![DMG1016V-7 DMG1016V-7](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/605183c7e0589752af4d08a31eb1b725d746fcbd/6sot.jpg)
DMG1016V-7 Diodes Zetex
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3081+ | 3.91 грн |
6000+ | 3.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMG1016V-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMG1016V-7 - Dual-MOSFET, AEC-Q101, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 870 mA, 870 mA, 0.3 ohm, tariffCode: 85412100, Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3, Anzahl der Pins: 6, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 870, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 870, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, hazardous: false, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5, Produktpalette: -, Bauform - Transistor: SOT-563, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Verlustleistung, n-Kanal: 530, Drain-Source-Spannung Vds: 20, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20, Verlustleistung, p-Kanal: 530, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3, Dauer-Drainstrom Id: 870, rohsPhthalatesCompliant: YES, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Transistormontage: Oberflächenmontage, Verlustleistung Pd: 530, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції DMG1016V-7 за ціною від 3.8 грн до 32.72 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DMG1016V-7 | Виробник : Diodes Inc |
![]() |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
DMG1016V-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
DMG1016V-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
DMG1016V-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 96000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
DMG1016V-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 530mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA, 640mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active |
на замовлення 138000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
DMG1016V-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 96000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
DMG1016V-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 195000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
DMG1016V-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
DMG1016V-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
DMG1016V-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
DMG1016V-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
DMG1016V-7 | Виробник : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 870 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20 usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 870 Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3 Verlustleistung, p-Kanal: 530 Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20 euEccn: NLR Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 530 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 4885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
DMG1016V-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 1035 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
DMG1016V-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.63/-0.46A; 0.53W Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 0.63/-0.46A Power dissipation: 0.53W Case: SOT563 Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 0.4/0.7Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
на замовлення 2674 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
DMG1016V-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 530mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA, 640mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active |
на замовлення 142835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
DMG1016V-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
на замовлення 320118 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
DMG1016V-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.63/-0.46A; 0.53W Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 0.63/-0.46A Power dissipation: 0.53W Case: SOT563 Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 0.4/0.7Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2674 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
DMG1016V-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 1035 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
DMG1016V-7 | Виробник : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85412100 Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3 Anzahl der Pins: 6 Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 870 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 870 MSL: MSL 1 - unbegrenzt hazardous: false Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Produktpalette: - Bauform - Transistor: SOT-563 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Verlustleistung, n-Kanal: 530 Drain-Source-Spannung Vds: 20 Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20 Verlustleistung, p-Kanal: 530 Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20 Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3 Dauer-Drainstrom Id: 870 rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Transistormontage: Oberflächenmontage Verlustleistung Pd: 530 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 4885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|