на замовлення 61580 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 32.06 грн |
| 13+ | 26.75 грн |
| 100+ | 17.36 грн |
| 500+ | 13.64 грн |
| 1000+ | 10.89 грн |
| 2500+ | 9.21 грн |
| 10000+ | 8.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PJW4P06A_R2_00001 Panjit
Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V.
Інші пропозиції PJW4P06A_R2_00001 за ціною від 10.1 грн до 35.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PJW4P06A_R2_00001 | Виробник : Panjit International Inc. |
 Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| PJW4P06A_R2_00001 | Виробник : Panjit International Inc. |
Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V |
на замовлення 6157 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| PJW4P06A_R2_00001 | Виробник : PanJit Semiconductor |
PJW4P06A-R2 SMD P channel transistors |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|