Продукція > DIODES ZETEX > DMG1012T-7
DMG1012T-7

DMG1012T-7 Diodes Zetex

ds31783.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 2283000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5173+2.36 грн
9000+ 2.28 грн
30000+ 2.19 грн
60000+ 2.07 грн
120000+ 1.83 грн
Мінімальне замовлення: 5173
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMG1012T-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMG1012T-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.3 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 630mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 280mW, Bauform - Transistor: SOT-523, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції DMG1012T-7 за ціною від 1.59 грн до 21.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMG1012T-7 DMG1012T-7 Виробник : Diodes Zetex ds31783.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 2283000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.07 грн
6000+ 3.04 грн
9000+ 2.58 грн
15000+ 2.47 грн
24000+ 2.25 грн
30000+ 2.04 грн
45000+ 1.99 грн
75000+ 1.64 грн
150000+ 1.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG1012T-7 DMG1012T-7 Виробник : Diodes Zetex ds31783.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 591000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.35 грн
6000+ 3.32 грн
9000+ 2.79 грн
15000+ 2.67 грн
24000+ 2.45 грн
30000+ 2.21 грн
45000+ 2.19 грн
75000+ 1.77 грн
150000+ 1.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG1012T-7 DMG1012T-7 Виробник : Diodes Zetex ds31783.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 591000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3394+3.6 грн
6000+ 3.57 грн
9000+ 3.01 грн
15000+ 2.88 грн
24000+ 2.64 грн
30000+ 2.38 грн
45000+ 2.36 грн
75000+ 1.91 грн
150000+ 1.89 грн
Мінімальне замовлення: 3394
DMG1012T-7 DMG1012T-7 Виробник : Diodes Incorporated DMG1012T.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V
на замовлення 333000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.65 грн
6000+ 3.26 грн
9000+ 2.71 грн
30000+ 2.49 грн
75000+ 2.24 грн
150000+ 1.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG1012T-7 DMG1012T-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0014720042-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG1012T-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.3 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1203849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+4.36 грн
1500+ 3.94 грн
Мінімальне замовлення: 500
DMG1012T-7 DMG1012T-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMG1012T-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.28W; SOT523
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.45A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.28W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
Mounting: SMD
Case: SOT523
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
60+6.81 грн
110+ 3.35 грн
250+ 2.8 грн
360+ 2.43 грн
970+ 2.3 грн
Мінімальне замовлення: 60
DMG1012T-7 DMG1012T-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMG1012T-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.28W; SOT523
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.45A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.28W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
Mounting: SMD
Case: SOT523
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
40+8.17 грн
70+ 4.18 грн
250+ 3.36 грн
360+ 2.92 грн
970+ 2.76 грн
Мінімальне замовлення: 40
DMG1012T-7 DMG1012T-7 Виробник : Diodes Zetex ds31783.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 2716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1418+8.63 грн
1570+ 7.79 грн
1966+ 6.22 грн
Мінімальне замовлення: 1418
DMG1012T-7 DMG1012T-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0014720042-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG1012T-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.3 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1203849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
72+11.08 грн
89+ 8.94 грн
118+ 6.76 грн
500+ 4.36 грн
1500+ 3.94 грн
Мінімальне замовлення: 72
DMG1012T-7 DMG1012T-7 Виробник : Diodes Zetex ds31783.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 2716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
41+15.11 грн
47+ 12.9 грн
50+ 12.33 грн
100+ 7.72 грн
250+ 6.46 грн
500+ 4.95 грн
1000+ 3.13 грн
Мінімальне замовлення: 41
DMG1012T-7 DMG1012T-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0006455650_1-2542645.pdf MOSFETs MOSFET N-CHANNEL SOT-523
на замовлення 953742 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+17.61 грн
37+ 9 грн
100+ 5.29 грн
1000+ 4.02 грн
3000+ 3.24 грн
9000+ 2.33 грн
24000+ 2.12 грн
Мінімальне замовлення: 19
DMG1012T-7 DMG1012T-7 Виробник : Diodes Incorporated DMG1012T.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V
на замовлення 340931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+21.37 грн
21+ 14.33 грн
100+ 7 грн
500+ 5.48 грн
1000+ 3.81 грн
Мінімальне замовлення: 15
DMG1012T-7 Виробник : HXY MOSFET DMG1012T.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 150mOhm; 800mA; 150mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: DMG1012T-13; DMG1012T-7 HXY MOSFET TDMG1012T-7 HXY
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+1.59 грн
Мінімальне замовлення: 500
DMG1012T-7 Виробник : DIODES/ZETEX DMG1012T.pdf N-MOSFET 20V; 0.45A; 0.28W; 2kV; -55..+150°C DMG1012T-7 TDMG1012T-7
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 25050 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
300+2.06 грн
Мінімальне замовлення: 300
DMG1012T-7 Виробник : DIODES/ZETEX DMG1012T.pdf N-MOSFET 20V; 0.45A; 0.28W; 2kV; -55..+150°C DMG1012T-7 TDMG1012T-7
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
300+2.06 грн
Мінімальне замовлення: 300
DMG1012T-7 Виробник : DIODES/ZETEX DMG1012T.pdf N-MOSFET 20V; 0.45A; 0.28W; 2kV; -55..+150°C DMG1012T-7 TDMG1012T-7
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
300+2.06 грн
Мінімальне замовлення: 300
DMG1012T-7 DMG1012T-7 Виробник : Diodes Inc ds31783.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
товар відсутній