3.6A | на замовлення 210747 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3406L-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.6A, 10V Power Dissipation (Max): 770mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 495 pF @ 15 V | на замовлення 118798 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3406L-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.8A; 1.4W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 1.4W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.8A On-state resistance: 70mΩ Type of transistor: N-MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG3406L-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 10235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3406L-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.6A, 10V Power Dissipation (Max): 770mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 495 pF @ 15 V | на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3406L-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.8A; 1.4W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 1.4W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.8A On-state resistance: 70mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG3406L-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG3406L-13 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG3406L-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 10235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3406L-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG3406L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 770mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DMG3406L productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 13040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3406L-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.8A; 1.4W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 1.4W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.8A On-state resistance: 70mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1049 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3406L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3406L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2519 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3406L-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.6A, 10V Power Dissipation (Max): 770mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 495 pF @ 15 V | на замовлення 103875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3406L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2519 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3406L-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3406L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 78000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3406L-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 30V N-Ch Enh Mode 50mOhm 10V 3.6A | на замовлення 10252 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3406L-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.6A, 10V Power Dissipation (Max): 770mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 495 pF @ 15 V | на замовлення 102000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3406L-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG3406L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 770mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 770mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DMG3406L productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 13040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3406L-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.8A; 1.4W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 1.4W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.8A On-state resistance: 70mΩ Type of transistor: N-MOSFET | на замовлення 1049 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3406L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3406L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 87000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3406L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 87000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3406L-7-ML | MOSLEADER | Description: N 30V 3.6A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3407SSN-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET P-CH 30V 4A 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 20921 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3407SSN-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 4A SC59 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-59-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V | на замовлення 2606 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3407SSN-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 4A 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3407SSN-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS | на замовлення 5493 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3407SSN-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -30A; 1.1W; SC59 Mounting: SMD Case: SC59 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 1.1W Polarisation: unipolar Gate charge: 16nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -30A Drain-source voltage: -30V Drain current: -3.6A On-state resistance: 72mΩ Type of transistor: P-MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG3407SSN-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 4A 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3407SSN-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 4A SC59 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-59-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG3407SSN-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 4A 3-Pin SC-59 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG3407SSN-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 4A 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3407SSN-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -30A; 1.1W; SC59 Mounting: SMD Case: SC59 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 1.1W Polarisation: unipolar Gate charge: 16nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -30A Drain-source voltage: -30V Drain current: -3.6A On-state resistance: 72mΩ Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 5 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG3407SSN-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 4A 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3413L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 705000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3413L-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 857 pF @ 10 V | на замовлення 725961 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3413L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG3413L-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.9A; Idm: -20A; 1.3W; SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -20A Case: SOT23 Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.9A On-state resistance: 0.19Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.3W Polarisation: unipolar Gate charge: 9nC кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG3413L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 717000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3413L-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG3413L-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 857 pF @ 10 V | на замовлення 723000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3413L-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS | на замовлення 4914 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3413L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 723000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3413L-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.9A; Idm: -20A; 1.3W; SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -20A Case: SOT23 Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.9A On-state resistance: 0.19Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.3W Polarisation: unipolar Gate charge: 9nC | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG3414U | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG3414U - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.019 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV euEccn: NLR Verlustleistung: 780mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 5233 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3414U | Diodes Incorporated | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG3414U | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG3414U - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.019 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV euEccn: NLR Verlustleistung: 780mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 5233 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3414U | DIODES/ZETEX | N-MOSFET 20V 4.2A 25mΩ 780mW DMG3414U Diodes TDMG3414u кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3414U-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Ch 20V VDSS 8 Vgss 30A IDM | на замовлення 5607 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3414U-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG3414U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3414U-7 Код товару: 197913 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
DMG3414U-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 780mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 829.9 pF @ 10 V | на замовлення 176966 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3414U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3414U-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; 0.78W; SOT23 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 20V Drain current: 3.2A On-state resistance: 37mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.78W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Mounting: SMD Case: SOT23 кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1281 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3414U-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; 0.78W; SOT23 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 20V Drain current: 3.2A On-state resistance: 37mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.78W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Mounting: SMD Case: SOT23 | на замовлення 1281 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3414U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1938 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3414U-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 780mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 829.9 pF @ 10 V | на замовлення 174000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3414U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1938 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3414UQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 780mW Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 829.9 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG3414UQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG3414UQ-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; Idm: 30A; 780mW; SOT23 Mounting: SMD Application: automotive industry Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 30A Case: SOT23 Drain-source voltage: 20V Drain current: 3.2A On-state resistance: 37mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.78W Polarisation: unipolar Gate charge: 9.6nC кількість в упаковці: 10000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG3414UQ-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; Idm: 30A; 780mW; SOT23 Mounting: SMD Application: automotive industry Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 30A Case: SOT23 Drain-source voltage: 20V Drain current: 3.2A On-state resistance: 37mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.78W Polarisation: unipolar Gate charge: 9.6nC | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG3414UQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG3414UQ-13 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG3414UQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V | на замовлення 82672 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3414UQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 780mW Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 829.9 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2723 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3414UQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3414UQ-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3414UQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3414UQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 780mW Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 829.9 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG3414UQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3414UQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; Idm: 30A; 780mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 3.2A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 0.78W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 37mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG3414UQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; Idm: 30A; 780mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 3.2A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 0.78W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 37mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG3414UQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3415U | Diodes Incorporated | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG3415U-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH DFN-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG3415U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG3415U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2383 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3415U-7 | DIODES/ZETEX | P-MOSFET 20V 4A 39mΩ 900mW DMG3415U Diodes TDMG3415u кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 2750 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3415U-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG3415U-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 4A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 10 V | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3415U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2383 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3415U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3415U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3415U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3415U-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3415U-7 Код товару: 138016 | Транзистори > Польові P-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
DMG3415U-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 4A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 10 V | на замовлення 15088 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3415U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3415UFY4-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 16V 2.5A 3-Pin DFN T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG3415UFY4-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET P-CH 16V 2.5A 3-Pin DFN T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG3415UFY4-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN2015H4-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: DFN2015H4-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 16 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281.9 pF @ 10 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG3415UFY4-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET P-CHAN. | на замовлення 5763 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DMG3415UFY4Q | Diodes Incorporated | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG3415UFY4Q-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG3415UFY4Q-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 16 V, 2.5 A, 0.031 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 16V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV euEccn: NLR Verlustleistung: 650mW Bauform - Transistor: X2-DFN2015 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3415UFY4Q-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET P-CH 16V 2.5A Automotive 3-Pin X2-DFN T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG3415UFY4Q-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs P-Ch -16V Enh FET 8Vgss -12A 0.65W | на замовлення 10484 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3415UFY4Q-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 650mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN2015-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 16 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282 pF @ 10 V | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3415UFY4Q-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -16V; -2.2A; Idm: -12A; 1.35W Mounting: SMD Case: X2-DFN2015-3 Gate charge: 10nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -12A Drain-source voltage: -16V Drain current: -2.2A On-state resistance: 65mΩ Type of transistor: P-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 1.35W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG3415UFY4Q-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 16V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin X2-DFN T/R | на замовлення 2992 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3415UFY4Q-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG3415UFY4Q-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 16 V, 2.5 A, 0.031 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 16V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV euEccn: NLR Verlustleistung: 650mW Bauform - Transistor: X2-DFN2015 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3415UFY4Q-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 650mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN2015-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 16 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282 pF @ 10 V | на замовлення 52447 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3415UFY4Q-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 16V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin X2-DFN T/R | на замовлення 2992 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3415UFY4Q-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -16V; -2.2A; Idm: -12A; 1.35W Mounting: SMD Case: X2-DFN2015-3 Gate charge: 10nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -12A Drain-source voltage: -16V Drain current: -2.2A On-state resistance: 65mΩ Type of transistor: P-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 1.35W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG3415UFY4Q-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 16V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin X2-DFN T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG3415UFY4Q-7-52 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 16V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin X2-DFN T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG3415UQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG3415UQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 78000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3415UQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 927000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3415UQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; 0.9W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2A Power dissipation: 0.9W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 71mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Application: automotive industry кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 2085 