IXFN48N60P

IXFN48N60P Littelfuse


media.pdf Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 600V 40A 4-Pin SOT-227B
на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+2057.77 грн
10+ 1994.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFN48N60P Littelfuse

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN48N60P - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 40A, 600V, 0.14 Ohm, 10V, 5.5V, SOT-227B, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 625W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625W, Produktpalette: PolarHV HiPerFET, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IXFN48N60P за ціною від 1994.79 грн до 2332.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXFN48N60P IXFN48N60P Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008595633-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN48N60P - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 40A, 600V, 0.14 Ohm, 10V, 5.5V, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 625W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Produktpalette: PolarHV HiPerFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2112.32 грн
5+ 1994.79 грн
IXFN48N60P IXFN48N60P Виробник : IXYS media-3323038.pdf MOSFET Modules 600V 48A
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2332.44 грн
10+ 2002.86 грн
IXFN48N60P IXFN48N60P Виробник : Littelfuse ete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn48n60p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 40A 4-Pin SOT-227B
товар відсутній
IXFN48N60P IXFN48N60P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 40A 4-Pin SOT-227B
товар відсутній
IXFN48N60P IXFN48N60P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 40A 4-Pin SOT-227B
товар відсутній
IXFN48N60P IXFN48N60P Виробник : IXYS IXFN48N60P.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 40A; SOT227B; screw; Idm: 110A
Technology: HiPerFET™; PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 625W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 0.14Ω
Gate charge: 150nC
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 200ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFN48N60P IXFN48N60P Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn48n60p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 40A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8860 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFN48N60P IXFN48N60P Виробник : IXYS IXFN48N60P.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 40A; SOT227B; screw; Idm: 110A
Technology: HiPerFET™; PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 625W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 0.14Ω
Gate charge: 150nC
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 200ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
товар відсутній