![IXFH60N65X2 IXFH60N65X2](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/2263/TO-247_IXFH.jpg)
IXFH60N65X2 Littelfuse Inc.
![littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfh60n65x2_datasheet.pdf.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 650V 60A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 780W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6180 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
30+ | 621.82 грн |
90+ | 563.56 грн |
300+ | 545.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFH60N65X2 Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 650V 60A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 780W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6180 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFH60N65X2 за ціною від 466.93 грн до 839.65 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFH60N65X2 | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 1326 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXFH60N65X2 | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
![]() Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650 Dauer-Drainstrom Id: 60 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 780 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: HiPerFET Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.052 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 5 SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXFH60N65X2 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
IXFH60N65X2 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
IXFH60N65X2 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
IXFH60N65X2 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; Idm: 120A; 780W Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 60A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 780W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 52mΩ Mounting: THT Gate charge: 108nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 180ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
IXFH60N65X2 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; Idm: 120A; 780W Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 60A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 780W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 52mΩ Mounting: THT Gate charge: 108nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 180ns |
товар відсутній |