![BUJ302AD,118 BUJ302AD,118](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/61132dc82871b43f3e51caecf487e987d5b2a818/bta208s-600f118.jpg)
BUJ302AD,118 WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited
![2180766095148442buj302ad.pdft636543771031578516.pdft636543771031578516.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Trans GP BJT NPN 400V 4A 80000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 135000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 19.47 грн |
5000+ | 19.01 грн |
10000+ | 18.93 грн |
12500+ | 17.92 грн |
25000+ | 16.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUJ302AD,118 WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BUJ302AD,118 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 4 A, 80 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, DC-Stromverstärkung hFE: 66, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 80, Übergangsfrequenz ft: -, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 400, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 4, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Інші пропозиції BUJ302AD,118 за ціною від 17.5 грн до 59.4 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BUJ302AD,118 | Виробник : WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited |
![]() |
на замовлення 135000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BUJ302AD,118 | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 3.5A Current - Collector Cutoff (Max): 250mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 800mA, 3V Supplier Device Package: DPAK Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 80 W |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BUJ302AD,118 | Виробник : WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited |
![]() |
на замовлення 65 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BUJ302AD,118 | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 80W; DPAK Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 400V Collector current: 4A Power dissipation: 80W Case: DPAK Current gain: 25...50 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape |
на замовлення 1579 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BUJ302AD,118 | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 80W; DPAK Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 400V Collector current: 4A Power dissipation: 80W Case: DPAK Current gain: 25...50 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1579 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BUJ302AD,118 | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() |
на замовлення 5085 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BUJ302AD,118 | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 3.5A Current - Collector Cutoff (Max): 250mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 800mA, 3V Supplier Device Package: DPAK Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 80 W |
на замовлення 11015 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BUJ302AD,118 | Виробник : WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited |
![]() |
на замовлення 65 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
BUJ302AD,118 | Виробник : WEEN SEMICONDUCTORS |
![]() Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 66 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 80 Übergangsfrequenz ft: - Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 400 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 4 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
товар відсутній |