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IXFH26N60P IXFH26N60P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008597134-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH26N60P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.27 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 26
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 460
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PolarHV
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.27
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+540.46 грн
5+ 499.91 грн
10+ 440.64 грн
50+ 362.82 грн
100+ 309.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFH28N60P3 IXFH28N60P3 IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007924151-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH28N60P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 28 A, 0.26 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 28
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 695
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 695
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.26
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товар відсутній
IXFH30N50P IXFH30N50P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008598196-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH30N50P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 500 V, 30 A, 0.2 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+630.15 грн
5+ 566.98 грн
10+ 503.03 грн
50+ 442.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFH30N50Q3 IXFH30N50Q3 IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0009972185-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH30N50Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 30 A, 0.2 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 30
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 690
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5
Verlustleistung: 690
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Q3-Class HiperFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.2
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товар відсутній
IXFH320N10T2 IXFH320N10T2 IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007924772-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH320N10T2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 320 A, 0.0035 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 320A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1kW
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchT2 HiperFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1123.82 грн
5+ 1016.98 грн
10+ 910.13 грн
IXFH34N65X2 IXFH34N65X2 IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007907456-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH34N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 34 A, 0.1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HiPerFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+570.1 грн
5+ 512.39 грн
10+ 454.68 грн
50+ 400.47 грн
100+ 348.95 грн
250+ 342.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFH36N60P IXFH36N60P IXYS SEMICONDUCTOR 123509.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH36N60P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 36 A, 0.19 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 650W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.19ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
товар відсутній
IXFH40N30 IXFH40N30 IXYS SEMICONDUCTOR 123270.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH40N30 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 40 A, 0.085 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300
Dauer-Drainstrom Id: 40
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товар відсутній
IXFH42N60P3 IXFH42N60P3 IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0016802105-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH42N60P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 42 A, 0.185 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+774.43 грн
5+ 677.73 грн
10+ 561.52 грн
50+ 466.38 грн
100+ 417.8 грн
250+ 405.1 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFH44N50P IXFH44N50P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008598135-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH44N50P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 500 V, 44 A, 0.14 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 44
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 650
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товар відсутній
IXFH46N65X2 IXFH46N65X2 IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007910592-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH46N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.069 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 46
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 660
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5
Verlustleistung: 660
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HiPerFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.069
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товар відсутній
IXFH50N60P3 IXFH50N60P3 IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007924162-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH50N60P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.16 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.04W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+758.83 грн
5+ 682.4 грн
10+ 605.98 грн
50+ 533 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFH50N85X IXFH50N85X IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007907354-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH50N85X - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 850 V, 50 A, 0.105 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 850V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 890W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: X-Class HiperFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+977.98 грн
5+ 884.4 грн
10+ 790.81 грн
50+ 719.84 грн
IXFH52N30P IXFH52N30P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008597165-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH52N30P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 52 A, 0.073 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiperFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+545.92 грн
5+ 490.55 грн
10+ 435.18 грн
50+ 383.09 грн
100+ 334.24 грн
250+ 327.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFH58N20 IXFH58N20 IXYS SEMICONDUCTOR 123267.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH58N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 58 A, 0.04 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 58
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товар відсутній
IXFH60N50P3 IXFH60N50P3 IXYS SEMICONDUCTOR littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_60n50p3_datasheet.pdf.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH60N50P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 60 A, 0.1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.04kW
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+740.12 грн
5+ 666.03 грн
10+ 591.16 грн
50+ 519.96 грн
100+ 453.23 грн
250+ 443.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFH60N65X2 IXFH60N65X2 IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007910715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH60N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 60 A, 0.052 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 60
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 780
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HiPerFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.052
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+837.6 грн
5+ 804.07 грн
10+ 769.75 грн
IXFH6N100 IXFH6N100 IXYS SEMICONDUCTOR 123284.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH6N100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 6 A, 2 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1
Dauer-Drainstrom Id: 6
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 180
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 180
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товар відсутній
IXFH75N10 IXFH75N10 IXYS SEMICONDUCTOR 123266.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH75N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.02 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 75
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товар відсутній
IXFH88N30P IXFH88N30P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008598452-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH88N30P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 88 A, 0.04 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300
Dauer-Drainstrom Id: 88
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 600
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+633.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFH94N30P3 IXFH94N30P3 IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007909443-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH94N30P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 94 A, 0.036 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300
Dauer-Drainstrom Id: 94
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1.04
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 1.04
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.036
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+641.07 грн
5+ 628.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFK140N30P IXFK140N30P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008598322-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK140N30P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 300 V, 140 A, 0.024 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.04kW
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1513.77 грн
5+ 1385.09 грн
10+ 1255.62 грн
50+ 1129.73 грн
100+ 1008.73 грн
IXFK150N30P3 IXFK150N30P3 IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0009972238-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK150N30P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 150 A, 0.019 ohm, TO-264AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300
Dauer-Drainstrom Id: 150
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1.3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 1.3
Bauform - Transistor: TO-264AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1533.27 грн
IXFK24N100Q3 IXFK24N100Q3 IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0009972201-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK24N100Q3 - Leistungs-MOSFET, Klasse Q3, n-Kanal, 1 kV, 24 A, 0.44 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1kW
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.44ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1945.83 грн
5+ 1779.71 грн
10+ 1613.6 грн
50+ 1451.99 грн
100+ 1296.85 грн
IXFK44N50P IXFK44N50P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008598135-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK44N50P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 44 A, 0.14 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 658W
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiperFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+857.88 грн
5+ 776.77 грн
10+ 694.88 грн
50+ 626.42 грн
100+ 560.18 грн
IXFK44N80P IXFK44N80P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008598122-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK44N80P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 44 A, 0.19 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 44
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1.2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 1.2
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.19
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1482.57 грн
5+ 1424.86 грн
10+ 1367.15 грн
50+ 1176.8 грн
100+ 1000.71 грн
250+ 980.66 грн
IXFK48N50 IXFK48N50 IXYS SEMICONDUCTOR littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_4_n50_datasheet.pdf.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK48N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 48 A, 0.1 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2000.42 грн
5+ 1864.72 грн
10+ 1687.68 грн
50+ 1491.1 грн
100+ 1322.92 грн
IXFK48N60P IXFK48N60P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008598236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK48N60P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.135 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830W
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1391.33 грн
5+ 1258.74 грн
10+ 1126.16 грн
50+ 1014.58 грн
100+ 907.79 грн
IXFK64N50P IXFK64N50P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008598099-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK64N50P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 500 V, 64 A, 0.085 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830W
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1217.41 грн
5+ 1101.99 грн
10+ 985.78 грн
50+ 888.57 грн
100+ 794.82 грн
250+ 778.78 грн
IXFK64N60P3 IXFK64N60P3 IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007924002-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK64N60P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 64 A, 0.1 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.13kW
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar3 HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+862.56 грн
5+ 780.67 грн
10+ 698.78 грн
50+ 630.04 грн
100+ 563.53 грн
250+ 552.16 грн
IXFK78N50P3 IXFK78N50P3 IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0009972165-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK78N50P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 78 A, 0.068 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 78
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.13
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Polar3 HiPerFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.068
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1567.58 грн
IXFK88N30P IXFK88N30P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008598452-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK88N30P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 300 V, 88 A, 0.04 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300
Dauer-Drainstrom Id: 88
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 600
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 600
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товар відсутній
IXFN100N50P IXFN100N50P IXYS SEMICONDUCTOR littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn100n50p_datasheet.pdf.pdf description Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN100N50P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 500 V, 100 A, 0.049 ohm, ISOTOP, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.04kW
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3333.26 грн
5+ 3152.32 грн
10+ 2970.61 грн
50+ 2502.06 грн
IXFN130N30 IXFN130N30 IXYS SEMICONDUCTOR 42429.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN130N30 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 130 A, 0.022 ohm, ISOTOP, Modul
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 300
Dauer-Drainstrom Id: 130
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 700
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 700
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товар відсутній
IXFN132N50P3 IXFN132N50P3 IXYS SEMICONDUCTOR littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn132n50p3_datasheet.pdf.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN132N50P3 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 112A, 500V, 0.039 Ohm, 10V, 5V, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.5kW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5kW
Produktpalette: Polar3 HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.039ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2916.79 грн
5+ 2758.48 грн
10+ 2599.38 грн
IXFN140N20P IXFN140N20P IXYS SEMICONDUCTOR littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn140n20p_datasheet.pdf.pdf description Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN140N20P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 200 V, 140 A, 0.018 ohm, ISOTOP, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 680W
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2043.32 грн
5+ 1930.23 грн
10+ 1816.37 грн
50+ 1580.9 грн
100+ 1361.02 грн
IXFN140N30P IXFN140N30P IXYS SEMICONDUCTOR littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn140n30p_datasheet.pdf.pdf description Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN140N30P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 300 V, 140 A, 0.024 ohm, ISOTOP, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700W
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2409.08 грн
5+ 2274.94 грн
10+ 2140.02 грн
50+ 1862.6 грн
100+ 1604.35 грн
IXFN180N10 IXFN180N10 IXYS SEMICONDUCTOR IXYSS11302-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN180N10 - Leistungs-MOSFET, HiPerFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.008 ohm, ISOTOP, Modul
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 180
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 600
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товар відсутній
IXFN180N15P IXFN180N15P IXYS SEMICONDUCTOR littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn180n15p_datasheet.pdf.pdf description Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN180N15P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 150 A, 0.011 ohm, ISOTOP, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 680W
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IXFN180N25T IXFN180N25T IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007924158-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN180N25T - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 168A, 250V, 0.0129 Ohm, 10V, 5V, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 168A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 900W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900W
Produktpalette: GigaMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0129ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0129ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IXFN200N10P IXFN200N10P IXYS SEMICONDUCTOR littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn200n10p_datasheet.pdf.pdf description Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN200N10P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 0.0075 ohm, ISOTOP, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 680W
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Polar(TM) HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1959.87 грн
5+ 1850.68 грн
10+ 1741.5 грн
50+ 1515.72 грн
IXFN230N10 IXFN230N10 IXYS SEMICONDUCTOR 2044004.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN230N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 230 A, 0.006 ohm, ISOTOP, Modul
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 230
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 700
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товар відсутній
IXFN24N100 IXFN24N100 IXYS SEMICONDUCTOR littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn24n100_datasheet.pdf.pdf description Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN24N100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 24 A, 0.39 ohm, ISOTOP, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3820.69 грн
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10+ 3166.36 грн
50+ 2848.94 грн
IXFN360N10T IXFN360N10T IXYS SEMICONDUCTOR 2362856.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN360N10T - MOSFET-Transistor, GigaMOS™, n-Kanal, 360A, 100V, 0.0026 Ohm, 100V, 4.5V, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 360A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 830W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830W
Produktpalette: Trench HiperFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1984.04 грн
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IXFN36N100 IXFN36N100 IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008595798-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN36N100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 36 A, 0.24 ohm, ISOTOP, Modul
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 1
Dauer-Drainstrom Id: 36
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 700
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.24
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товар відсутній
IXFN420N10T IXFN420N10T IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007923927-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN420N10T - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 420A, 100V, 0.0023 Ohm, 10V, 5V, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 420A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.07kW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.07kW
Produktpalette: GigaMOS HiperFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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10+ 1998.08 грн
50+ 1739.49 грн
100+ 1498.06 грн
IXFN44N100Q3 IXFN44N100Q3 IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007909524-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN44N100Q3 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 38A, 1kV, 0.22 Ohm, 10V, 6.5V, SOT-227B
Drain-Source-Spannung Vds: 1
Dauer-Drainstrom Id: 38
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 960
Produktpalette: HiperFET Q3-Class
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 6.5
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3378.49 грн
IXFN44N80P IXFN44N80P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008595711-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN44N80P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 44 A, 0.19 ohm, ISOTOP, Modul
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 44
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 694
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.19
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2592.36 грн
IXFN48N50 IXFN48N50 IXYS SEMICONDUCTOR 69232.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN48N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 48 A, 0.1 ohm, ISOTOP, Modul
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 48
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 520
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 520
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товар відсутній
IXFN48N60P IXFN48N60P IXYS SEMICONDUCTOR littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn48n60p_datasheet.pdf.pdf description Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN48N60P - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 40A, 600V, 0.14 Ohm, 10V, 5.5V, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 625W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Produktpalette: PolarHV HiPerFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2046.43 грн
5+ 1932.57 грн
IXFN55N50 IXFN55N50 IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008598207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN55N50 - Leistungs-MOSFET, HiPerFET, n-Kanal, 500 V, 55 A, 0.08 ohm, ISOTOP, Modul
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 55
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 600
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товар відсутній
IXFN60N80P IXFN60N80P IXYS SEMICONDUCTOR 123570.pdf description Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN60N80P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 60 A, 0.14 ohm, ISOTOP, Modul
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 60
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 1.04
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товар відсутній
IXFN64N50P IXFN64N50P IXYS SEMICONDUCTOR 1631306.pdf description Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN64N50P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 500 V, 64 A, 0.085 ohm, ISOTOP, Modul
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 64
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 700
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5.5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товар відсутній
IXFN64N60P IXFN64N60P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008595618-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN64N60P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 64 A, 0.096 ohm, ISOTOP, Modul
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 64
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 700
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.096
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товар відсутній
IXFN80N50 IXFN80N50 IXYS SEMICONDUCTOR littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn80n50_datasheet.pdf.pdf description Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN80N50 - MOSFET-Transistor, HiPerFET, n-Kanal, 80 A, 500 V, 0.055 ohm, 10 V, 4.5 V
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 780W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 780W
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: HiPerFET Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.055ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4371.29 грн
5+ 4172.42 грн
10+ 3973.55 грн
50+ 3321.11 грн
IXFN80N60P3 IXFN80N60P3 IXYS SEMICONDUCTOR 2359841.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN80N60P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 66 A, 0.077 ohm, SOT-227B, Modul
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 66
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 960
Bauform - Transistor: SOT-227B
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: Polar3 HiperFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.077
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
товар відсутній
IXFP10N60P IXFP10N60P IXYS SEMICONDUCTOR 123531.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFP10N60P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.74 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 10
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 200
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5
Verlustleistung: 200
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.74
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товар відсутній
IXFP12N50P IXFP12N50P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008598276-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFP12N50P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 12 A, 0.5 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+286.22 грн
10+ 226.17 грн
100+ 194.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXFP12N65X2 IXFP12N65X2 IXYS SEMICONDUCTOR littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_12n65x2_datasheet.pdf.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFP12N65X2 - Leistungs-MOSFET, X2 Cls, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.31 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: X2-Class HiperFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+157.54 грн
10+ 125.56 грн
100+ 107.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
IXFP14N60P IXYS SEMICONDUCTOR 390197.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFP14N60P - MOSFET, N, TO-220
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
товар відсутній
IXFH26N60P IXYS-S-A0008597134-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFH26N60P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH26N60P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.27 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 26
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 460
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PolarHV
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.27
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+540.46 грн
5+ 499.91 грн
10+ 440.64 грн
50+ 362.82 грн
100+ 309.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFH28N60P3 LFSI-S-A0007924151-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFH28N60P3
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH28N60P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 28 A, 0.26 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 28
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 695
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 695
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.26
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товар відсутній
IXFH30N50P IXYS-S-A0008598196-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFH30N50P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH30N50P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 500 V, 30 A, 0.2 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+630.15 грн
5+ 566.98 грн
10+ 503.03 грн
50+ 442.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFH30N50Q3 LFSI-S-A0009972185-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFH30N50Q3
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH30N50Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 30 A, 0.2 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 30
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 690
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5
Verlustleistung: 690
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Q3-Class HiperFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.2
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товар відсутній
IXFH320N10T2 LFSI-S-A0007924772-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFH320N10T2
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH320N10T2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 320 A, 0.0035 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 320A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1kW
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchT2 HiperFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1123.82 грн
5+ 1016.98 грн
10+ 910.13 грн
IXFH34N65X2 LFSI-S-A0007907456-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFH34N65X2
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH34N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 34 A, 0.1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HiPerFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+570.1 грн
5+ 512.39 грн
10+ 454.68 грн
50+ 400.47 грн
100+ 348.95 грн
250+ 342.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFH36N60P 123509.pdf
IXFH36N60P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH36N60P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 36 A, 0.19 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 650W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.19ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
товар відсутній
IXFH40N30 123270.pdf
IXFH40N30
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH40N30 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 40 A, 0.085 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300
Dauer-Drainstrom Id: 40
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
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IXFH42N60P3 LFSI-S-A0016802105-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFH42N60P3
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH42N60P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 42 A, 0.185 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+774.43 грн
5+ 677.73 грн
10+ 561.52 грн
50+ 466.38 грн
100+ 417.8 грн
250+ 405.1 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFH44N50P description IXYS-S-A0008598135-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFH44N50P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH44N50P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 500 V, 44 A, 0.14 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 44
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 650
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товар відсутній
IXFH46N65X2 LFSI-S-A0007910592-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFH46N65X2
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH46N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.069 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 46
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 660
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5
Verlustleistung: 660
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HiPerFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.069
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товар відсутній
IXFH50N60P3 LFSI-S-A0007924162-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFH50N60P3
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH50N60P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.16 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.04W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+758.83 грн
5+ 682.4 грн
10+ 605.98 грн
50+ 533 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFH50N85X LFSI-S-A0007907354-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFH50N85X
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH50N85X - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 850 V, 50 A, 0.105 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 850V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 890W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: X-Class HiperFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+977.98 грн
5+ 884.4 грн
10+ 790.81 грн
50+ 719.84 грн
IXFH52N30P IXYS-S-A0008597165-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFH52N30P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH52N30P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 52 A, 0.073 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiperFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+545.92 грн
5+ 490.55 грн
10+ 435.18 грн
50+ 383.09 грн
100+ 334.24 грн
250+ 327.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFH58N20 123267.pdf
IXFH58N20
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH58N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 58 A, 0.04 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 58
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товар відсутній
IXFH60N50P3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_60n50p3_datasheet.pdf.pdf
IXFH60N50P3
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH60N50P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 60 A, 0.1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.04kW
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+740.12 грн
5+ 666.03 грн
10+ 591.16 грн
50+ 519.96 грн
100+ 453.23 грн
250+ 443.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFH60N65X2 LFSI-S-A0007910715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFH60N65X2
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH60N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 60 A, 0.052 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 60
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 780
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HiPerFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.052
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+837.6 грн
5+ 804.07 грн
10+ 769.75 грн
IXFH6N100 123284.pdf
IXFH6N100
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH6N100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 6 A, 2 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1
Dauer-Drainstrom Id: 6
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 180
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 180
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товар відсутній
IXFH75N10 123266.pdf
IXFH75N10
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH75N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.02 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 75
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товар відсутній
IXFH88N30P IXYS-S-A0008598452-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFH88N30P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH88N30P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 88 A, 0.04 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300
Dauer-Drainstrom Id: 88
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 600
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+633.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFH94N30P3 LFSI-S-A0007909443-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFH94N30P3
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH94N30P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 94 A, 0.036 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300
Dauer-Drainstrom Id: 94
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1.04
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 1.04
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.036
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+641.07 грн
5+ 628.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFK140N30P IXYS-S-A0008598322-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFK140N30P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK140N30P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 300 V, 140 A, 0.024 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.04kW
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1513.77 грн
5+ 1385.09 грн
10+ 1255.62 грн
50+ 1129.73 грн
100+ 1008.73 грн
IXFK150N30P3 LFSI-S-A0009972238-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFK150N30P3
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK150N30P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 150 A, 0.019 ohm, TO-264AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300
Dauer-Drainstrom Id: 150
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1.3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 1.3
Bauform - Transistor: TO-264AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1533.27 грн
IXFK24N100Q3 LFSI-S-A0009972201-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFK24N100Q3
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK24N100Q3 - Leistungs-MOSFET, Klasse Q3, n-Kanal, 1 kV, 24 A, 0.44 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1kW
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.44ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1945.83 грн
5+ 1779.71 грн
10+ 1613.6 грн
50+ 1451.99 грн
100+ 1296.85 грн
IXFK44N50P IXYS-S-A0008598135-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFK44N50P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK44N50P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 44 A, 0.14 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 658W
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiperFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+857.88 грн
5+ 776.77 грн
10+ 694.88 грн
50+ 626.42 грн
100+ 560.18 грн
IXFK44N80P IXYS-S-A0008598122-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFK44N80P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK44N80P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 44 A, 0.19 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 44
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1.2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 1.2
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.19
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1482.57 грн
5+ 1424.86 грн
10+ 1367.15 грн
50+ 1176.8 грн
100+ 1000.71 грн
250+ 980.66 грн
IXFK48N50 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_4_n50_datasheet.pdf.pdf
IXFK48N50
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK48N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 48 A, 0.1 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2000.42 грн
5+ 1864.72 грн
10+ 1687.68 грн
50+ 1491.1 грн
100+ 1322.92 грн
IXFK48N60P IXYS-S-A0008598236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFK48N60P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK48N60P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.135 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830W
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1391.33 грн
5+ 1258.74 грн
10+ 1126.16 грн
50+ 1014.58 грн
100+ 907.79 грн
IXFK64N50P IXYS-S-A0008598099-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFK64N50P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK64N50P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 500 V, 64 A, 0.085 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830W
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1217.41 грн
5+ 1101.99 грн
10+ 985.78 грн
50+ 888.57 грн
100+ 794.82 грн
250+ 778.78 грн
IXFK64N60P3 LFSI-S-A0007924002-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFK64N60P3
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK64N60P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 64 A, 0.1 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.13kW
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar3 HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+862.56 грн
5+ 780.67 грн
10+ 698.78 грн
50+ 630.04 грн
100+ 563.53 грн
250+ 552.16 грн
IXFK78N50P3 LFSI-S-A0009972165-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFK78N50P3
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK78N50P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 78 A, 0.068 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 78
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.13
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Polar3 HiPerFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.068
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1567.58 грн
IXFK88N30P IXYS-S-A0008598452-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFK88N30P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK88N30P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 300 V, 88 A, 0.04 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300
Dauer-Drainstrom Id: 88
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 600
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 600
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товар відсутній
IXFN100N50P description littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn100n50p_datasheet.pdf.pdf
IXFN100N50P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN100N50P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 500 V, 100 A, 0.049 ohm, ISOTOP, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.04kW
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3333.26 грн
5+ 3152.32 грн
10+ 2970.61 грн
50+ 2502.06 грн
IXFN130N30 42429.pdf
IXFN130N30
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN130N30 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 130 A, 0.022 ohm, ISOTOP, Modul
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 300
Dauer-Drainstrom Id: 130
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 700
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 700
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товар відсутній
IXFN132N50P3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn132n50p3_datasheet.pdf.pdf
IXFN132N50P3
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN132N50P3 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 112A, 500V, 0.039 Ohm, 10V, 5V, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.5kW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5kW
Produktpalette: Polar3 HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.039ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2916.79 грн
5+ 2758.48 грн
10+ 2599.38 грн
IXFN140N20P description littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn140n20p_datasheet.pdf.pdf
IXFN140N20P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN140N20P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 200 V, 140 A, 0.018 ohm, ISOTOP, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 680W
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2043.32 грн
5+ 1930.23 грн
10+ 1816.37 грн
50+ 1580.9 грн
100+ 1361.02 грн
IXFN140N30P description littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn140n30p_datasheet.pdf.pdf
IXFN140N30P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN140N30P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 300 V, 140 A, 0.024 ohm, ISOTOP, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700W
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2409.08 грн
5+ 2274.94 грн
10+ 2140.02 грн
50+ 1862.6 грн
100+ 1604.35 грн
IXFN180N10 description IXYSS11302-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFN180N10
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN180N10 - Leistungs-MOSFET, HiPerFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.008 ohm, ISOTOP, Modul
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 180
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 600
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товар відсутній
IXFN180N15P description littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn180n15p_datasheet.pdf.pdf
IXFN180N15P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN180N15P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 150 A, 0.011 ohm, ISOTOP, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 680W
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1959.87 грн
5+ 1850.68 грн
10+ 1741.5 грн
50+ 1515.72 грн
100+ 1305.54 грн
IXFN180N25T LFSI-S-A0007924158-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFN180N25T
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN180N25T - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 168A, 250V, 0.0129 Ohm, 10V, 5V, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 168A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 900W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900W
Produktpalette: GigaMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0129ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0129ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1861.6 грн
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IXFN200N10P description littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn200n10p_datasheet.pdf.pdf
IXFN200N10P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN200N10P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 0.0075 ohm, ISOTOP, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 680W
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Polar(TM) HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1959.87 грн
5+ 1850.68 грн
10+ 1741.5 грн
50+ 1515.72 грн
IXFN230N10 2044004.pdf
IXFN230N10
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN230N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 230 A, 0.006 ohm, ISOTOP, Modul
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 230
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 700
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товар відсутній
IXFN24N100 description littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn24n100_datasheet.pdf.pdf
IXFN24N100
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN24N100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 24 A, 0.39 ohm, ISOTOP, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3820.69 грн