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3415UQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG3415UQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 78000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3415UQ-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG3415UQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3K | на замовлення 14724 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3415UQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; 0.9W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2A Power dissipation: 0.9W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 71mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Application: automotive industry | на замовлення 2085 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3415UQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 558000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3415UQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 930033 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3418L | Diodes Incorporated | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG3418L-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.1A; Idm: 15A; 900mW; SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 15A Case: SOT23 Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.1A On-state resistance: 0.15Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.9W Polarisation: unipolar Gate charge: 5.5nC кількість в упаковці: 10000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG3418L-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG3418L-13 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG3418L-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.1A; Idm: 15A; 900mW; SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 15A Case: SOT23 Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.1A On-state resistance: 0.15Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.9W Polarisation: unipolar Gate charge: 5.5nC | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG3418L-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 464.3 pF @ 15 V | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3418L-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3418L-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-Ch Enh FET 30V 12Vgss 4.0A 1.4W | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG3418L-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.1A; 1.4W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.1A Power dissipation: 1.4W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 70mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG3418L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 132000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3418L-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 464.3 pF @ 15 V | на замовлення 108000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3418L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3418L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3418L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3418L-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-Ch Enh FET 30V 12Vgss 4.0A 1.4W | на замовлення 12285 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3418L-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.1A; 1.4W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.1A Power dissipation: 1.4W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 70mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG3418L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DMG3418L-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 464.3 pF @ 15 V | на замовлення 115862 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3418L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG3418L-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3420U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 5.47A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3420U-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET,N-CHANNEL | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG3420U-7 | DIODES/ZETEX | N-MOSFET 20V 5.47A 29mΩ 740mW DMG3420U-7 Diodes TDMG3420u кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3420U-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 5.47A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.47A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 740mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 434.7 pF @ 10 V | на замовлення 2394586 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3420U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 5.47A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3420U-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 20V 5.47A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3420U-7 Код товару: 155587 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
DMG3420U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 5.47A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3420U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 5.47A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3420U-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 5.47A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.47A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 740mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 434.7 pF @ 10 V | на замовлення 2391000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3420UQ-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 20V 5.47A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG3420UQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 5.47A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG3420UQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.47A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 740mW Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 434.7 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 168000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3420UQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.43A; Idm: 20A; 740mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 3.43A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 0.74W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 91mΩ Mounting: SMD Gate charge: 5.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG3420UQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3K | на замовлення 1790 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3420UQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.43A; Idm: 20A; 740mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 3.43A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 0.74W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 91mΩ Mounting: SMD Gate charge: 5.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG3420UQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 5.47A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 162000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG3N60SCT | DIODES INCORPORATED | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; Idm: 3.7A; 42W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2A Pulsed drain current: 3.7A Power dissipation: 42W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.7Ω Mounting: THT Gate charge: 12.6C Kind of package: tube Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG3N60SCT | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 501V-650V | на замовлення 363 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DMG3N60SCT | DIODES INCORPORATED | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; Idm: 3.7A; 42W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2A Pulsed drain current: 3.7A Power dissipation: 42W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.7Ω Mounting: THT Gate charge: 12.6C Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG3N60SJ3 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 501V-650V | на замовлення 204 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DMG4406LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N CH 30V 10.3A 8-SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1281 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG4406LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N CH 30V 10.3A 8-SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1281 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG4406LSS-13 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 30V 10.3A 8-Pin SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG4407SSS-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; Idm: -80A; 1.82W; SO8 Mounting: SMD Drain-source voltage: -30V Drain current: -10A On-state resistance: 17mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.82W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 41nC Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: -80A Kind of channel: enhanced Case: SO8 кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG4407SSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 9.9A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 20V Power Dissipation (Max): 1.45W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2246 pF @ 15 V | на замовлення 27500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG4407SSS-13 | Diodes Inc | Trans MOSFET P-CH 30V 9.9A 8-Pin SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG4407SSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 9.9A 8-Pin SO T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG4407SSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40 1V-40V SO-8 T&R 2.5K | на замовлення 141 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DMG4407SSS-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; Idm: -80A; 1.82W; SO8 Mounting: SMD Drain-source voltage: -30V Drain current: -10A On-state resistance: 17mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.82W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 41nC Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: -80A Kind of channel: enhanced Case: SO8 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG4407SSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 9.9A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 20V Power Dissipation (Max): 1.45W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2246 pF @ 15 V | на замовлення 34369 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG4413LSS | Diodes Incorporated | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG4413LSS | на замовлення 2080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
DMG4413LSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin SOP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG4413LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4965 pF @ 15 V | на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG4413LSS-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -17A; Idm: -45A; 1.4W; SO8 Drain-source voltage: -30V Drain current: -17A On-state resistance: 10.2mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.4W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 46nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -45A Mounting: SMD Case: SO8 кількість в упаковці: 2500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG4413LSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin SOP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG4413LSS-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -17A; Idm: -45A; 1.4W; SO8 Drain-source voltage: -30V Drain current: -17A On-state resistance: 10.2mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.4W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 46nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -45A Mounting: SMD Case: SO8 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG4413LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4965 pF @ 15 V | на замовлення 52358 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG4413LSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin SOP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG4413LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET,P-CHANNEL | на замовлення 12465 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG4413LSS-13 | Diodes Inc | Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin SOP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG4435SSS | Diodes Incorporated | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG4435SSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 7.3A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 11A, 20V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 20V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1614 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG4435SSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 7.3A 8-Pin SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG4435SSS-13 | Diodes Inc | Trans MOSFET P-CH 30V 7.3A 8-Pin SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG4435SSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 7.3A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 11A, 20V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 20V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1614 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG4435SSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 7.3A 8-Pin SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG4435SSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET,P-CHANNEL | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG4466SSS-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6A; Idm: 60A; 1.42W; SO8 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 6A On-state resistance: 33mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.42W Polarisation: unipolar Gate charge: 17nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: 60A Mounting: SMD Case: SO8 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG4466SSS-13 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG4466SSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R | на замовлення 4927 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG4466SSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R | на замовлення 2499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG4466SSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.42W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9 pF @ 15 V | на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG4466SSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-Ch MOSFET 30V 60A IDM 1.42W PD | на замовлення 9997 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG4466SSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R | на замовлення 2499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG4466SSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R | на замовлення 82500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG4466SSS-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6A; Idm: 60A; 1.42W; SO8 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 6A On-state resistance: 33mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.42W Polarisation: unipolar Gate charge: 17nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: 60A Mounting: SMD Case: SO8 кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG4466SSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.42W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9 pF @ 15 V | на замовлення 19529 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG4466SSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG4466SSSL-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.42W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9 pF @ 15 V | на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG4466SSSL-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-Ch MOSFET 30V 60A IDM 1.42W PD | на замовлення 2495 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG4466SSSL-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6A; Idm: 60A; 1.42W; SO8 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 6A On-state resistance: 33mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.42W Polarisation: unipolar Gate charge: 17nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 60A Mounting: SMD Case: SO8 кількість в упаковці: 2500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG4466SSSL-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R | на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG4466SSSL-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6A; Idm: 60A; 1.42W; SO8 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 6A On-state resistance: 33mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.42W Polarisation: unipolar Gate charge: 17nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 60A Mounting: SMD Case: SO8 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG4466SSSL-13 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG4466SSSL-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG4468LFG | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.62A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 11.6A, 10V Power Dissipation (Max): 990mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN3030-8 Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 10 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG4468LFG | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.62A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 11.6A, 10V Power Dissipation (Max): 990mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN3030-8 Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 10 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG4468LFG-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 7.62A 8-Pin DFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG4468LFG-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.83A; Idm: 45.9A; 990mW Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 4.83A On-state resistance: 23.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.99W Polarisation: unipolar Gate charge: 18.85nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 45.9A Mounting: SMD Case: U-DFN3030-8 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG4468LFG-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 30V 7.62A 8-Pin DFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG4468LFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.62A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 11.6A, 10V Power Dissipation (Max): 990mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN3030-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 10 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG4468LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-Ch MOSFET 30V 60A IDM 1.42W PD | на замовлення 2975 шт: термін постачання 454-463 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG4468LFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.62A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 11.6A, 10V Power Dissipation (Max): 990mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN3030-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 10 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG4468LFG-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.83A; Idm: 45.9A; 990mW Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 4.83A On-state resistance: 23.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.99W Polarisation: unipolar Gate charge: 18.85nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 45.9A Mounting: SMD Case: U-DFN3030-8 кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG4468LK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 9.7A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 11.