IXFH52N30P

IXFH52N30P IXYS SEMICONDUCTOR


IXYS-S-A0008597165-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH52N30P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 52 A, 0.073 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiperFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 285 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+547.26 грн
5+ 491.75 грн
10+ 436.24 грн
50+ 384.03 грн
100+ 335.05 грн
250+ 328.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFH52N30P IXYS SEMICONDUCTOR

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH52N30P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 52 A, 0.073 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 52A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Polar HiperFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).

Інші пропозиції IXFH52N30P за ціною від 275.28 грн до 580.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXFH52N30P IXFH52N30P Виробник : IXYS media-3322510.pdf MOSFET 52 Amps 300V 0.066 Rds
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+580.53 грн
10+ 509.72 грн
30+ 397.24 грн
120+ 355.43 грн
510+ 307.34 грн
1020+ 275.28 грн
IXFH52N30P IXFH52N30P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IXFH52N30P IXFH52N30P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IXFH52N30P IXFH52N30P Виробник : IXYS IXF(V,H)52N30P(S).pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 52A; 400W; TO247-3
Mounting: THT
Reverse recovery time: 160ns
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 52A
On-state resistance: 73mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 400W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 110nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFH52N30P IXFH52N30P Виробник : Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfh52n30p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 300V 52A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH52N30P IXFH52N30P Виробник : IXYS IXF(V,H)52N30P(S).pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 52A; 400W; TO247-3
Mounting: THT
Reverse recovery time: 160ns
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 52A
On-state resistance: 73mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 400W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 110nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO247-3
товар відсутній