на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 2.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMG1013UW-7 Diodes Inc
Description: DIODES INC. - DMG1013UW-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 820mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DMG1013UW-7 за ціною від 2 грн до 21.06 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DMG1013UW-7 | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R |
на замовлення 5286000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
DMG1013UW-7 | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
DMG1013UW-7 | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
DMG1013UW-7 | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R |
на замовлення 189000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
DMG1013UW-7 | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
DMG1013UW-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 310mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.622 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V |
на замовлення 8523000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
DMG1013UW-7 | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R |
на замовлення 189000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
DMG1013UW-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG1013UW-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 820mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 40534 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
DMG1013UW-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG1013UW-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 820mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 40534 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
DMG1013UW-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.54A; 0.31W; SOT323 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±6V Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.54A On-state resistance: 1.5Ω Type of transistor: P-MOSFET Case: SOT323 Power dissipation: 0.31W |
на замовлення 29657 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
DMG1013UW-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 310mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.622 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V |
на замовлення 8524645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
DMG1013UW-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.54A; 0.31W; SOT323 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±6V Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.54A On-state resistance: 1.5Ω Type of transistor: P-MOSFET Case: SOT323 Power dissipation: 0.31W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 29657 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
DMG1013UW-7 | Виробник : Diodes Incorporated | MOSFETs P-Ch -20V VDSS Enchanced Mosfet |
на замовлення 78917 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
DMG1013UW-7 | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |