Продукція > WEEN SEMICONDUCTORS > Всі товари виробника WEEN SEMICONDUCTORS (6219) > Сторінка 96 з 104

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 10 20 30 40 50 60 70 80 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 104  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
BTA316-600D,127 BTA316-600D,127 WeEn Semiconductors BTA316-600D.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; TO220AB; Igt: 5mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Technology: 3Q; Hi-Com
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. off-state voltage: 0.6kV
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Gate current: 5mA
Type of thyristor: triac
Max. forward impulse current: 140A
Max. load current: 16A
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+52.04 грн
10+ 39.68 грн
25+ 34.78 грн
29+ 30.16 грн
78+ 28.55 грн
Мінімальне замовлення: 8
BTA316-600E,127 BTA316-600E,127 WeEn Semiconductors bta316-600e.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; TO220AB; Igt: 10mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: 3Q; Hi-Com
Type of thyristor: triac
Case: TO220AB
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 16A
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 140A
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
товар відсутній
BTA316-600ET,127 BTA316-600ET,127 WeEn Semiconductors BTA316-600ET.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; TO220AB; Igt: 10mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Technology: 3Q; Hi-Com
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. off-state voltage: 0.6kV
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Gate current: 10mA
Type of thyristor: triac
Max. forward impulse current: 140A
Max. load current: 16A
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+53.62 грн
10+ 42.1 грн
27+ 32.21 грн
73+ 30.46 грн
500+ 29.29 грн
Мінімальне замовлення: 8
BTA316-600ET/DGQ WeEn Semiconductors bta316-600et.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; TO220AB; Igt: 10mA; Ifsm: 150A; 3Q,Hi-Com
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: 3Q; Hi-Com
Type of thyristor: triac
Case: TO220AB
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 16A
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 150A
Features of semiconductor devices: high temperature
товар відсутній
BTA316B-600B,118 BTA316B-600B,118 WeEn Semiconductors bta316b-600b.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; D2PAK; Igt: 50mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: 3Q; Hi-Com
Type of thyristor: triac
Case: D2PAK
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 16A
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 140A
Features of semiconductor devices: sensitive gate
товар відсутній
BTA316B-600C,118 BTA316B-600C,118 WeEn Semiconductors BTA316B-600C.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; D2PAK; Igt: 35mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Technology: 3Q; Hi-Com
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 0.6kV
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Gate current: 35mA
Type of thyristor: triac
Max. forward impulse current: 140A
Max. load current: 16A
на замовлення 739 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+59.92 грн
8+ 50.08 грн
22+ 40.05 грн
59+ 37.85 грн
400+ 36.46 грн
Мінімальне замовлення: 7
BTA316B-600CTJ WeEn Semiconductors bta316b-600ct.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; D2PAK; Igt: 35mA; Ifsm: 150A; 3Q,Hi-Com
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: 3Q; Hi-Com
Type of thyristor: triac
Case: D2PAK
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 16A
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 150A
Features of semiconductor devices: high temperature
товар відсутній
BTA316B-600E,118 BTA316B-600E,118 WeEn Semiconductors BTA316B-600E.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; D2PAK; Igt: 10mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Technology: 3Q; Hi-Com
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 0.6kV
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Gate current: 10mA
Type of thyristor: triac
Max. forward impulse current: 140A
Max. load current: 16A
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+72.54 грн
10+ 54.91 грн
22+ 40.05 грн
59+ 37.85 грн
500+ 37.49 грн
Мінімальне замовлення: 6
BTA316B-800B,118 BTA316B-800B,118 WeEn Semiconductors bta316b-800b.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 16A; D2PAK; Igt: 50mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: 3Q; Hi-Com
Type of thyristor: triac
Case: D2PAK
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 16A
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 140A
Features of semiconductor devices: sensitive gate
товар відсутній
BTA316B-800C,118 BTA316B-800C,118 WeEn Semiconductors BTA316B-800C.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 16A; D2PAK; Igt: 35mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Technology: 3Q; Hi-Com
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 0.8kV
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Gate current: 35mA
Type of thyristor: triac
Max. forward impulse current: 140A
Max. load current: 16A
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+58.35 грн
8+ 48.03 грн
21+ 41.44 грн
57+ 39.1 грн
500+ 37.63 грн
Мінімальне замовлення: 7
BTA316B-800E,118 BTA316B-800E,118 WeEn Semiconductors bta316b-800e.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 16A; D2PAK; Igt: 10mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: 3Q; Hi-Com
Type of thyristor: triac
Case: D2PAK
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 16A
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 140A
Features of semiconductor devices: sensitive gate
товар відсутній
BT150-500R,127 BT150-500R,127 WeEn Semiconductors BT150-500R.pdf _ween_psg2020.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 500V; Ifmax: 4A; 2.5A; Igt: 15uA; TO220AB; THT; tube; 2us
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 500V
Max. load current: 4A
Load current: 2.5A
Gate current: 15µA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 35A
Turn-on time: 2µs
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+52.04 грн
17+ 21.67 грн
25+ 17.5 грн
57+ 15.23 грн
155+ 14.42 грн
Мінімальне замовлення: 8
BT155K-1200TQ BT155K-1200TQ WeEn Semiconductors BT155K-1200T.pdf _ween_psg2020.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 79A; 50A; Igt: 50mA; SOT1259,TO3P; THT; tube
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 79A
Load current: 50A
Gate current: 50mA
Case: SOT1259; TO3P
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 0.65kA
Turn-on time: 2µs
на замовлення 483 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+156.9 грн
5+ 128.86 грн
8+ 112.02 грн
21+ 105.43 грн
450+ 101.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
SMBJ26AJ WeEn Semiconductors SMBJ Series.pdf Category: Unidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 29.12÷31.67V; 14.3A; unidirectional; SMB; SMBJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 26V
Breakdown voltage: 29.12...31.67V
Max. forward impulse current: 14.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMBJ
товар відсутній
BT151X-500C,127 BT151X-500C,127 WeEn Semiconductors Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 500V; Ifmax: 12A; 7.5A; Igt: 2mA; TO220FP; THT; tube; 2us
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 500V
Max. load current: 12A
Load current: 7.5A
Gate current: 2mA
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 100A
Turn-on time: 2µs
товар відсутній
BT151X-500R,127 BT151X-500R,127 WeEn Semiconductors bt151x-500r.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 500V; Ifmax: 12A; 7.5A; Igt: 2mA; TO220FP; THT; tube; 2us
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 500V
Max. load current: 12A
Load current: 7.5A
Gate current: 2mA
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 120A
Turn-on time: 2µs
товар відсутній
BTA216-600BT,127 WeEn Semiconductors bta216-600bt.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 150A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 16A
Case: TO220AB
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 150A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товар відсутній
BTA216-600D,127 BTA216-600D,127 WeEn Semiconductors bta216-600d.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; TO220AB; Igt: 5mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 16A
Case: TO220AB
Gate current: 5mA
Max. forward impulse current: 140A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товар відсутній
BTA216-600E,127 BTA216-600E,127 WeEn Semiconductors bta216-600d.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; TO220AB; Igt: 10mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 16A
Case: TO220AB
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 140A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товар відсутній
BTA216-600F,127 BTA216-600F,127 WeEn Semiconductors BTA216-600F.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; TO220AB; Igt: 25mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 16A
Case: TO220AB
Gate current: 25mA
Max. forward impulse current: 140A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товар відсутній
BYW29E-100,127 BYW29E-100,127 WeEn Semiconductors BYW29E-100.pdf BYW29E_Series.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 8A; tube; Ifsm: 88A; SOD59,TO220AC
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 88A
Case: SOD59; TO220AC
Max. forward voltage: 0.895V
Reverse recovery time: 25ns
на замовлення 752 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+52.04 грн
13+ 29.14 грн
25+ 25.77 грн
36+ 23.36 грн
100+ 22.04 грн
250+ 21.52 грн
Мінімальне замовлення: 8
BYW29E-150,127 BYW29E-150,127 WeEn Semiconductors BYW29E-150.pdf _ween_psg2020.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 150V; 8A; tube; Ifsm: 88A; SOD59,TO220AC
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 150V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 88A
Case: SOD59; TO220AC
Max. forward voltage: 0.8V
Heatsink thickness: 1.15...1.4mm
Reverse recovery time: 25ns
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+52.04 грн
12+ 30.6 грн
25+ 27.82 грн
39+ 21.67 грн
107+ 20.5 грн
500+ 20.43 грн
Мінімальне замовлення: 8
BYW29E-200,127 BYW29E-200,127 WeEn Semiconductors BYW29E-200.pdf _ween_psg2020.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 8A; tube; Ifsm: 88A; SOD59,TO220AC
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 88A
Case: SOD59; TO220AC
Max. forward voltage: 0.8V
Heatsink thickness: 1.15...1.4mm
Reverse recovery time: 25ns
на замовлення 1443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+54.4 грн
12+ 31.92 грн
25+ 25.77 грн
37+ 23.06 грн
100+ 22.99 грн
101+ 21.82 грн
500+ 20.94 грн
Мінімальне замовлення: 8
BYW29ED-200,118 BYW29ED-200,118 WeEn Semiconductors BYW29ED-200.pdf _ween_psg2020.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 8A; 25ns; DPAK; Ufmax: 0.8V; Ifsm: 80A
Mounting: SMD
Case: DPAK
Kind of package: reel; tape
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. off-state voltage: 200V
Max. forward voltage: 0.8V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 25ns
Max. forward impulse current: 80A
на замовлення 1581 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+61.5 грн
11+ 35.44 грн
42+ 20.5 грн
115+ 19.33 грн
Мінімальне замовлення: 7
BYW29EX-200,127 BYW29EX-200,127 WeEn Semiconductors BYW29EX-200.pdf _ween_psg2020.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 8A; tube; Ifsm: 88A; SOD113,TO220FP-2
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 88A
Case: SOD113; TO220FP-2
Max. forward voltage: 0.8V
Reverse recovery time: 25ns
на замовлення 471 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+52.04 грн
15+ 25.77 грн
25+ 20.87 грн
45+ 18.82 грн
123+ 17.79 грн
Мінімальне замовлення: 8
BYV410-600,127 BYV410-600,127 WeEn Semiconductors BYV410-600.pdf _ween_psg2020.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 10Ax2; tube; Ifsm: 132A; SOT78,TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Heatsink thickness: 1.25...1.4mm
Case: SOT78; TO220AB
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 20A
Max. forward voltage: 1.3V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Reverse recovery time: 35ns
Max. forward impulse current: 132A
товар відсутній
BYC10B-600,118 BYC10B-600,118 WeEn Semiconductors BYC10B-600.pdf _ween_psg2020.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 10A; 55ns; D2PAK,SOT404; Ufmax: 1.4V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 71A
Case: D2PAK; SOT404
Max. forward voltage: 1.4V
Reverse recovery time: 55ns
на замовлення 587 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+60.71 грн
9+ 43.05 грн
25+ 34.78 грн
27+ 31.7 грн
74+ 29.94 грн
Мінімальне замовлення: 7
MURS360BJ MURS360BJ WeEn Semiconductors MURS360B.pdf _ween_psg2020.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 3A; 50ns; SMB; Ufmax: 0.88V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 3A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SMB
Max. forward voltage: 0.88V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 5999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
23+17.9 грн
39+ 9.44 грн
100+ 8.35 грн
113+ 7.61 грн
310+ 7.18 грн
3000+ 7.03 грн
Мінімальне замовлення: 23
NXPSC206506Q NXPSC206506Q WeEn Semiconductors nxpsc20650.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: tube
товар відсутній
NXPSC20650W-AQ NXPSC20650W-AQ WeEn Semiconductors _ween_psg2020.pdf NXPSC20650W-A.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 2.1V
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: tube
Application: automotive industry
товар відсутній
NXPSC20650W6Q NXPSC20650W6Q WeEn Semiconductors nxpsc20650w.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: tube
товар відсутній
WNSC2D20650CJQ WNSC2D20650CJQ WeEn Semiconductors WNSC2D20650CJ%20%281%29.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; SOT1293,TO3PF
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: SOT1293; TO3PF
Max. forward voltage: 1.8V
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: tube
товар відсутній
WNSC2D20650CWQ WNSC2D20650CWQ WeEn Semiconductors WNSC2D20650CW.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.8V
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: tube
товар відсутній
WNSC5D20650X6Q WNSC5D20650X6Q WeEn Semiconductors WNSC5D20650X6Q.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220FP-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Max. forward voltage: 2.2V
Max. load current: 40A
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: tube
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+165.58 грн
5+ 137.64 грн
9+ 105.43 грн
23+ 99.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
WNSC6D20650B6J WeEn Semiconductors WNSC6D20650B6J.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 20A; D2PAK; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 1.8V
Max. load current: 40A
Max. forward impulse current: 120A
Kind of package: reel; tape
товар відсутній
WNSC6D20650WQ WNSC6D20650WQ WeEn Semiconductors WNSC6D20650W.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward impulse current: 155A
Kind of package: tube
товар відсутній
NXPLQSC20650W6Q NXPLQSC20650W6Q WeEn Semiconductors Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 48A
Kind of package: tube
товар відсутній
BTA212-800B,127 BTA212-800B,127 WeEn Semiconductors PHGLS23360-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 95A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 95A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 4865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+55.98 грн
9+ 42.46 грн
10+ 38.14 грн
28+ 31.63 грн
75+ 29.87 грн
Мінімальне замовлення: 8
BTA312-800B,127 BTA312-800B,127 WeEn Semiconductors bta312-800b.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+52.83 грн
9+ 45.39 грн
25+ 40.78 грн
27+ 32.73 грн
72+ 30.97 грн
Мінімальне замовлення: 8
BTA312-800C,127 BTA312-800C,127 WeEn Semiconductors bta312-800c.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товар відсутній
BTA312-800CT,127 BTA312-800CT,127 WeEn Semiconductors bta312-800ct.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 1923 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+52.04 грн
9+ 42.24 грн
10+ 37.12 грн
26+ 33.46 грн
30+ 33.39 грн
71+ 31.63 грн
100+ 31.19 грн
Мінімальне замовлення: 8
BTA312-800E,127 BTA312-800E,127 WeEn Semiconductors bta312-600e.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220AB; Igt: 10mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товар відсутній
BTA312-800ET,127 BTA312-800ET,127 WeEn Semiconductors bta312-800et.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220AB; Igt: 10mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товар відсутній
BTA212B-800B,118 BTA212B-800B,118 WeEn Semiconductors BTA212B-x00B_ser.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; D2PAK; Igt: 50mA; Ifsm: 95A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: D2PAK
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 95A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 634 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+52.04 грн
9+ 41 грн
25+ 34.92 грн
68+ 33.02 грн
100+ 32.73 грн
Мінімальне замовлення: 8
BTA212B-800E,118 BTA212B-800E,118 WeEn Semiconductors BTA212B-800E.PDF Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; D2PAK; Igt: 10mA; Ifsm: 95A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: D2PAK
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 95A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 693 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+52.04 грн
10+ 39.68 грн
25+ 34.78 грн
26+ 33.75 грн
70+ 31.92 грн
100+ 31.34 грн
Мінімальне замовлення: 8
BTA212X-800B,127 BTA212X-800B,127 WeEn Semiconductors BTA212X-800B.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220FP; Igt: 50mA; Ifsm: 95A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220FP
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 95A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 962 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+52.04 грн
10+ 39.68 грн
25+ 34.78 грн
29+ 30.02 грн
78+ 28.55 грн
Мінімальне замовлення: 8
BTA212X-800E,127 WeEn Semiconductors BTA212X-x00X_ser.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220FP; Igt: 10mA; Ifsm: 95A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220FP
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 95A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товар відсутній
BTA312B-800B,118 BTA312B-800B,118 WeEn Semiconductors bta312b-800b.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; D2PAK; Igt: 50mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: D2PAK
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+56.77 грн
8+ 47.3 грн
22+ 39.46 грн
60+ 37.34 грн
Мінімальне замовлення: 7
BTA312B-800C,118 BTA312B-800C,118 WeEn Semiconductors bta312b-800c.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; D2PAK; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: D2PAK
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+56.77 грн
8+ 47.37 грн
10+ 41.81 грн
22+ 39.39 грн
30+ 37.56 грн
60+ 37.27 грн
100+ 35.8 грн
Мінімальне замовлення: 7
BTA312B-800E,118 BTA312B-800E,118 WeEn Semiconductors bta312b-600e.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; D2PAK; Igt: 10mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: D2PAK
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+54.4 грн
10+ 37.92 грн
25+ 34.19 грн
31+ 28.19 грн
84+ 26.65 грн
Мінімальне замовлення: 8
BTA312B-800ET,118 BTA312B-800ET,118 WeEn Semiconductors bta312b-800et.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; D2PAK; Igt: 10mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: D2PAK
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 471 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+52.04 грн
10+ 39.68 грн
25+ 35.44 грн
29+ 30.31 грн
78+ 28.7 грн
Мінімальне замовлення: 8
BTA312X-800B,127 BTA312X-800B,127 WeEn Semiconductors bta312x-800b.pdf PHGLS29888-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220FP; Igt: 50mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220FP
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 421 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+51.25 грн
9+ 40.78 грн
11+ 35.95 грн
27+ 32.51 грн
30+ 32.36 грн
73+ 30.75 грн
100+ 30.16 грн
Мінімальне замовлення: 8
BYV72EW-200,127 BYV72EW-200,127 WeEn Semiconductors byv72ew-200.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 15Ax2; tube; Ifsm: 185A; TO247-3; 28ns
Semiconductor structure: common cathode; double
Reverse recovery time: 28ns
Max. forward impulse current: 185A
Max. load current: 30A
Max. off-state voltage: 200V
Kind of package: tube
Type of diode: rectifying
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.2V
Mounting: THT
Load current: 15A x2
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.14 грн
16+ 54.91 грн
43+ 51.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
BUJ302A,127 BUJ302A,127 WeEn Semiconductors PHGLS22628-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Current gain: 25...50
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 641 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+52.04 грн
11+ 35.14 грн
13+ 28.41 грн
30+ 25.55 грн
41+ 20.94 грн
112+ 19.77 грн
Мінімальне замовлення: 8
BUJ302AD,118 BUJ302AD,118 WeEn Semiconductors buj302ad.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 80W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: DPAK
Current gain: 25...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1579 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+35.48 грн
16+ 23.58 грн
44+ 19.77 грн
119+ 18.67 грн
400+ 18.6 грн
500+ 18.3 грн
Мінімальне замовлення: 12
BUJ302AX,127 BUJ302AX,127 WeEn Semiconductors buj302ax.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 26W; TO220FP
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 4A
Power dissipation: 26W
Case: TO220FP
Current gain: 25...50
Mounting: THT
Kind of package: tube
товар відсутній
BTA225B-800B,118 BTA225B-800B,118 WeEn Semiconductors BTA225B-800B.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 25A; D2PAK; Igt: 50mA; Ifsm: 190A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 25A
Case: D2PAK
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 190A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1023 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+104.08 грн
17+ 50.52 грн
47+ 47.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
BTA225B-800BTJ BTA225B-800BTJ WeEn Semiconductors bta225b-800bt.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 25A; D2PAK; Igt: 50mA; Ifsm: 190A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 25A
Case: D2PAK
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 190A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товар відсутній
NCR100Q-6MX WeEn Semiconductors NCR100Q-6M_0.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 600V; Ifmax: 800mA; 510mA; Igt: 100uA; SOT89; SMD; Ifsm: 9A
Mounting: SMD
Turn-on time: 2µs
Kind of package: reel; tape
Type of thyristor: thyristor
Case: SOT89
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 0.8A
Load current: 0.51A
Gate current: 100µA
Max. forward impulse current: 9A
товар відсутній
NCR100W-10LX WeEn Semiconductors ncr100w-10l.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 850V; Ifmax: 1.1A; 800mA; Igt: 50uA; SOT223; SMD; Ifsm: 11A
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 850V
Max. load current: 1.1A
Load current: 0.8A
Gate current: 50µA
Max. forward impulse current: 11A
Turn-on time: 2µs
Kind of package: reel; tape
Type of thyristor: thyristor
Case: SOT223
товар відсутній
BTA316-600D,127 BTA316-600D.pdf _ween_psg2020.pdf
BTA316-600D,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; TO220AB; Igt: 5mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Technology: 3Q; Hi-Com
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. off-state voltage: 0.6kV
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Gate current: 5mA
Type of thyristor: triac
Max. forward impulse current: 140A
Max. load current: 16A
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+52.04 грн
10+ 39.68 грн
25+ 34.78 грн
29+ 30.16 грн
78+ 28.55 грн
Мінімальне замовлення: 8
BTA316-600E,127 bta316-600e.pdf
BTA316-600E,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; TO220AB; Igt: 10mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: 3Q; Hi-Com
Type of thyristor: triac
Case: TO220AB
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 16A
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 140A
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
товар відсутній
BTA316-600ET,127 BTA316-600ET.pdf _ween_psg2020.pdf
BTA316-600ET,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; TO220AB; Igt: 10mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Technology: 3Q; Hi-Com
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. off-state voltage: 0.6kV
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Gate current: 10mA
Type of thyristor: triac
Max. forward impulse current: 140A
Max. load current: 16A
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+53.62 грн
10+ 42.1 грн
27+ 32.21 грн
73+ 30.46 грн
500+ 29.29 грн
Мінімальне замовлення: 8
BTA316-600ET/DGQ bta316-600et.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; TO220AB; Igt: 10mA; Ifsm: 150A; 3Q,Hi-Com
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: 3Q; Hi-Com
Type of thyristor: triac
Case: TO220AB
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 16A
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 150A
Features of semiconductor devices: high temperature
товар відсутній
BTA316B-600B,118 bta316b-600b.pdf
BTA316B-600B,118
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; D2PAK; Igt: 50mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: 3Q; Hi-Com
Type of thyristor: triac
Case: D2PAK
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 16A
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 140A
Features of semiconductor devices: sensitive gate
товар відсутній
BTA316B-600C,118 BTA316B-600C.pdf _ween_psg2020.pdf
BTA316B-600C,118
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; D2PAK; Igt: 35mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Technology: 3Q; Hi-Com
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 0.6kV
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Gate current: 35mA
Type of thyristor: triac
Max. forward impulse current: 140A
Max. load current: 16A
на замовлення 739 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+59.92 грн
8+ 50.08 грн
22+ 40.05 грн
59+ 37.85 грн
400+ 36.46 грн
Мінімальне замовлення: 7
BTA316B-600CTJ bta316b-600ct.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; D2PAK; Igt: 35mA; Ifsm: 150A; 3Q,Hi-Com
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: 3Q; Hi-Com
Type of thyristor: triac
Case: D2PAK
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 16A
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 150A
Features of semiconductor devices: high temperature
товар відсутній
BTA316B-600E,118 BTA316B-600E.pdf _ween_psg2020.pdf
BTA316B-600E,118
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; D2PAK; Igt: 10mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Technology: 3Q; Hi-Com
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 0.6kV
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Gate current: 10mA
Type of thyristor: triac
Max. forward impulse current: 140A
Max. load current: 16A
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+72.54 грн
10+ 54.91 грн
22+ 40.05 грн
59+ 37.85 грн
500+ 37.49 грн
Мінімальне замовлення: 6
BTA316B-800B,118 bta316b-800b.pdf
BTA316B-800B,118
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 16A; D2PAK; Igt: 50mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: 3Q; Hi-Com
Type of thyristor: triac
Case: D2PAK
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 16A
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 140A
Features of semiconductor devices: sensitive gate
товар відсутній
BTA316B-800C,118 BTA316B-800C.pdf _ween_psg2020.pdf
BTA316B-800C,118
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 16A; D2PAK; Igt: 35mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Technology: 3Q; Hi-Com
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 0.8kV
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Gate current: 35mA
Type of thyristor: triac
Max. forward impulse current: 140A
Max. load current: 16A
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+58.35 грн
8+ 48.03 грн
21+ 41.44 грн
57+ 39.1 грн
500+ 37.63 грн
Мінімальне замовлення: 7
BTA316B-800E,118 bta316b-800e.pdf
BTA316B-800E,118
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 16A; D2PAK; Igt: 10mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: 3Q; Hi-Com
Type of thyristor: triac
Case: D2PAK
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 16A
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 140A
Features of semiconductor devices: sensitive gate
