IXFN132N50P3 Littelfuse Inc.
Виробник: Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 112A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 112A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 1500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18600 pF @ 25 V
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2918.7 грн |
| 10+ | 2504.5 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFN132N50P3 Littelfuse Inc.
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN132N50P3 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 112A, 500V, 0.039 Ohm, 10V, 5V, SOT-227B, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 112A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.5kW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5kW, Produktpalette: Polar3 HiPerFET, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.039ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IXFN132N50P3 за ціною від 2604.89 грн до 3259.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFN132N50P3 | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN132N50P3 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 112A, 500V, 0.039 Ohm, 10V, 5V, SOT-227B tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 112A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.5kW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5kW Produktpalette: Polar3 HiPerFET productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.039ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXFN132N50P3 | Виробник : IXYS |
MOSFET Modules 500V 112A 0.039Ohm PolarP3 Power MOSFET |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXFN132N50P3 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 500V 112A 4-Pin SOT-227B |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
IXFN132N50P3 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 500V 112A 4-Pin SOT-227B |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
IXFN132N50P3 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 500V 112A 4-Pin SOT-227B |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
IXFN132N50P3 | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 500V; 112A; SOT227B; screw; Idm: 330A Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 112A Pulsed drain current: 330A Power dissipation: 1.5kW Case: SOT227B Gate-source voltage: ±40V On-state resistance: 39mΩ Gate charge: 250nC Kind of channel: enhanced Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 250ns Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
IXFN132N50P3 | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 500V; 112A; SOT227B; screw; Idm: 330A Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 112A Pulsed drain current: 330A Power dissipation: 1.5kW Case: SOT227B Gate-source voltage: ±40V On-state resistance: 39mΩ Gate charge: 250nC Kind of channel: enhanced Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 250ns Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor |
товар відсутній |