DMG1029SV-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 450mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA, 360mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V, 25pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 2700000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.17 грн |
| 6000+ | 5.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMG1029SV-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMG1029SV-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 500 mA, 500 mA, 1.3 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 500mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.3ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 450mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.3ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 450mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DMG1029SV-7 за ціною від 5.21 грн до 27.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMG1029SV-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
DMG1029SV-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 144000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMG1029SV-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMG1029SV-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 144000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMG1029SV-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMG1029SV-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMG1029SV-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
DMG1029SV-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG1029SV-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 500 mA, 500 mA, 1.3 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.3ohm Verlustleistung, p-Kanal: 450mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.3ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 450mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMG1029SV-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 450mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA, 360mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V, 25pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active |
на замовлення 2702415 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
DMG1029SV-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 60V Comp Pair ENH 1.7 Ohm 10V 500mA |
на замовлення 221662 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
DMG1029SV-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V Mounting: SMD Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: SOT563 Type of transistor: N/P-MOSFET On-state resistance: 1.7/4Ω Drain current: 0.4/-0.28A Drain-source voltage: 60/-60V Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 0.66W кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
DMG1029SV-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V Mounting: SMD Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: SOT563 Type of transistor: N/P-MOSFET On-state resistance: 1.7/4Ω Drain current: 0.4/-0.28A Drain-source voltage: 60/-60V Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 0.66W |
товару немає в наявності |