![IXFH52N30P IXFH52N30P](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/GE3TO247-40.jpg)
IXFH52N30P IXYS SEMICONDUCTOR
![IXYS-S-A0008597165-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0](/images/adobe-acrobat.png)
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH52N30P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 52 A, 0.073 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiperFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 547.26 грн |
5+ | 491.75 грн |
10+ | 436.24 грн |
50+ | 384.03 грн |
100+ | 335.05 грн |
250+ | 328.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFH52N30P IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH52N30P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 52 A, 0.073 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 52A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Polar HiperFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).
Інші пропозиції IXFH52N30P за ціною від 275.28 грн до 580.53 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFH52N30P | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 390 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXFH52N30P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
IXFH52N30P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
IXFH52N30P | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 52A; 400W; TO247-3 Mounting: THT Reverse recovery time: 160ns Drain-source voltage: 300V Drain current: 52A On-state resistance: 73mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 400W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 110nC Technology: HiPerFET™; Polar™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: TO247-3 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
IXFH52N30P | Виробник : Littelfuse Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 400W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
IXFH52N30P | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 52A; 400W; TO247-3 Mounting: THT Reverse recovery time: 160ns Drain-source voltage: 300V Drain current: 52A On-state resistance: 73mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 400W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 110nC Technology: HiPerFET™; Polar™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: TO247-3 |
товар відсутній |