5+ 3493.91 грн
10+ 3166.36 грн
50+ 2848.94 грн
IXFN360N10T 2362856.pdf
IXFN360N10T
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN360N10T - MOSFET-Transistor, GigaMOS™, n-Kanal, 360A, 100V, 0.0026 Ohm, 100V, 4.5V, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 360A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 830W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830W
Produktpalette: Trench HiperFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1984.04 грн
5+ 1874.08 грн
10+ 1763.33 грн
50+ 1534.55 грн
100+ 1321.58 грн
IXFN36N100 description IXYS-S-A0008595798-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFN36N100
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN36N100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 36 A, 0.24 ohm, ISOTOP, Modul
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 1
Dauer-Drainstrom Id: 36
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 700
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.24
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товар відсутній
IXFN420N10T LFSI-S-A0007923927-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFN420N10T
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN420N10T - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 420A, 100V, 0.0023 Ohm, 10V, 5V, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 420A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.07kW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.07kW
Produktpalette: GigaMOS HiperFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2248.43 грн
5+ 2123.64 грн
10+ 1998.08 грн
50+ 1739.49 грн
100+ 1498.06 грн
IXFN44N100Q3 LFSI-S-A0007909524-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFN44N100Q3
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN44N100Q3 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 38A, 1kV, 0.22 Ohm, 10V, 6.5V, SOT-227B
Drain-Source-Spannung Vds: 1
Dauer-Drainstrom Id: 38
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 960
Produktpalette: HiperFET Q3-Class
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 6.5
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3378.49 грн
IXFN44N80P description IXYS-S-A0008595711-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFN44N80P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN44N80P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 44 A, 0.19 ohm, ISOTOP, Modul
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 44
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 694
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.19
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2592.36 грн
IXFN48N50 69232.pdf
IXFN48N50
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN48N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 48 A, 0.1 ohm, ISOTOP, Modul
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 48
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 520
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 520
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товар відсутній
IXFN48N60P description littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn48n60p_datasheet.pdf.pdf
IXFN48N60P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN48N60P - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 40A, 600V, 0.14 Ohm, 10V, 5.5V, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 625W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Produktpalette: PolarHV HiPerFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2046.43 грн
5+ 1932.57 грн
IXFN55N50 description IXYS-S-A0008598207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFN55N50
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN55N50 - Leistungs-MOSFET, HiPerFET, n-Kanal, 500 V, 55 A, 0.08 ohm, ISOTOP, Modul
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 55
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 600
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товар відсутній
IXFN60N80P description 123570.pdf
IXFN60N80P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN60N80P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 60 A, 0.14 ohm, ISOTOP, Modul
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 60
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 1.04
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товар відсутній
IXFN64N50P description 1631306.pdf
IXFN64N50P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN64N50P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 500 V, 64 A, 0.085 ohm, ISOTOP, Modul
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 64
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 700
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5.5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товар відсутній
IXFN64N60P description IXYS-S-A0008595618-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFN64N60P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN64N60P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 64 A, 0.096 ohm, ISOTOP, Modul
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 64
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 700
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.096
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товар відсутній
IXFN80N50 description littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn80n50_datasheet.pdf.pdf
IXFN80N50
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN80N50 - MOSFET-Transistor, HiPerFET, n-Kanal, 80 A, 500 V, 0.055 ohm, 10 V, 4.5 V
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 780W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 780W
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: HiPerFET Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.055ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+4371.29 грн
5+ 4172.42 грн
10+ 3973.55 грн
50+ 3321.11 грн
IXFN80N60P3 2359841.pdf
IXFN80N60P3
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN80N60P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 66 A, 0.077 ohm, SOT-227B, Modul
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 66
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 960
Bauform - Transistor: SOT-227B
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: Polar3 HiperFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.077
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
товар відсутній
IXFP10N60P 123531.pdf
IXFP10N60P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFP10N60P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.74 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 10
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 200
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5
Verlustleistung: 200
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.74
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товар відсутній
IXFP12N50P IXYS-S-A0008598276-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFP12N50P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFP12N50P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 12 A, 0.5 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+286.22 грн
10+ 226.17 грн
100+ 194.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXFP12N65X2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_12n65x2_datasheet.pdf.pdf
IXFP12N65X2
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFP12N65X2 - Leistungs-MOSFET, X2 Cls, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.31 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: X2-Class HiperFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+157.54 грн
10+ 125.56 грн
100+ 107.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
IXFP14N60P 390197.pdf
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFP14N60P - MOSFET, N, TO-220
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
товар відсутній
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