![DMG1029SVQ-7 DMG1029SVQ-7](https://download.siliconexpert.com/pdfs2/2019/8/5/16/50/20/471228/dds_/manual/sot-563.jpg)
DMG1029SVQ-7 Diodes Inc
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 7.6 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMG1029SVQ-7 Diodes Inc
Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT563 T&R, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel Complementary, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 450mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), 360mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V, 25pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 500mA, 10V, 4Ohm @ 500mA, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V, 0.28nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-563, Part Status: Active.
Інші пропозиції DMG1029SVQ-7 за ціною від 7.1 грн до 37.25 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMG1029SVQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 450mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), 360mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V, 25pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 500mA, 10V, 4Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V, 0.28nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active |
на замовлення 168000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
DMG1029SVQ-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
DMG1029SVQ-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
DMG1029SVQ-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
DMG1029SVQ-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
DMG1029SVQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
на замовлення 130718 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DMG1029SVQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 450mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), 360mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V, 25pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 500mA, 10V, 4Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V, 0.28nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active |
на замовлення 170770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
DMG1029SVQ-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V Case: SOT563 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Drain-source voltage: 60/-60V Drain current: 0.4/-0.28A On-state resistance: 1.7/4Ω Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 0.66W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
DMG1029SVQ-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V Case: SOT563 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Drain-source voltage: 60/-60V Drain current: 0.4/-0.28A On-state resistance: 1.7/4Ω Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 0.66W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V |
товар відсутній |