IXFN360N10T IXYS SEMICONDUCTOR
Виробник: IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN360N10T - MOSFET-Transistor, GigaMOS™, n-Kanal, 360A, 100V, 0.0026 Ohm, 100V, 4.5V, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 360A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 830W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830W
Produktpalette: Trench HiperFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1984.04 грн |
| 5+ | 1874.08 грн |
| 10+ | 1763.33 грн |
| 50+ | 1534.55 грн |
| 100+ | 1321.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFN360N10T IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN360N10T - MOSFET-Transistor, GigaMOS™, n-Kanal, 360A, 100V, 0.0026 Ohm, 100V, 4.5V, SOT-227B, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 360A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 830W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 830W, Produktpalette: Trench HiperFET, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 100V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).
Інші пропозиції IXFN360N10T за ціною від 1517.66 грн до 2130.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFN360N10T | Виробник : IXYS |
MOSFET Modules 360 Amps 100V |
на замовлення 614 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXFN360N10T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 360A 4-Pin SOT-227B |
на замовлення 274 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
 |
IXFN360N10T Код товару: 92649 |
Транзистори > IGBT |
товар відсутній
|
||||||||||||
 |
IXFN360N10T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 360A 4-Pin SOT-227B |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
IXFN360N10T | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 100V; 360A; SOT227B; screw; Idm: 900A Technology: GigaMOS™; HiPerFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 360A Pulsed drain current: 900A Power dissipation: 830W Case: SOT227B Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.6mΩ Gate charge: 525nC Kind of channel: enhanced Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 130ns Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
IXFN360N10T | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 180A, 10V Power Dissipation (Max): 830W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-227B Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 505 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36000 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
IXFN360N10T | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 100V; 360A; SOT227B; screw; Idm: 900A Technology: GigaMOS™; HiPerFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 360A Pulsed drain current: 900A Power dissipation: 830W Case: SOT227B Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.6mΩ Gate charge: 525nC Kind of channel: enhanced Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 130ns Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor |
товар відсутній |