товар відсутній
BT150-500R,127 BT150-500R.pdf _ween_psg2020.pdf
BT150-500R,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 500V; Ifmax: 4A; 2.5A; Igt: 15uA; TO220AB; THT; tube; 2us
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 500V
Max. load current: 4A
Load current: 2.5A
Gate current: 15µA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 35A
Turn-on time: 2µs
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+52.04 грн
17+ 21.67 грн
25+ 17.5 грн
57+ 15.23 грн
155+ 14.42 грн
Мінімальне замовлення: 8
BT155K-1200TQ BT155K-1200T.pdf _ween_psg2020.pdf
BT155K-1200TQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 79A; 50A; Igt: 50mA; SOT1259,TO3P; THT; tube
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 79A
Load current: 50A
Gate current: 50mA
Case: SOT1259; TO3P
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 0.65kA
Turn-on time: 2µs
на замовлення 483 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+156.9 грн
5+ 128.86 грн
8+ 112.02 грн
21+ 105.43 грн
450+ 101.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
SMBJ26AJ SMBJ Series.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Unidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 29.12÷31.67V; 14.3A; unidirectional; SMB; SMBJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 26V
Breakdown voltage: 29.12...31.67V
Max. forward impulse current: 14.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMBJ
товар відсутній
BT151X-500C,127
BT151X-500C,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 500V; Ifmax: 12A; 7.5A; Igt: 2mA; TO220FP; THT; tube; 2us
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 500V
Max. load current: 12A
Load current: 7.5A
Gate current: 2mA
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 100A
Turn-on time: 2µs
товар відсутній
BT151X-500R,127 bt151x-500r.pdf
BT151X-500R,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 500V; Ifmax: 12A; 7.5A; Igt: 2mA; TO220FP; THT; tube; 2us
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 500V
Max. load current: 12A
Load current: 7.5A
Gate current: 2mA
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 120A
Turn-on time: 2µs
товар відсутній
BTA216-600BT,127 bta216-600bt.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 150A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 16A
Case: TO220AB
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 150A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товар відсутній
BTA216-600D,127 bta216-600d.pdf
BTA216-600D,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; TO220AB; Igt: 5mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 16A
Case: TO220AB
Gate current: 5mA
Max. forward impulse current: 140A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товар відсутній
BTA216-600E,127 bta216-600d.pdf
BTA216-600E,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; TO220AB; Igt: 10mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 16A
Case: TO220AB
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 140A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товар відсутній
BTA216-600F,127 BTA216-600F.pdf _ween_psg2020.pdf
BTA216-600F,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; TO220AB; Igt: 25mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 16A
Case: TO220AB
Gate current: 25mA
Max. forward impulse current: 140A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товар відсутній
BYW29E-100,127 BYW29E-100.pdf BYW29E_Series.pdf
BYW29E-100,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 8A; tube; Ifsm: 88A; SOD59,TO220AC
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 88A
Case: SOD59; TO220AC
Max. forward voltage: 0.895V
Reverse recovery time: 25ns
на замовлення 752 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+52.04 грн
13+ 29.14 грн
25+ 25.77 грн
36+ 23.36 грн
100+ 22.04 грн
250+ 21.52 грн
Мінімальне замовлення: 8
BYW29E-150,127 BYW29E-150.pdf _ween_psg2020.pdf
BYW29E-150,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 150V; 8A; tube; Ifsm: 88A; SOD59,TO220AC
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 150V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 88A
Case: SOD59; TO220AC
Max. forward voltage: 0.8V
Heatsink thickness: 1.15...1.4mm
Reverse recovery time: 25ns
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+52.04 грн
12+ 30.6 грн
25+ 27.82 грн
39+ 21.67 грн
107+ 20.5 грн
500+ 20.43 грн
Мінімальне замовлення: 8
BYW29E-200,127 BYW29E-200.pdf _ween_psg2020.pdf
BYW29E-200,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 8A; tube; Ifsm: 88A; SOD59,TO220AC
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 88A
Case: SOD59; TO220AC
Max. forward voltage: 0.8V
Heatsink thickness: 1.15...1.4mm
Reverse recovery time: 25ns
на замовлення 1443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+54.4 грн
12+ 31.92 грн
25+ 25.77 грн
37+ 23.06 грн
100+ 22.99 грн
101+ 21.82 грн
500+ 20.94 грн
Мінімальне замовлення: 8
BYW29ED-200,118 BYW29ED-200.pdf _ween_psg2020.pdf
BYW29ED-200,118
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 8A; 25ns; DPAK; Ufmax: 0.8V; Ifsm: 80A
Mounting: SMD
Case: DPAK
Kind of package: reel; tape
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. off-state voltage: 200V
Max. forward voltage: 0.8V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 25ns
Max. forward impulse current: 80A
на замовлення 1581 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+61.5 грн
11+ 35.44 грн
42+ 20.5 грн
115+ 19.33 грн
Мінімальне замовлення: 7
BYW29EX-200,127 BYW29EX-200.pdf _ween_psg2020.pdf
BYW29EX-200,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 8A; tube; Ifsm: 88A; SOD113,TO220FP-2
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 88A
Case: SOD113; TO220FP-2
Max. forward voltage: 0.8V
Reverse recovery time: 25ns
на замовлення 471 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+52.04 грн
