BYW29ED-200,118 WEEN SEMICONDUCTORS
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - BYW29ED-200,118 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 8 A, Einfach, 1.05 V, 25 ns, 88 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 88A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.05V
Sperrverzögerungszeit: 25ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: BYW29ED
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 3343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 36.55 грн |
| 500+ | 27.74 грн |
| 1000+ | 20.6 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BYW29ED-200,118 WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYW29ED-200,118 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 8 A, Einfach, 1.05 V, 25 ns, 88 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Durchlassstoßstrom: 88A, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.05V, Sperrverzögerungszeit: 25ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: BYW29ED, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BYW29ED-200,118 за ціною від 11.42 грн до 68.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BYW29ED-200,118 | Виробник : WeEn Semiconductors |
Rectifiers TAPE13 REC-EPI |
на замовлення 3309 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BYW29ED-200,118 | Виробник : WeEn Semiconductors |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 8A; 25ns; DPAK; Ufmax: 0.8V; Ifsm: 80A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 80A Case: DPAK Max. forward voltage: 0.8V Reverse recovery time: 25ns |
на замовлення 1581 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BYW29ED-200,118 | Виробник : WeEn Semiconductors |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 8A; 25ns; DPAK; Ufmax: 0.8V; Ifsm: 80A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 80A Case: DPAK Max. forward voltage: 0.8V Reverse recovery time: 25ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1581 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BYW29ED-200,118 | Виробник : WEEN SEMICONDUCTORS |
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYW29ED-200,118 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 8 A, Einfach, 1.05 V, 25 ns, 88 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Durchlassstoßstrom: 88A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.05V Sperrverzögerungszeit: 25ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BYW29ED productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 3343 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BYW29ED-200,118 | Виробник : WeEn Semiconductors |
Description: DIODE GEN PURP 200V 8A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V |
на замовлення 55 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BYW29ED-200,118 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: DIODE RECT 200V 8A SOT428 Packaging: Bulk |
на замовлення 1335 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
BYW29ED-200,118 | Виробник : WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited |
Rectifier Diode Switching 200V 8A 25ns 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BYW29ED-200,118 | Виробник : WeEn Semiconductors |
Description: DIODE GEN PURP 200V 8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V |
товар відсутній |