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.68W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 15 V | на замовлення 12220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG4468LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET ENHANCE MODE MOSFET N Chan 30V/6.3-9.7A | на замовлення 2500 шт: термін постачання 767-776 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG4468LK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG4468LK3-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.3A; Idm: 48A; 1.68W; TO252 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 6.3A On-state resistance: 25mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.68W Polarisation: unipolar Gate charge: 18.85nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 48A Mounting: SMD Case: TO252 кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG4468LK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 9.7A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 11.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.68W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 15 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG4468LK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 85000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG4468LK3-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.3A; Idm: 48A; 1.68W; TO252 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 6.3A On-state resistance: 25mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.68W Polarisation: unipolar Gate charge: 18.85nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 48A Mounting: SMD Case: TO252 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG4468LK3-13 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 30V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG4496SSS | Diodes Incorporated | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG4496SSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DMG4496SSS-13 | Diodes INC. | N-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 10; Ptot, Вт = 1,42; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 493,5 @ 15; Qg, нКл = 10,2 @ 10 В; Rds = 21,5 мОм @ 10 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА; SOICN-8 | на замовлення 2 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG4496SSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.42W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 493.5 pF @ 15 V | на замовлення 46894 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG4496SSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG4496SSS-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6A; Idm: 60A; 1.42W; SO8 Polarisation: unipolar Power dissipation: 1.42W Kind of package: reel; tape Gate charge: 10.2nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: 60A Mounting: SMD Case: SO8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 6A On-state resistance: 29mΩ Type of transistor: N-MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG4496SSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET N-CHANNEL | на замовлення 9968 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG4496SSS-13 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG4496SSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R | на замовлення 1065 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG4496SSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R | на замовлення 1065 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DMG4496SSS-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6A; Idm: 60A; 1.42W; SO8 Polarisation: unipolar Power dissipation: 1.42W Kind of package: reel; tape Gate charge: 10.2nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: 60A Mounting: SMD Case: SO8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 6A On-state resistance: 29mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG4496SSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.42W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 493.5 pF @ 15 V | на замовлення 45500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG4496SSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R | на замовлення 37500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG4496SSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG4496SSSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V SO-8 T&R 2.5K | на замовлення 1475 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG4496SSSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.42W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 493.5 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG4496SSSQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 10A Automotive 8-Pin SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG4511SK4-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 35V 8.6A/7.8A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG4511SK4-13 | Diodes Inc | Trans MOSFET N/P-CH 35V 8.6A/7.8A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG4511SK4-13 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 35/-35V Mounting: SMD Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 1.54W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: TO252-4 Semiconductor structure: common drain Drain-source voltage: 35/-35V Drain current: 7.8/-8.6A On-state resistance: 0.035/0.045Ω кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2461 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG4511SK4-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 35V 5.3A TO252-4L Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel, Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.54W Drain to Source Voltage (Vdss): 35V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A, 5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-4L Part Status: Active | на замовлення 17496 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG4511SK4-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40 V-40V,TO252,2.5K | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG4511SK4-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 35V 8.6A/7.8A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG4511SK4-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 35V 5.3A TO252-4L Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel, Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.54W Drain to Source Voltage (Vdss): 35V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A, 5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-4L Part Status: Active | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG4511SK4-13 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 35/-35V Mounting: SMD Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 1.54W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: TO252-4 Semiconductor structure: common drain Drain-source voltage: 35/-35V Drain current: 7.8/-8.6A On-state resistance: 0.035/0.045Ω | на замовлення 2461 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG4710SSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 8.8A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 11.7A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Body) Power Dissipation (Max): 1.54W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1849 pF @ 15 V | на замовлення 496 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG4710SSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET N-CHANNEL | на замовлення 270 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DMG4710SSS-13 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 30V 8.8A 8-Pin SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG4710SSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 8.8A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 11.7A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Body) Power Dissipation (Max): 1.54W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1849 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG4712SSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11.2A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Body) Power Dissipation (Max): 1.55W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2296 pF @ 15 V | на замовлення 443 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG4712SSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11.2A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Body) Power Dissipation (Max): 1.55W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2296 pF @ 15 V | на замовлення 443 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DMG4712SSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET N-CHANNEL | на замовлення 1759 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DMG4712SSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11.2A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Body) Power Dissipation (Max): 1.55W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2296 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG4800LFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.44A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 940mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN3030-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.47 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798 pF @ 10 V | на замовлення 26474 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG4800LFG-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG4800LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.44 A, 0.011 ohm, DFN3030, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 940mW Bauform - Transistor: DFN3030 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG4800LFG-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 7.44A 8-Pin DFN EP T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG4800LFG-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 30V 7.44A 8-Pin DFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG4800LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs ENHANCE MODE MOSFET 30V/4.82 - 7.44A | на замовлення 10321 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG4800LFG-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.82A; Idm: 40A; 940mW Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 4.82A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 0.94W Case: U-DFN3030-8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 24mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9.47nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG4800LFG-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG4800LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.44 A, 0.011 ohm, DFN3030, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 940mW Bauform - Transistor: DFN3030 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG4800LFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.44A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 940mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN3030-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.47 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798 pF @ 10 V | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG4800LFG-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.82A; Idm: 40A; 940mW Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 4.82A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 0.94W Case: U-DFN3030-8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 24mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9.47nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG4800LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET ENHANCE MODE MOSFET N Chan 30V/6.5-10.0A | на замовлення 14355 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG4800LK3-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.5A; 1.71W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 6.5A Power dissipation: 1.71W Case: TO252 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 24mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG4800LK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 10A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.71W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798 pF @ 10 V | на замовлення 33959 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG4800LK3-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.5A; 1.71W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 6.5A Power dissipation: 1.71W Case: TO252 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 24mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG4800LK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 27500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG4800LK3-13 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 30V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG4800LK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 10A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.71W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798 pF @ 10 V | на замовлення 32500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG4800LSD | Diodes Incorporated | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG4800LSD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG4800LSD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R | на замовлення 1291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG4800LSD-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.17W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.56nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG4800LSD-13 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.4A; 1.5W; SO8 Polarisation: unipolar On-state resistance: 22mΩ Kind of package: reel; tape Drain current: 8.4A Drain-source voltage: 30V Case: SO8 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Type of transistor: N-MOSFET x2 Mounting: SMD Power dissipation: 1.5W кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 3336 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG4800LSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET Dual N-Ch 30V VDSS 25 Vgss 42A IDM | на замовлення 10306 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG4800LSD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG4800LSD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG4800LSD-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG4800LSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.012 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.012ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012ohm productTraceability: No Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2792 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG4800LSD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R | на замовлення 1291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG4800LSD-13 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG4800LSD-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.17W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.56nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active | на замовлення 12905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG4800LSD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG4800LSD-13 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.4A; 1.5W; SO8 Polarisation: unipolar On-state resistance: 22mΩ Kind of package: reel; tape Drain current: 8.4A Drain-source voltage: 30V Case: SO8 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Type of transistor: N-MOSFET x2 Mounting: SMD Power dissipation: 1.5W | на замовлення 3336 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG4800LSD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG4800LSD-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG4800LSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.012 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.012ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012ohm productTraceability: No Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2792 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG4800LSDQ-13 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A Automotive 8-Pin SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG4800LSDQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG4800LSDQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.17W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.56nC @ 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 109596 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG4800LSDQ-13 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.4A; 1.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 8.4A Power dissipation: 1.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 22mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG4800LSDQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R | на замовлення 107500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG4800LSDQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.17W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.56nC @ 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 107500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG4800LSDQ-13 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.4A; 1.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 8.4A Power dissipation: 1.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 22mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG4800LSDQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V SO-8 T&R 2.5K | на замовлення 6184 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG4812SSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS | на замовлення 4960 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DMG4812SSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 8A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10.7A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Body) Power Dissipation (Max): 1.54W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1849 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG4812SSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 8A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10.7A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Body) Power Dissipation (Max): 1.54W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1849 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG4822SSD | ams OSRAM | ams OSRAM | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG4822SSD | Diodes Incorporated | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG4822SSD-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.42W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG4822SSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40 1V-40V,SO-8,2.5K | на замовлення 13402 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG4822SSD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R | на замовлення 62500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG4822SSD-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.6A; Idm: 60A; 1.42W; SO8 Polarisation: unipolar Power dissipation: 1.42W Kind of package: reel; tape Gate charge: 10.5nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: 60A Mounting: SMD Case: SO8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 6.6A On-state resistance: 31mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG4822SSD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG4822SSD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R | на замовлення 2144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG4822SSD-13 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG4822SSD-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.42W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active | на замовлення 21865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG4822SSD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R | на замовлення 2144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMG4822SSD-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.6A; Idm: 60A; 1.42W; SO8 Polarisation: unipolar Power dissipation: 1.42W Kind of package: reel; tape Gate charge: 10.5nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: 60A Mounting: SMD Case: SO8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 6.6A On-state resistance: 31mΩ Type of transistor: N-MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMG4822SSD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R | на замовлення 62500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|