15+ 25.77 грн
25+ 20.87 грн
45+ 18.82 грн
123+ 17.79 грн
Мінімальне замовлення: 8
BYV410-600,127 BYV410-600.pdf _ween_psg2020.pdf
BYV410-600,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 10Ax2; tube; Ifsm: 132A; SOT78,TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Heatsink thickness: 1.25...1.4mm
Case: SOT78; TO220AB
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 20A
Max. forward voltage: 1.3V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Reverse recovery time: 35ns
Max. forward impulse current: 132A
товар відсутній
BYC10B-600,118 BYC10B-600.pdf _ween_psg2020.pdf
BYC10B-600,118
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 10A; 55ns; D2PAK,SOT404; Ufmax: 1.4V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 71A
Case: D2PAK; SOT404
Max. forward voltage: 1.4V
Reverse recovery time: 55ns
на замовлення 587 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+60.71 грн
9+ 43.05 грн
25+ 34.78 грн
27+ 31.7 грн
74+ 29.94 грн
Мінімальне замовлення: 7
MURS360BJ MURS360B.pdf _ween_psg2020.pdf
MURS360BJ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 3A; 50ns; SMB; Ufmax: 0.88V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 3A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SMB
Max. forward voltage: 0.88V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 5999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+17.9 грн
39+ 9.44 грн
100+ 8.35 грн
113+ 7.61 грн
310+ 7.18 грн
3000+ 7.03 грн
Мінімальне замовлення: 23
NXPSC206506Q nxpsc20650.pdf
NXPSC206506Q
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: tube
товар відсутній
NXPSC20650W-AQ _ween_psg2020.pdf NXPSC20650W-A.pdf
NXPSC20650W-AQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 2.1V
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: tube
Application: automotive industry
товар відсутній
NXPSC20650W6Q nxpsc20650w.pdf
NXPSC20650W6Q
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: tube
товар відсутній
WNSC2D20650CJQ WNSC2D20650CJ%20%281%29.pdf
WNSC2D20650CJQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; SOT1293,TO3PF
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: SOT1293; TO3PF
Max. forward voltage: 1.8V
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: tube
товар відсутній
WNSC2D20650CWQ WNSC2D20650CW.pdf
WNSC2D20650CWQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.8V
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: tube
товар відсутній
WNSC5D20650X6Q WNSC5D20650X6Q.pdf
WNSC5D20650X6Q
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220FP-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Max. forward voltage: 2.2V
Max. load current: 40A
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: tube
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+165.58 грн
5+ 137.64 грн
9+ 105.43 грн
23+ 99.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
WNSC6D20650B6J WNSC6D20650B6J.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 20A; D2PAK; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 1.8V
Max. load current: 40A
Max. forward impulse current: 120A
Kind of package: reel; tape
товар відсутній
WNSC6D20650WQ WNSC6D20650W.pdf
WNSC6D20650WQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward impulse current: 155A
Kind of package: tube
товар відсутній
NXPLQSC20650W6Q
NXPLQSC20650W6Q
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 48A
Kind of package: tube
товар відсутній
BTA212-800B,127 PHGLS23360-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BTA212-800B,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 95A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 95A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 4865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+55.98 грн
9+ 42.46 грн
10+ 38.14 грн
28+ 31.63 грн
75+ 29.87 грн
Мінімальне замовлення: 8
BTA312-800B,127 bta312-800b.pdf
BTA312-800B,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+52.83 грн
9+ 45.39 грн
25+ 40.78 грн
27+ 32.73 грн
72+ 30.97 грн
Мінімальне замовлення: 8
BTA312-800C,127 bta312-800c.pdf
BTA312-800C,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товар відсутній
BTA312-800CT,127 bta312-800ct.pdf
BTA312-800CT,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 1923 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+52.04 грн
9+ 42.24 грн
10+ 37.12 грн
26+ 33.46 грн
30+ 33.39 грн
71+ 31.63 грн
100+ 31.19 грн
Мінімальне замовлення: 8
BTA312-800E,127 bta312-600e.pdf
BTA312-800E,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220AB; Igt: 10mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товар відсутній
BTA312-800ET,127 bta312-800et.pdf
BTA312-800ET,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220AB; Igt: 10mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товар відсутній
BTA212B-800B,118 BTA212B-x00B_ser.pdf
BTA212B-800B,118
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; D2PAK; Igt: 50mA; Ifsm: 95A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: D2PAK
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 95A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 634 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+52.04 грн
9+ 41 грн
25+ 34.92 грн
68+ 33.02 грн
100+ 32.73 грн
Мінімальне замовлення: 8
BTA212B-800E,118 BTA212B-800E.PDF
BTA212B-800E,118
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; D2PAK; Igt: 10mA; Ifsm: 95A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: D2PAK
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 95A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 693 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+52.04 грн
10+ 39.68 грн
25+ 34.78 грн
26+ 33.75 грн
70+ 31.92 грн
100+ 31.34 грн
Мінімальне замовлення: 8
BTA212X-800B,127 BTA212X-800B.pdf _ween_psg2020.pdf
BTA212X-800B,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220FP; Igt: 50mA; Ifsm: 95A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220FP
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 95A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 962 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+52.04 грн
10+ 39.68 грн
25+ 34.78 грн
29+ 30.02 грн
78+ 28.55 грн
Мінімальне замовлення: 8
BTA212X-800E,127 BTA212X-x00X_ser.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220FP; Igt: 10mA; Ifsm: 95A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220FP
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 95A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товар відсутній
BTA312B-800B,118 bta312b-800b.pdf
BTA312B-800B,118
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; D2PAK; Igt: 50mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: D2PAK
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+56.77 грн
8+ 47.3 грн
22+ 39.46 грн
60+ 37.34 грн
Мінімальне замовлення: 7
BTA312B-800C,118 bta312b-800c.pdf
BTA312B-800C,118
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; D2PAK; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: D2PAK
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+56.77 грн
8+ 47.37 грн
10+ 41.81 грн
22+ 39.39 грн
30+ 37.56 грн
60+ 37.27 грн
100+ 35.8 грн
Мінімальне замовлення: 7
BTA312B-800E,118 bta312b-600e.pdf
BTA312B-800E,118
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; D2PAK; Igt: 10mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: D2PAK
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+54.4 грн
10+ 37.92 грн
25+ 34.19 грн
31+ 28.19 грн
84+ 26.65 грн
Мінімальне замовлення: 8
BTA312B-800ET,118 bta312b-800et.pdf
BTA312B-800ET,118
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; D2PAK; Igt: 10mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: D2PAK
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 471 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+52.04 грн
10+ 39.68 грн
25+ 35.44 грн
29+ 30.31 грн
78+ 28.7 грн
Мінімальне замовлення: 8
BTA312X-800B,127 bta312x-800b.pdf PHGLS29888-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BTA312X-800B,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220FP; Igt: 50mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220FP
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 421 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+51.25 грн
9+ 40.78 грн
11+ 35.95 грн
27+ 32.51 грн
30+ 32.36 грн
73+ 30.75 грн
100+ 30.16 грн
Мінімальне замовлення: 8
BYV72EW-200,127 byv72ew-200.pdf
BYV72EW-200,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 15Ax2; tube; Ifsm: 185A; TO247-3; 28ns
Semiconductor structure: common cathode; double
Reverse recovery time: 28ns
Max. forward impulse current: 185A
Max. load current: 30A
Max. off-state voltage: 200V
Kind of package: tube
Type of diode: rectifying
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.2V
Mounting: THT
Load current: 15A x2
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+76.14 грн
16+ 54.91 грн
43+ 51.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
BUJ302A,127 PHGLS22628-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BUJ302A,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Current gain: 25...50
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 641 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+52.04 грн
11+ 35.14 грн
13+ 28.41 грн
30+ 25.55 грн
41+ 20.94 грн
112+ 19.77 грн
Мінімальне замовлення: 8
BUJ302AD,118 buj302ad.pdf
BUJ302AD,118
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 80W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: DPAK
Current gain: 25...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1579 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+35.48 грн
16+ 23.58 грн
44+ 19.77 грн
119+ 18.67 грн
400+ 18.6 грн
500+ 18.3 грн
Мінімальне замовлення: 12
BUJ302AX,127 buj302ax.pdf
BUJ302AX,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 26W; TO220FP
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 4A
Power dissipation: 26W
Case: TO220FP
Current gain: 25...50
Mounting: THT
Kind of package: tube
товар відсутній
BTA225B-800B,118 BTA225B-800B.pdf _ween_psg2020.pdf
BTA225B-800B,118
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 25A; D2PAK; Igt: 50mA; Ifsm: 190A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 25A
Case: D2PAK
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 190A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1023 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+104.08 грн
17+ 50.52 грн
47+ 47.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
BTA225B-800BTJ bta225b-800bt.pdf
BTA225B-800BTJ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 25A; D2PAK; Igt: 50mA; Ifsm: 190A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 25A
Case: D2PAK
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 190A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товар відсутній
NCR100Q-6MX NCR100Q-6M_0.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 600V; Ifmax: 800mA; 510mA; Igt: 100uA; SOT89; SMD; Ifsm: 9A
Mounting: SMD
Turn-on time: 2µs
Kind of package: reel; tape
Type of thyristor: thyristor
Case: SOT89
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 0.8A
Load current: 0.51A
Gate current: 100µA
Max. forward impulse current: 9A
товар відсутній
NCR100W-10LX ncr100w-10l.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 850V; Ifmax: 1.1A; 800mA; Igt: 50uA; SOT223; SMD; Ifsm: 11A
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 850V
Max. load current: 1.1A
Load current: 0.8A
Gate current: 50µA
Max. forward impulse current: 11A
Turn-on time: 2µs
Kind of package: reel; tape
Type of thyristor: thyristor
Case: SOT223
товар відсутній
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 10 20 30 40 50 60 70 80 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 104  [ Наступна Сторінка >> ]