![IXFN180N25T IXFN180N25T](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/35/5B/A0/00/0/701779_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=1b65a09142ebd0f3790e25093d6401764e2cb955)
IXFN180N25T IXYS
![IXFN180N25T.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 250V; 168A; SOT227B; screw; Idm: 500A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 168A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 12.9mΩ
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 900W
Technology: GigaMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate charge: 364nC
Reverse recovery time: 200ns
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1397.85 грн |
2+ | 1227.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFN180N25T IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN180N25T - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 168A, 250V, 0.0129 Ohm, 10V, 5V, SOT-227B, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 168A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 900W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 900W, Produktpalette: GigaMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0129ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0129ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IXFN180N25T за ціною від 1374.31 грн до 2237.56 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFN180N25T | Виробник : IXYS |
![]() Description: Module; single transistor; 250V; 168A; SOT227B; screw; Idm: 500A Type of module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 250V Drain current: 168A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 12.9mΩ Pulsed drain current: 500A Power dissipation: 900W Technology: GigaMOS™ Kind of channel: enhanced Gate charge: 364nC Reverse recovery time: 200ns Gate-source voltage: ±30V Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IXFN180N25T | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 168A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 900W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 900W Produktpalette: GigaMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0129ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0129ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IXFN180N25T | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IXFN180N25T | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IXFN180N25T | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IXFN180N25T | Виробник : IXYS |
![]() Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 168A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 900W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Supplier Device Package: SOT-227B Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V |
товар відсутній |