на замовлення 2760000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 2.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMG1012T-13 Diodes Zetex
Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT523 T&R, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-523, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 280mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-523, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±6V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V.
Інші пропозиції DMG1012T-13 за ціною від 1.9 грн до 23.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMG1012T-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT523 T&RPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 280mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-523 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMG1012T-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT523 T&R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 280mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-523 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V |
на замовлення 308512 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMG1012T-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 20V N-Ch Enhance Mode MOSFET |
на замовлення 25674 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMG1012T-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
DMG1012T-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
DMG1012T-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 450mA; Idm: 3A; 280mW; SOT523 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.45A Pulsed drain current: 3A Power dissipation: 0.28W Case: SOT523 Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 0.7Ω Mounting: SMD Gate charge: 736.6pC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 10000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
DMG1012T-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 450mA; Idm: 3A; 280mW; SOT523 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.45A Pulsed drain current: 3A Power dissipation: 0.28W Case: SOT523 Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 0.7Ω Mounting: SMD Gate charge: 736.6pC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |