IXFN140N30P Littelfuse Inc.
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 300V 110A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 300V 110A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 25 V
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1690.94 грн |
10+ | 1485.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFN140N30P Littelfuse Inc.
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN140N30P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 300 V, 140 A, 0.024 ohm, ISOTOP, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Modul, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 140A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 700W, Bauform - Transistor: ISOTOP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm.
Інші пропозиції IXFN140N30P за ціною від 1867.15 грн до 2414.96 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXFN140N30P | Виробник : IXYS | Discrete Semiconductor Modules 140 Amps 300V 0.024 Ohm Rds |
на замовлення 483 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXFN140N30P | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN140N30P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 300 V, 140 A, 0.024 ohm, ISOTOP, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Modul Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 140A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 700W Bauform - Transistor: ISOTOP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm |
на замовлення 77 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXFN140N30P | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 300V 110A 4-Pin SOT-227B |
товар відсутній |
||||||||||||
IXFN140N30P | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 300V 110A 4-Pin SOT-227B |
товар відсутній |
||||||||||||
IXFN140N30P | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 300V 110A 4-Pin SOT-227B |
товар відсутній |
||||||||||||
IXFN140N30P | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 300V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 300A Polarisation: unipolar Power dissipation: 700W On-state resistance: 24mΩ Drain current: 110A Drain-source voltage: 300V Reverse recovery time: 200ns Semiconductor structure: single transistor Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Gate charge: 185nC Technology: HiPerFET™; Polar™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 300A Case: SOT227B кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||
IXFN140N30P | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 300V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 300A Polarisation: unipolar Power dissipation: 700W On-state resistance: 24mΩ Drain current: 110A Drain-source voltage: 300V Reverse recovery time: 200ns Semiconductor structure: single transistor Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Gate charge: 185nC Technology: HiPerFET™; Polar™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 300A Case: SOT227B |
товар відсутній |