на замовлення 220000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10000+ | 2.4 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMG2305UX-13 Diodes Inc
Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 15 V.
Інші пропозиції DMG2305UX-13 за ціною від 1.98 грн до 27.24 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DMG2305UX-13 | Виробник : Diodes Zetex | Automotive-grade P-channel SOT-23 MOSFET with a maximum drain-source voltage of -20 V, continuous drain current of -4.2 A, and a maximum thermal dissipation of 1.4 W. |
на замовлення 320000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMG2305UX-13 | Виробник : Diodes Zetex | Automotive-grade P-channel SOT-23 MOSFET with a maximum drain-source voltage of -20 V, continuous drain current of -4.2 A, and a maximum thermal dissipation of 1.4 W. |
на замовлення 2950000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMG2305UX-13 | Виробник : Diodes Zetex | Automotive-grade P-channel SOT-23 MOSFET with a maximum drain-source voltage of -20 V, continuous drain current of -4.2 A, and a maximum thermal dissipation of 1.4 W. |
на замовлення 220000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMG2305UX-13 | Виробник : Diodes Zetex | Automotive-grade P-channel SOT-23 MOSFET with a maximum drain-source voltage of -20 V, continuous drain current of -4.2 A, and a maximum thermal dissipation of 1.4 W. |
на замовлення 260000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMG2305UX-13 | Виробник : Diodes Zetex | Automotive-grade P-channel SOT-23 MOSFET with a maximum drain-source voltage of -20 V, continuous drain current of -4.2 A, and a maximum thermal dissipation of 1.4 W. |
на замовлення 320000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMG2305UX-13 | Виробник : Diodes Zetex | Automotive-grade P-channel SOT-23 MOSFET with a maximum drain-source voltage of -20 V, continuous drain current of -4.2 A, and a maximum thermal dissipation of 1.4 W. |
на замовлення 220000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMG2305UX-13 | Виробник : Diodes Zetex | Automotive-grade P-channel SOT-23 MOSFET with a maximum drain-source voltage of -20 V, continuous drain current of -4.2 A, and a maximum thermal dissipation of 1.4 W. |
на замовлення 260000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMG2305UX-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 15 V |
на замовлення 2700000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMG2305UX-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG2305UX-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.04 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 215806 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMG2305UX-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG2305UX-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.04 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 215806 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMG2305UX-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 15 V |
на замовлення 2700294 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMG2305UX-13 | Виробник : Diodes Zetex | Automotive-grade P-channel SOT-23 MOSFET with a maximum drain-source voltage of -20 V, continuous drain current of -4.2 A, and a maximum thermal dissipation of 1.4 W. |
на замовлення 63 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMG2305UX-13 | Виробник : Diodes Incorporated | MOSFET P-Ch ENH FET -20V 52mOhm -5.0V |
на замовлення 286883 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMG2305UX-13 | Виробник : DIODES/ZETEX |
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 200mOhm; 4,2A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; DMG2305UX-7, DMG2305UX-13 DMG2305UX TDMG2305ux кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMG2305UX-13 | Виробник : Diodes Incorporated | Транзистор польовий SOT-23-3 P-Ch Vdss=-20V, Id=3,3A, Rdson=0.052 Ohm, Vgs=-4,5 V; |
на замовлення 233 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMG2305UX-13 | Виробник : Diodes Inc./Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
DMG2305UX-13 Код товару: 181611 |
Транзистори > Польові P-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
DMG2305UX-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.3A; Idm: -15A; 1.4W; SOT23 Mounting: SMD On-state resistance: 0.2Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.4W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Drain current: -3.3A Drain-source voltage: -20V Case: SOT23 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -15A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
DMG2305UX-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.3A; Idm: -15A; 1.4W; SOT23 Mounting: SMD On-state resistance: 0.2Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.4W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Drain current: -3.3A Drain-source voltage: -20V Case: SOT23 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -15A |
товар відсутній |