на замовлення 1733 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 220.72 грн |
10+ | 126.57 грн |
100+ | 99.27 грн |
500+ | 80.57 грн |
1000+ | 74.09 грн |
5000+ | 73.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMP050N10NS2_T0_00601 Panjit
Description: 100V/ 5MOHM/ LOW FOM MOSFET, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 138W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA, Supplier Device Package: TO-220AB-L, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3910 pF @ 50 V.
Інші пропозиції PSMP050N10NS2_T0_00601 за ціною від 70.59 грн до 230.32 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
PSMP050N10NS2_T0_00601 | Виробник : Panjit International Inc. |
Description: 100V/ 5MOHM/ LOW FOM MOSFET Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 138W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA Supplier Device Package: TO-220AB-L Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3910 pF @ 50 V |
на замовлення 1827 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
PSMP050N10NS2_T0_00601 Код товару: 191410 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 |
товар відсутній
|
|||||||||||||||
PSMP050N10NS2_T0_00601 | Виробник : PanJit Semiconductor |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 138W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 120A Pulsed drain current: 480A Power dissipation: 138W Case: TO220ABL Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7mΩ Mounting: THT Gate charge: 53nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
PSMP050N10NS2_T0_00601 | Виробник : PanJit Semiconductor |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 138W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 120A Pulsed drain current: 480A Power dissipation: 138W Case: TO220ABL Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7mΩ Mounting: THT Gate charge: 53nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |