Продукція > DIODES INC > DMG1016UDW-7
DMG1016UDW-7

DMG1016UDW-7 Diodes Inc

ds31860.pdf Виробник: Diodes Inc
Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 207000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMG1016UDW-7 Diodes Inc

Description: DIODES INC. - DMG1016UDW-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 845 mA, 845 mA, 0.3 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 845mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 845mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 330mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 330mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції DMG1016UDW-7 за ціною від 2.46 грн до 35.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMG1016UDW-7 DMG1016UDW-7 Виробник : Diodes Zetex ds31860.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 261000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3547+3.47 грн
63000+ 3.17 грн
126000+ 2.95 грн
189000+ 2.68 грн
Мінімальне замовлення: 3547
DMG1016UDW-7 DMG1016UDW-7 Виробник : Diodes Zetex ds31860.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 261000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.79 грн
9000+ 2.59 грн
24000+ 2.57 грн
45000+ 2.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG1016UDW-7 DMG1016UDW-7 Виробник : Diodes Zetex ds31860.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 207000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.86 грн
9000+ 3.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG1016UDW-7 DMG1016UDW-7 Виробник : Diodes Incorporated DMG1016UDW.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 330mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.07A, 845mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 1608000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.61 грн
6000+ 5.16 грн
9000+ 4.46 грн
30000+ 4.11 грн
75000+ 3.4 грн
150000+ 3.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG1016UDW-7 DMG1016UDW-7 Виробник : Diodes Zetex ds31860.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1384+8.88 грн
1496+ 8.22 грн
1530+ 8.04 грн
Мінімальне замовлення: 1384
DMG1016UDW-7 DMG1016UDW-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0014467429-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG1016UDW-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 845 mA, 845 mA, 0.3 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 845mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 845mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 330mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 330mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 16090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+10.08 грн
500+ 6.87 грн
1500+ 6.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMG1016UDW-7 DMG1016UDW-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0014467429-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG1016UDW-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 845 mA, 845 mA, 0.3 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 845mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 845mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 330mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 330mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 14590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+27.15 грн
50+ 18.61 грн
100+ 10.08 грн
500+ 6.87 грн
1500+ 6.21 грн
Мінімальне замовлення: 30
DMG1016UDW-7 DMG1016UDW-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMG1016UDW-7.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.85/-1.07A
Power dissipation: 0.53W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.45/0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 3250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+29.26 грн
20+ 19.77 грн
50+ 12.63 грн
100+ 10.27 грн
202+ 4.37 грн
556+ 4.13 грн
Мінімальне замовлення: 14
DMG1016UDW-7 DMG1016UDW-7 Виробник : Diodes Incorporated DMG1016UDW.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 330mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.07A, 845mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 1610177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+31.35 грн
15+ 20.98 грн
100+ 10.6 грн
500+ 8.12 грн
1000+ 6.02 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMG1016UDW-7 DMG1016UDW-7 Виробник : Diodes Zetex ds31860.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+31.68 грн
28+ 22.27 грн
100+ 7.95 грн
250+ 6.81 грн
500+ 6.4 грн
1000+ 3.54 грн
Мінімальне замовлення: 20
DMG1016UDW-7 DMG1016UDW-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0004565582_1-2542502.pdf MOSFETs 20V Vdss 6V VGSS Complementary Pair
на замовлення 215318 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+34.57 грн
14+ 24 грн
100+ 8.62 грн
1000+ 6.38 грн
3000+ 5.14 грн
9000+ 4.35 грн
24000+ 4.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMG1016UDW-7 DMG1016UDW-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMG1016UDW-7.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.85/-1.07A
Power dissipation: 0.53W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.45/0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3250 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+35.11 грн
12+ 24.64 грн
50+ 15.16 грн
100+ 12.33 грн
202+ 5.24 грн
556+ 4.95 грн
75000+ 4.79 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMG1016UDW-7 DMG1016UDW.pdf
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DMG1016UDW-7 DMG1016UDW-7 Виробник : Diodes Zetex ds31860.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R
товар відсутній