DMG3415UFY4Q-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 650mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN2015-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282 pF @ 10 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 8.03 грн |
| 6000+ | 7.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMG3415UFY4Q-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMG3415UFY4Q-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 16 V, 2.5 A, 0.031 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 16V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 650mW, Bauform - Transistor: X2-DFN2015, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DMG3415UFY4Q-7 за ціною від 7.25 грн до 33.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMG3415UFY4Q-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG3415UFY4Q-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 16 V, 2.5 A, 0.031 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 16V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV euEccn: NLR Verlustleistung: 650mW Bauform - Transistor: X2-DFN2015 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMG3415UFY4Q-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 16V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 2992 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMG3415UFY4Q-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 650mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN2015-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 16 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282 pF @ 10 V |
на замовлення 49339 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMG3415UFY4Q-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 16V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 2992 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMG3415UFY4Q-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs P-Ch -16V Enh FET 8Vgss -12A 0.65W |
на замовлення 10484 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMG3415UFY4Q-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG3415UFY4Q-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 16 V, 2.5 A, 0.031 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 16V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV euEccn: NLR Verlustleistung: 650mW Bauform - Transistor: X2-DFN2015 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMG3415UFY4Q-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 16V 2.5A Automotive 3-Pin X2-DFN T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
DMG3415UFY4Q-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 16V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin X2-DFN T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| DMG3415UFY4Q-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -16V; -2.2A; Idm: -12A; 1.35W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -16V Drain current: -2.2A Pulsed drain current: -12A Power dissipation: 1.35W Case: X2-DFN2015-3 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 65mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| DMG3415UFY4Q-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -16V; -2.2A; Idm: -12A; 1.35W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -16V Drain current: -2.2A Pulsed drain current: -12A Power dissipation: 1.35W Case: X2-DFN2015-3 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 65mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry |
товару немає в наявності |