![IXFN200N10P IXFN200N10P](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/GE4SOT227-40.jpg)
IXFN200N10P IXYS SEMICONDUCTOR
![IXYS-S-A0008595705-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0](/images/adobe-acrobat.png)
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN200N10P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 0.0075 ohm, ISOTOP, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 680W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1964.65 грн |
5+ | 1855.2 грн |
10+ | 1745.74 грн |
50+ | 1519.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFN200N10P IXYS SEMICONDUCTOR
Description: MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 680W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFN200N10P за ціною від 1421.01 грн до 2105.84 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFN200N10P | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 829 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFN200N10P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
IXFN200N10P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
IXFN200N10P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
IXFN200N10P | Виробник : IXYS |
![]() Description: Module; single transistor; 100V; 200A; SOT227B; screw; Idm: 400A Type of module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 100V Drain current: 200A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 7.5mΩ Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 680W Technology: HiPerFET™; Polar™ Kind of channel: enhanced Gate charge: 235nC Reverse recovery time: 150ns Gate-source voltage: ±30V Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
IXFN200N10P | Виробник : IXYS |
![]() Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 680W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Supplier Device Package: SOT-227B Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
IXFN200N10P | Виробник : IXYS |
![]() Description: Module; single transistor; 100V; 200A; SOT227B; screw; Idm: 400A Type of module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 100V Drain current: 200A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 7.5mΩ Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 680W Technology: HiPerFET™; Polar™ Kind of channel: enhanced Gate charge: 235nC Reverse recovery time: 150ns Gate-source voltage: ±30V Mechanical mounting: screw |
товар відсутній |