IXFH50N85X IXYS SEMICONDUCTOR
Виробник: IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH50N85X - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 850 V, 50 A, 0.105 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 850V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 890W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: X-Class HiperFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 977.98 грн |
| 5+ | 884.4 грн |
| 10+ | 790.81 грн |
| 50+ | 719.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFH50N85X IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH50N85X - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 850 V, 50 A, 0.105 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 850V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 890W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: X-Class HiperFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).
Інші пропозиції IXFH50N85X за ціною від 757.27 грн до 1305.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFH50N85X | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 850V 50A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 890W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4480 pF @ 25 V |
на замовлення 1108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXFH50N85X | Виробник : IXYS |
MOSFETs 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET |
на замовлення 129 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXFH50N85X | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 850V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
IXFH50N85X | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 850V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
IXFH50N85X | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X-Class; unipolar; 850V; 50A; 890W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 850V Drain current: 50A Power dissipation: 890W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.105Ω Mounting: THT Gate charge: 152nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 218ns кількість в упаковці: 300 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
IXFH50N85X | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X-Class; unipolar; 850V; 50A; 890W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 850V Drain current: 50A Power dissipation: 890W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.105Ω Mounting: THT Gate charge: 152nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 218ns |
товар відсутній |